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公开(公告)号：CN107403790A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710282346.9
申请日：2017-04-26
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开具有片上天线的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括半导体管芯，该半导体管芯具有有源主表面以及与有源主表面相对的相对主表面。该半导体器件还包括布置在半导体管芯的有源主表面上的天线以及布置在半导体管芯的相对主表面上的凹进部分。该凹进部分布置在天线之上。
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公开(公告)号：CN102544007B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201110377996.4
申请日：2011-11-24
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L23/538
CPC classification number: H01L27/088 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及包括场效应晶体管的集成电路。集成电路包括半导体载体，半导体载体包括第一侧和与第一侧相对的第二侧。FET在半导体载体的第一区域中，并且具有电耦合到在第一侧的漏极接触区域的漏极以及电耦合到在第二侧的源极接触区域的源极。第一电路元件在半导体载体的第二区域中。第二区域经由沟槽绝缘与包围第二区域的半导体载体电绝缘，该沟渠绝缘从第一侧通过半导体载体延伸到第二侧。互连层级电互连在第二侧的第一电路元件，并且经由在第二侧的绝缘层与整个第二区域中的源极接触区域电绝缘。传导路径从第一侧通过半导体载体延伸到第二侧，并且与包围传导路径的半导体载体电绝缘。至少一个第一电路元件经由传导路径电耦合到在第一侧的接触区域。
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公开(公告)号：CN109119399A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810650999.2
申请日：2018-06-22
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/498
Abstract: 本发明公开了包括包含空隙的再分布层焊盘的电子器件。一种电子器件，包括焊料球、包括开口的电介质层以及包括与焊料球连接的RDL焊盘的再分布层（RDL），该RDL焊盘包括至少一个空隙，该空隙至少部分地设置在RDL焊盘的在电介质层的开口的横向外侧的区域中。
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公开(公告)号：CN102456688B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201110327171.1
申请日：2011-10-25
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L21/82 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L27/0688 , H01L21/26586 , H01L21/76224 , H01L21/823878 , H01L27/0623 , H01L27/0629 , H01L27/092 , H01L29/0657 , H01L29/0878 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/41775 , H01L29/42368 , H01L29/66734 , H01L29/78 , H01L29/7811 , H01L29/7813
Abstract: 本发明涉及具有不同器件外延层的集成电路技术。一种半导体模具包括衬底、第一器件区段和第二器件区段。第一器件区段包括衬底上的外延层以及形成在第一器件区段的外延层中的第一类型的一个或更多半导体器件。第二器件区段与第一器件区段分隔开，并且包括衬底上的外延层以及形成在第二器件区段的外延层中的第二类型的一个或更多半导体器件。第一器件区段的外延层与第二器件区段的外延层不同，从而第一类型的一个或更多半导体器件与第二类型的一个或更多半导体器件形成在不同的外延层中。
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公开(公告)号：CN102544007A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110377996.4
申请日：2011-11-24
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L23/538
CPC classification number: H01L27/088 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及包括场效应晶体管的集成电路。集成电路包括半导体载体，半导体载体包括第一侧和与第一侧相对的第二侧。FET在半导体载体的第一区域中，并且具有电耦合到在第一侧的漏极接触区域的漏极以及电耦合到在第二侧的源极接触区域的源极。第一电路元件在半导体载体的第二区域中。第二区域经由沟槽绝缘与包围第二区域的半导体载体电绝缘，该沟渠绝缘从第一侧通过半导体载体延伸到第二侧。互连层级电互连在第二侧的第一电路元件，并且经由在第二侧的绝缘层与整个第二区域中的源极接触区域电绝缘。传导路径从第一侧通过半导体载体延伸到第二侧，并且与包围传导路径的半导体载体电绝缘。至少一个第一电路元件经由传导路径电耦合到在第一侧的接触区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107403790B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201710282346.9
申请日：2017-04-26
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开具有片上天线的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括半导体管芯，该半导体管芯具有有源主表面以及与有源主表面相对的相对主表面。该半导体器件还包括布置在半导体管芯的有源主表面上的天线以及布置在半导体管芯的相对主表面上的凹进部分。该凹进部分布置在天线之上。
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公开(公告)号：CN104465656B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201410470355.7
申请日：2014-09-16
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L21/823487 , H01L21/28008 , H01L21/823431 , H01L21/823821 , H01L27/0886 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/7827 , H01L29/7851
Abstract: 本发明涉及半导体器件以及其制造方法。一种半导体器件包含半导体基体，该半导体基体具有第一表面和相对于第一表面的第二表面。该半导体器件进一步包含第一和第二槽，该第一和第二槽从第一表面延伸到该半导体基体中。该半导体器件进一步包含至少一个横向IGFET，该横向IGFET包含在第一表面处的第一负载端子、在第一表面处的第二负载端子和第一槽内的栅电极。该半导体器件进一步包含至少一个垂直IGFET，该垂直IGFET包括在第一表面处的第一负载端子、在第二表面处的第二负载端子和第二槽内的栅电极。
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公开(公告)号：CN102760713B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201210129923.8
申请日：2012-04-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： T.迈尔
IPC: H01L23/488 , H01L23/528 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/486 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L2224/12105 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01087 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及用于芯片的芯片封装模块和用于形成芯片封装模块的方法。提供了一种用于芯片的芯片封装模块，该芯片封装模块包括：隔离材料，配置成在至少一面上覆盖芯片，该隔离材料具有接近芯片的第一面的第一表面，并且所述隔离材料具有面对与第一表面相反的方向的第二表面；以及与芯片第一面连接的至少一个层，该至少一个层进一步配置成从芯片第一面延伸到隔离材料的第二表面。
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公开(公告)号：CN104465656A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410470355.7
申请日：2014-09-16
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L21/823487 , H01L21/28008 , H01L21/823431 , H01L21/823821 , H01L27/0886 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/7827 , H01L29/7851
Abstract: 本发明涉及半导体器件以及其制造方法。一种半导体器件包含半导体基体，该半导体基体具有第一表面和相对于第一表面的第二表面。该半导体器件进一步包含第一和第二槽，该第一和第二槽从第一表面延伸到该半导体基体中。该半导体器件进一步包含至少一个横向IGFET，该横向IGFET包含在第一表面处的第一负载端子、在第一表面处的第二负载端子和第一槽内的栅电极。该半导体器件进一步包含至少一个垂直IGFET，该垂直IGFET包括在第一表面处的第一负载端子、在第二表面处的第二负载端子和第二槽内的栅电极。
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公开(公告)号：CN102760713A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210129923.8
申请日：2012-04-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： T.迈尔
IPC: H01L23/488 , H01L23/528 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/486 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L2224/12105 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01087 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及用于芯片的芯片封装模块和用于形成芯片封装模块的方法。提供了一种用于芯片的芯片封装模块，该芯片封装模块包括：隔离材料，配置成在至少一面上覆盖芯片，该隔离材料具有接近芯片的第一面的第一表面，并且所述隔离材料具有面对与第一表面相反的方向的第二表面；以及与芯片第一面连接的至少一个层，该至少一个层进一步配置成从芯片第一面延伸到隔离材料的第二表面。
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