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公开(公告)号：CN109997156B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201680091151.X
申请日：2016-12-27
Applicant: 英特尔公司
Inventor： J·M·罗伯茨 , A·A·埃尔谢尔比尼 , S·利夫 , J·M·斯旺 , R·考迪罗 , Z·R·约斯科维茨 , N·K·托马斯 , R·皮拉里塞泰 , H·C·乔治 , J·S·克拉克
Abstract: 本文公开的一种超导量子位器件封装包括具有第一面和相对的第二面的管芯，以及具有第一面和相对的第二面的封装衬底。管芯包括量子器件，所述量子器件包括：在管芯的第一面上的多个超导量子位和多个谐振器，以及耦合在管芯的第一面处的导电触点与多个超导量子位中的相关联的超导量子位或多个谐振器中的相关联的谐振器之间的多个导电通路。封装衬底的第二面还包括导电触点。器件封装还包括设置在管芯的第一面与封装衬底的第二面之间的第一级互连，其将管芯的第一面处的导电触点与封装衬底的第二面处的相关联的导电触点耦合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111886703A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201980021852.X
申请日：2019-05-21
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 本公开的实施例提供了实现量子点量子比特装置的自适应编程的量子电路组合件。示例量子电路组合件包括：量子电路部件，所述量子电路部件包括量子点量子比特装置；以及耦合到量子电路部件的控制逻辑。控制逻辑配置成通过迭代以下序列来自适应地对量子点量子比特装置进行编程：将一个或多个信号施加到量子点量子比特装置，确定量子点量子比特装置的至少一个量子比特的状态，以及使用所确定的状态来修改在下一迭代中要施加到量子点量子比特装置的信号。以这种方式，可以微调信号，以实现量子点量子比特装置中的（一个或多个）量子比特被设置成期望状态的更高概率。
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公开(公告)号：CN106463412A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201480078921.8
申请日：2014-06-16
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/38 , H01L21/31 , H01L21/205
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/28568 , H01L21/288 , H01L21/3215 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76849 , H01L21/7685 , H01L21/76855 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53209 , H01L24/17 , H01L25/105 , H01L2224/16225 , H01L2924/0002 , H01L2924/15311 , H05K1/181 , H05K2201/10734 , H01L2924/00
Abstract: 本公开内容的实施例描述了集成电路(IC)器件的金属之间的选择性扩散阻挡部以及相关联的技术和构造。在一个实施例中，一种装置包括电介质材料；第一互连结构，所述第一互连结构包括设置在电介质材料中的第一金属；第二互连结构，所述第二互连结构包括设置在电介质材料中并且与第一互连结构电耦合的第二金属；以及扩散阻挡部，所述扩散阻挡部设置在第一互连结构与第二互连结构之间的界面处，其中，第一金属和第二金属具有不同的化学成分，扩散阻挡部的材料和第二金属具有不同的化学成分，并且扩散阻挡部的材料并非直接设置在第二金属与电介质材料之间。可以描述和/或要求保护其它实施例。
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公开(公告)号：CN109997156A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201680091151.X
申请日：2016-12-27
Applicant: 英特尔公司
Inventor： J·M·罗伯茨 , A·A·埃尔谢尔比尼 , S·利夫 , J·M·斯旺 , R·考迪罗 , Z·R·约斯科维茨 , N·K·托马斯 , R·皮拉里塞泰 , H·C·乔治 , J·S·克拉克
Abstract: 本文公开的一种超导量子位器件封装包括具有第一面和相对的第二面的管芯，以及具有第一面和相对的第二面的封装衬底。管芯包括量子器件，所述量子器件包括：在管芯的第一面上的多个超导量子位和多个谐振器，以及耦合在管芯的第一面处的导电触点与多个超导量子位中的相关联的超导量子位或多个谐振器中的相关联的谐振器之间的多个导电通路。封装衬底的第二面还包括导电触点。器件封装还包括设置在管芯的第一面与封装衬底的第二面之间的第一级互连，其将管芯的第一面处的导电触点与封装衬底的第二面处的相关联的导电触点耦合。
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公开(公告)号：CN116484958A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202211642126.X
申请日：2022-12-20
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 本申请公开了具有片上微线圈布置的基于量子点的量子比特器件。量子点量子比特的阵列(例如，自旋量子比特的阵列)依赖于梯度磁场，以确保量子比特在频率上被分开，从而是单独地可寻址的。此外，需要强磁场梯度来以电气方式驱动量子比特的电偶极子自旋共振(EDSR)。本文中公开的量子点器件使用微线圈布置来提供梯度磁场，这些微线圈布置被集成在与量子点量子比特自身相同的芯片上(例如，在同一管芯或晶圆上)。与对于量子点形成和操纵的先前方式不同，本文中公开的量子点器件的各实施例可实现对磁场及其梯度的改善的控制以实现对各个量子比特的更好的频率瞄准，有助于使电荷噪声对量子比特退相干的不利影响最小化，并提供器件中所包括的量子点的数量方面的良好的可缩放性。
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公开(公告)号：CN105556644A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201380079183.4
申请日：2013-09-27
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L23/528 , H01L21/28562 , H01L21/288 , H01L21/3105 , H01L21/31058 , H01L21/311 , H01L21/32 , H01L21/32051 , H01L21/321 , H01L21/76801 , H01L21/76816 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76849 , H01L21/76877 , H01L21/76897 , H01L23/5226 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种方法，所述方法的一方面包括通过借助于选择性的化学反应单独形成第一多个较薄层中的每个较薄层，来在具有第一表面材料的第一区域上方形成由第一材料构成的第一较厚层。该方法还包括限制第一多个较薄层中的每个较薄层在第二区域上方的侵蚀，该第二区域与第一区域相邻。在具有第二表面材料的第二区域上方形成由第二材料构成的第二较厚层，该第二表面材料与第一表面材料不同。
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