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公开(公告)号：CN106716644A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201480081500.0
申请日：2014-09-26
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L21/265 , H01L21/266 , H01L21/28247 , H01L29/0673 , H01L29/42364 , H01L29/42392 , H01L29/4983 , H01L29/51 , H01L29/66439 , H01L29/6656 , H01L29/66795 , H01L29/775 , H01L29/785
Abstract: 讨论了用于半导体器件的涉及形成选择性栅极间隔体的技术和使用这样的技术形成的晶体管结构和器件。这样的技术包括在半导体鳍状物上形成阻挡材料，在阻挡材料的部分上设置栅极，该栅极具有与阻挡材料不同的表面化学性质，在栅极上而不在阻挡材料的部分上形成选择性共形层，以及去除阻挡材料的暴露部分。
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公开(公告)号：CN106164332A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201480076472.3
申请日：2014-03-27
Applicant: 英特尔公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/45553 , C23C16/18 , C23C16/482 , H01L21/0337 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76816 , H01L21/76879 , H01L21/76897 , H01L29/66795
Abstract: 描述了用于光辅助金属原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)的前体和工艺设计。在一个实例中，制造金属薄膜的方法涉及紧邻衬底之上或上方的表面引入前体分子，所述前体分子的每一个均包含被配体包围的一个或多个金属中心。所述方法还包括通过使用光辅助工艺从所述前体分子离解配体而在表面上沉积金属层。
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公开(公告)号：CN106716644B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201480081500.0
申请日：2014-09-26
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 讨论了用于半导体器件的涉及形成选择性栅极间隔体的技术和使用这样的技术形成的晶体管结构和器件。这样的技术包括在半导体鳍状物上形成阻挡材料，在阻挡材料的部分上设置栅极，该栅极具有与阻挡材料不同的表面化学性质，在栅极上而不在阻挡材料的部分上形成选择性共形层，以及去除阻挡材料的暴露部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105556644A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201380079183.4
申请日：2013-09-27
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L23/528 , H01L21/28562 , H01L21/288 , H01L21/3105 , H01L21/31058 , H01L21/311 , H01L21/32 , H01L21/32051 , H01L21/321 , H01L21/76801 , H01L21/76816 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76849 , H01L21/76877 , H01L21/76897 , H01L23/5226 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种方法，所述方法的一方面包括通过借助于选择性的化学反应单独形成第一多个较薄层中的每个较薄层，来在具有第一表面材料的第一区域上方形成由第一材料构成的第一较厚层。该方法还包括限制第一多个较薄层中的每个较薄层在第二区域上方的侵蚀，该第二区域与第一区域相邻。在具有第二表面材料的第二区域上方形成由第二材料构成的第二较厚层，该第二表面材料与第一表面材料不同。
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公开(公告)号：CN119725228A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411157209.9
申请日：2024-08-22
Applicant: 英特尔公司
Inventor： A·埃尔谢尔比尼 , T·L·索纳尔特 , F·艾德 , T·K·塔卢克达尔 , B·M·罗林斯 , A·维亚茨基克 , C·B·阿罗亚韦 , K·俊 , S·M·利夫 , G·M·克洛斯特 , R·F·弗里兰 , W·P·布雷辛斯基 , J·斯旺
IPC: H01L21/78 , H10D89/00 , H01L25/065
Abstract: 本文中公开了在衬底之间对层的部分进行选择性层转移的方法，以及使用该方法形成的装置和系统。在一个实施例中，接收具有集成电路(IC)部件的层的第一衬底，并且接收具有一个或多个粘合区域的第二衬底。第一衬底部分地接合到第二衬底，使得位于第一衬底上的IC部件的子集接合到位于第二衬底上的粘合区域。然后，第一衬底与第二衬底分离，并且接合到第二衬底的IC部件的子集与第一衬底分离，并且保持在第二衬底上。
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公开(公告)号：CN106164332B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201480076472.3
申请日：2014-03-27
Applicant: 英特尔公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/285
Abstract: 描述了用于光辅助金属原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)的前体和工艺设计。在一个实例中，制造金属薄膜的方法涉及紧邻衬底之上或上方的表面引入前体分子，所述前体分子的每一个均包含被配体包围的一个或多个金属中心。所述方法还包括通过使用光辅助工艺从所述前体分子离解配体而在表面上沉积金属层。
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公开(公告)号：CN107743653A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201580080097.4
申请日：2015-06-18
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/538 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/768 , C23C16/04
CPC classification number: H01L21/76879 , C23C16/045 , H01L21/28 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/31144 , H01L21/76843 , H01L21/76861 , H01L21/76865 , H01L21/76876 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L2221/1063 , H01L23/5384 , H01L29/42372 , H01L29/785
Abstract: 描述了用于形成半导体结构的金属特征的自底向上填充方式和所得到的结构。在示例中，一种半导体结构包括设置于层间电介质(ILD)层中的沟槽。沟槽具有侧壁、底部和顶部。U形金属种子层设置在沟槽的底部并沿着沟槽的侧壁，但大体上位于沟槽的顶部下方。金属填充层设置在U形金属种子层上并将沟槽填充到沟槽的顶部。金属填充层沿沟槽的侧壁的位于U形金属种子层上方的部分与ILD层的电介质材料直接接触。
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