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公开(公告)号：CN117253879A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311396944.0
申请日：2017-12-29
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/485 , H10B80/00
Abstract: 本文公开了微电子组件以及相关的器件和方法。例如，在一些实施例中，微电子组件可以包括封装衬底，该封装衬底包括：具有第一表面和相对的第二表面的电介质材料、在第二表面的至少一部分上的第一光可限定材料、以及在第一光可限定材料的至少一部分上的第二光可限定材料，其中，第二光可限定材料具有与第一光可限定材料不同的材料成分。
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公开(公告)号：CN116314085A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211473259.9
申请日：2022-11-21
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/498 , H01L23/538 , H01L25/16
Abstract: 公开了具有管芯中串行器/解串器的准单片式集成封装架构。提供了一种微电子组件，包括：具有通往第一串行器/解串器(SERDES)电路的第一连接件和通往第二SERDES电路的第二连接件的第一集成电路(IC)管芯；具有该第一SERDES电路的第二IC管芯；以及具有该第二SERDES电路的第三IC管芯，其中，第一IC管芯位于第一层中，第二IC管芯和第三IC管芯位于不与第一层共平面的第二层中，第一层和第二层通过互连耦合，所述互连在所述互连中的相邻互连之间具有小于10微米的间距，并且第一SERDES电路和第二SERDES电路通过导电通路耦合。
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公开(公告)号：CN111902933A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201980021409.2
申请日：2019-05-14
Applicant: 英特尔公司
Inventor： A·A·埃尔谢尔比尼 , F·艾德 , J·M·斯旺 , S·利夫
IPC: H01L23/528 , H01L23/525 , H01L23/522 , H01L25/065
Abstract: 本文公开了微电子组件、相关的设备和方法。在一些实施例中，微电子组件可以包括：具有第一表面和相对的第二表面的封装衬底；嵌入在第一电介质层中的第一管芯，第一管芯具有第一表面和相对的第二表面，其中，第一管芯的第一表面通过第一互连耦合到封装衬底的第二表面；嵌入在第二电介质层中的第二管芯，第二管芯具有第一表面和相对的第二表面，其中，第二管芯的第一表面通过第二互连耦合到第一管芯的第二表面；以及嵌入在第三电介质层中的第三管芯，第三管芯具有第一表面和相对的第二表面，其中，第三管芯的第一表面通过第三互连耦合到第二管芯的第二表面。
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公开(公告)号：CN105874590A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201380079122.8
申请日：2013-09-27
Applicant: 英特尔公司
Inventor： H·布劳尼施 , F·艾德 , A·A·埃尔谢尔比尼 , J·M·斯旺 , D·W·纳尔逊
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L23/3675 , H01L21/52 , H01L23/36 , H01L23/367 , H01L23/3677 , H01L23/473 , H01L23/49811 , H01L23/49833 , H01L23/49838 , H01L23/50 , H01L23/5389 , H01L2924/0002 , H05K1/021 , H05K1/185 , H05K2201/066 , H05K2201/10416 , H05K2201/10545 , H01L2924/00
Abstract: 一种设备包括：管芯，所述管芯的第一侧包括第一类型的系统级触点并且第二侧包括第二类型的触点；以及封装基板，所述封装基板耦接到所述管芯和所述管芯的所述第二侧。一种设备包括：管芯，所述管芯的第一侧包括多个系统级逻辑触点并且第二侧包括第二多个系统级电力触点。一种方法包括将管芯的第一侧上的第一类型的系统级触点和管芯的第二侧上的第二类型的系统级触点中的一者耦接到封装基板。
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公开(公告)号：CN117546290A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202280043541.5
申请日：2022-11-03
Applicant: 英特尔公司
Inventor： C·L·莫尔纳 , A·A·埃尔谢尔比尼 , T·卡尔尼克 , S·M·利夫 , R·J·穆诺茨 , J·赛博特 , J·M·斯旺 , N·纳西夫 , G·S·帕斯达斯特 , K·巴拉斯 , N·查德瓦尼 , D·E·尼科诺夫
IPC: H01L25/065 , H01L25/16
Abstract: 提供了一种微电子组件，包括：位于第一层中的第一多个集成电路(IC)管芯；位于第二层中的第二多个IC管芯，第二层位于第一层与第三层之间；以及位于第三层中的第三多个IC管芯。在一些实施例中，第二多个IC管芯包括呈行和列的阵列的IC管芯，第二多个IC管芯中的每个IC管芯耦合到第一多个IC管芯中的多于一个IC管芯，并且第三多个IC管芯将提供第二多个IC管芯中的相邻的IC管芯之间的电耦合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109997156B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201680091151.X
申请日：2016-12-27
Applicant: 英特尔公司
Inventor： J·M·罗伯茨 , A·A·埃尔谢尔比尼 , S·利夫 , J·M·斯旺 , R·考迪罗 , Z·R·约斯科维茨 , N·K·托马斯 , R·皮拉里塞泰 , H·C·乔治 , J·S·克拉克
Abstract: 本文公开的一种超导量子位器件封装包括具有第一面和相对的第二面的管芯，以及具有第一面和相对的第二面的封装衬底。管芯包括量子器件，所述量子器件包括：在管芯的第一面上的多个超导量子位和多个谐振器，以及耦合在管芯的第一面处的导电触点与多个超导量子位中的相关联的超导量子位或多个谐振器中的相关联的谐振器之间的多个导电通路。封装衬底的第二面还包括导电触点。器件封装还包括设置在管芯的第一面与封装衬底的第二面之间的第一级互连，其将管芯的第一面处的导电触点与封装衬底的第二面处的相关联的导电触点耦合。
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公开(公告)号：CN115472592A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210511402.2
申请日：2022-05-11
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/538 , H01L23/48 , H01L25/18 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及通过连接内桥接管芯的选择性布线。公开了一种集成电路(IC)，其包括第一管芯上的第一导电迹线、第二管芯上的第二导电迹线、以及使第一导电迹线与第二导电迹线电耦合的导电通路。第二管芯用互连而耦合至第一管芯。导电通路包括所述互连的位于接近第一管芯中的区域的外缘的位置处的部分，第一导电迹线不可通过该区域进行布线。在一些实施例中，导电通路远离该区域对电连接重新布线。在一些实施例中，该区域包括具有高布线密度的高拥塞区带。在其他实施例中，该区域包括“禁止布线”区带。
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公开(公告)号：CN114695279A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111346073.2
申请日：2021-11-15
Applicant: 英特尔公司
Inventor： F·艾德 , J·M·斯旺 , A·A·埃尔谢尔比尼 , S·M·利夫 , A·阿列克索夫
Abstract: 本文公开的是包括通过直接接合耦合在一起的微电子部件的微电子组件以及相关结构和技术。在一些实施例中，微电子组件可以包括：插入体；第一微电子部件，具有第一表面和相对的第二表面，第一表面通过第一直接接合区域耦合到插入体；第二微电子部件，具有第一表面和相对的第二表面，第一表面通过第二直接接合区域耦合到插入体；在插入体的表面上并且在第一和第二微电子部件周围的衬垫材料；在衬垫材料上并且在第一与第二微电子部件之间的无机填充材料；以及耦合到第一和第二微电子部件的第二表面的第三微电子部件。在一些实施例中，衬垫材料、无机填充材料和第三微电子部件的材料可以包括导热材料。
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公开(公告)号：CN114664781A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111391084.2
申请日：2021-11-23
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/488 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L23/13 , H01L21/60
Abstract: 本文描述了载体组件以及相关的设备和方法。在一些实施例中，一种载体组件包括：载体；纹理化材料，包括耦合到载体的纹理化微结构；以及微电子部件，机械地耦合到纹理化微结构。在一些实施例中，一种载体组件包括：载体，具有前侧和后侧；电极，在载体的前侧上；电介质材料，在电极上；充电触点，在后侧上且耦合到电极；以及微电子部件，静电地耦合到载体的前侧。在一些实施例中，一种载体组件包括：载体，具有前侧和后侧；电极，在前侧上；电介质材料，包括电极上的纹理化微结构；充电触点，在后侧上且耦合到多个电极；以及微电子部件，机械地和静电地耦合到载体的前侧。
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公开(公告)号：CN110034027A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811502258.6
申请日：2018-12-10
Applicant: 英特尔公司
Inventor： F·艾德 , S·科塔里 , C·M·杰哈 , J·M·斯旺 , M·J·贝克尔 , S·M·利夫 , T·L·索纳尔特 , B·K·加布雷希沃特 , S·德瓦塞纳提帕蒂 , T·盖恩斯 , D·A·拉奥拉内
IPC: H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/367 , H01L25/065
Abstract: 本文公开了一种半导体器件，其具有耦合至衬底的半导体管芯。模制化合物包封所述半导体管芯，并且至少一个导热材料区段从与所述半导体管芯相邻处延伸通过所述模制化合物。因而，所述至少一个导热材料区段通过所述模制化合物从所述半导体管芯运送热量。
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