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公开(公告)号：CN106164332A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201480076472.3
申请日：2014-03-27
Applicant: 英特尔公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/45553 , C23C16/18 , C23C16/482 , H01L21/0337 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76816 , H01L21/76879 , H01L21/76897 , H01L29/66795
Abstract: 描述了用于光辅助金属原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)的前体和工艺设计。在一个实例中，制造金属薄膜的方法涉及紧邻衬底之上或上方的表面引入前体分子，所述前体分子的每一个均包含被配体包围的一个或多个金属中心。所述方法还包括通过使用光辅助工艺从所述前体分子离解配体而在表面上沉积金属层。
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公开(公告)号：CN110024105B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201680091258.4
申请日：2016-12-31
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/768 , H01L27/06 , H01L21/02
Abstract: 在示例中，公开了一种集成电路，具有：具有电介质、第一导电互连和第二导电互连的第一层；具有第三导电互连的第二层；位于第一层和第二层之间以将第二导电互连电耦合到第三导电互连的导电过孔；以及垂直设置于第一层和第二层之间并被设置成防止过孔电短路到第一导电互连的抗蚀刻插塞。
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公开(公告)号：CN107004595B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201480083740.4
申请日：2014-12-24
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/308 , H01L21/311
Abstract: 描述了用于化学辅助图案化的光可界定的对准层和用于形成化学辅助图案化的光可界定的对准层的方案。本发明的实施例可以包括在包括转换组分的硬掩模之上设置化学增强抗蚀剂(CAR)材料。然后可以曝光所述CAR材料以形成经曝光的抗蚀剂部分。曝光可以在CAR材料的经曝光的部分中产生与转换组分相互作用的酸，以在经曝光的抗蚀剂部分下方形成硬掩模材料的改性区域。
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公开(公告)号：CN105556644A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201380079183.4
申请日：2013-09-27
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L23/528 , H01L21/28562 , H01L21/288 , H01L21/3105 , H01L21/31058 , H01L21/311 , H01L21/32 , H01L21/32051 , H01L21/321 , H01L21/76801 , H01L21/76816 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76849 , H01L21/76877 , H01L21/76897 , H01L23/5226 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种方法，所述方法的一方面包括通过借助于选择性的化学反应单独形成第一多个较薄层中的每个较薄层，来在具有第一表面材料的第一区域上方形成由第一材料构成的第一较厚层。该方法还包括限制第一多个较薄层中的每个较薄层在第二区域上方的侵蚀，该第二区域与第一区域相邻。在具有第二表面材料的第二区域上方形成由第二材料构成的第二较厚层，该第二表面材料与第一表面材料不同。
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公开(公告)号：CN115552598A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202180032640.9
申请日：2021-05-07
Applicant: 英特尔公司
Inventor： J·M·布莱克韦尔 , R·L·布里斯托尔 , X·陈 , L·E·多伊尔 , F·格瑟特莱恩 , E·韩 , B·J·霍利比 , M·克雷萨克 , T·迈赫迪 , R·E·申克尔 , G·辛格 , E·S·沃克
IPC: H01L23/485 , H01L23/535 , H01L23/538
Abstract: 本文所公开的是利用定向自组装进行微电子装置制造的结构和技术。例如，一种微电子结构可以包括：包括第一导电线和第二导电线的图案化区域，其中，所述第二导电线与所述第一导电线相邻；以及具有无序层状图案的无序区域，其中，所述无序区域与所述图案化区域共面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106164332B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201480076472.3
申请日：2014-03-27
Applicant: 英特尔公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/285
Abstract: 描述了用于光辅助金属原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)的前体和工艺设计。在一个实例中，制造金属薄膜的方法涉及紧邻衬底之上或上方的表面引入前体分子，所述前体分子的每一个均包含被配体包围的一个或多个金属中心。所述方法还包括通过使用光辅助工艺从所述前体分子离解配体而在表面上沉积金属层。
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公开(公告)号：CN108012561A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201580080204.3
申请日：2015-06-22
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76816 , H01L21/02126 , H01L21/02211 , H01L21/02282 , H01L21/02304 , H01L21/0335 , H01L21/76801 , H01L21/76808 , H01L21/76897 , H01L2224/16225
Abstract: 说明了用于后端工艺(BEOL)互连件的借助使用自底向上交联的电介质的图像色调反转。在示例中，一种包括金属化层的半导体结构，包括衬底上方的层间电介质(ILD)层中的多个沟槽。预催化剂层在多个沟槽中的一个或多个沟槽(但不是全部沟槽)的侧壁上。电介质材料的交联部分在多个沟槽中的一个或多个沟槽中靠近预催化剂层。导电结构在沟槽中的剩余沟槽中。
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公开(公告)号：CN108012561B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201580080204.3
申请日：2015-06-22
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768
Abstract: 说明了用于后端工艺(BEOL)互连件的借助使用自底向上交联的电介质的图像色调反转。在示例中，一种包括金属化层的半导体结构，包括衬底上方的层间电介质(ILD)层中的多个沟槽。预催化剂层在多个沟槽中的一个或多个沟槽(但不是全部沟槽)的侧壁上。电介质材料的交联部分在多个沟槽中的一个或多个沟槽中靠近预催化剂层。导电结构在沟槽中的剩余沟槽中。
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公开(公告)号：CN109997219A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201680091058.9
申请日：2016-12-23
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/033 , G03F1/22 , G03F7/20
Abstract: 描述了基于用于调制针对半导体结构制造的电桶敏感度的差异化硬掩模的方法，以及所得到的结构。在一个示例中，一种制造用于集成电路的互连结构的方法包括在形成于衬底上方的层间电介质(ILD)层上方形成硬掩模层。在所述硬掩模层上形成多个电介质间隔体。所述硬掩模层被构图为形成多个第一硬掩模部分。与第一硬掩模部分交替地形成多个第二硬掩模部分。在交替的所述第一硬掩模部分和所述第二硬掩模部分上以及在多个电介质隔离物之间的开口中形成多个电桶。多个电桶中的选定电桶被暴露于光刻曝光并去除以限定过孔位置的集合。
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公开(公告)号：CN109952637A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201680090571.6
申请日：2016-12-02
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/027
Abstract: 描述了用于后段工艺(BEOL)互连制造的表面对准光刻图案化方式和所得的结构。在示例中，一种集成电路结构包括衬底。多条交替的第一和第二导电线沿着衬底上方的第一层间电介质(ILD)层中的后段工艺(BEOL)金属化层的第一方向。导电过孔在多条交替的第一和第二导电线中的导电线之一上并与其电耦合，导电过孔在所述导电线之一之上居中。第二ILD层在多条交替的第一和第二导电线上方并在横向上与导电过孔相邻。第二ILD层具有与导电过孔的平坦顶表面基本共面的最上表面。
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