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公开(公告)号：CN115552598A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202180032640.9
申请日：2021-05-07
Applicant: 英特尔公司
Inventor： J·M·布莱克韦尔 , R·L·布里斯托尔 , X·陈 , L·E·多伊尔 , F·格瑟特莱恩 , E·韩 , B·J·霍利比 , M·克雷萨克 , T·迈赫迪 , R·E·申克尔 , G·辛格 , E·S·沃克
IPC: H01L23/485 , H01L23/535 , H01L23/538
Abstract: 本文所公开的是利用定向自组装进行微电子装置制造的结构和技术。例如，一种微电子结构可以包括：包括第一导电线和第二导电线的图案化区域，其中，所述第二导电线与所述第一导电线相邻；以及具有无序层状图案的无序区域，其中，所述无序区域与所述图案化区域共面。
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公开(公告)号：CN109997219B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201680091058.9
申请日：2016-12-23
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/033 , G03F1/22 , G03F7/20
Abstract: 描述了基于用于调制针对半导体结构制造的电桶敏感度的差异化硬掩模的方法，以及所得到的结构。在一个示例中，一种制造用于集成电路的互连结构的方法包括在形成于衬底上方的层间电介质(ILD)层上方形成硬掩模层。在所述硬掩模层上形成多个电介质间隔体。所述硬掩模层被构图为形成多个第一硬掩模部分。与第一硬掩模部分交替地形成多个第二硬掩模部分。在交替的所述第一硬掩模部分和所述第二硬掩模部分上以及在多个电介质隔离物之间的开口中形成多个电桶。多个电桶中的选定电桶被暴露于光刻曝光并去除以限定过孔位置的集合。
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公开(公告)号：CN110024105A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201680091258.4
申请日：2016-12-31
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/768 , H01L27/06 , H01L21/02
Abstract: 在示例中，公开了一种集成电路，具有：具有电介质、第一导电互连和第二导电互连的第一层；具有第三导电互连的第二层；位于第一层和第二层之间以将第二导电互连电耦合到第三导电互连的导电过孔；以及垂直设置于第一层和第二层之间并被设置成防止过孔电短路到第一导电互连的抗蚀刻插塞。
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公开(公告)号：CN110024105B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201680091258.4
申请日：2016-12-31
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/768 , H01L27/06 , H01L21/02
Abstract: 在示例中，公开了一种集成电路，具有：具有电介质、第一导电互连和第二导电互连的第一层；具有第三导电互连的第二层；位于第一层和第二层之间以将第二导电互连电耦合到第三导电互连的导电过孔；以及垂直设置于第一层和第二层之间并被设置成防止过孔电短路到第一导电互连的抗蚀刻插塞。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107004595B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201480083740.4
申请日：2014-12-24
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/308 , H01L21/311
Abstract: 描述了用于化学辅助图案化的光可界定的对准层和用于形成化学辅助图案化的光可界定的对准层的方案。本发明的实施例可以包括在包括转换组分的硬掩模之上设置化学增强抗蚀剂(CAR)材料。然后可以曝光所述CAR材料以形成经曝光的抗蚀剂部分。曝光可以在CAR材料的经曝光的部分中产生与转换组分相互作用的酸，以在经曝光的抗蚀剂部分下方形成硬掩模材料的改性区域。
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公开(公告)号：CN107004598B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201480083592.6
申请日：2014-12-23
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/28
Abstract: 公开了用于使在给定互连层内的选定过孔绝缘或电隔离的技术，所以导电布线可在那些选定隔离过孔之上跳过以到达在该同一层中的其它过孔或互连。这样的过孔阻挡层可按需要选择性地实现在给定互连内的任何数量的位置中。还提供用于形成过孔阻挡层的技术，包括第一方法，其使用牺牲钝化层来便于绝缘体材料的选择性沉积，该绝缘体材料形成过孔阻挡层；第二方法，其使用湿凹进聚合物制剂的旋涂来便于绝缘体材料的选择性沉积，该绝缘体材料形成过孔阻挡层；以及第三方法，其使用纳米粒子制剂的旋涂来便于绝缘体材料的选择性沉积，该绝缘体材料形成过孔阻挡层。避免了一般与共形沉积工艺相关联的有害的蚀刻工艺。
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公开(公告)号：CN109997219A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201680091058.9
申请日：2016-12-23
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/033 , G03F1/22 , G03F7/20
Abstract: 描述了基于用于调制针对半导体结构制造的电桶敏感度的差异化硬掩模的方法，以及所得到的结构。在一个示例中，一种制造用于集成电路的互连结构的方法包括在形成于衬底上方的层间电介质(ILD)层上方形成硬掩模层。在所述硬掩模层上形成多个电介质间隔体。所述硬掩模层被构图为形成多个第一硬掩模部分。与第一硬掩模部分交替地形成多个第二硬掩模部分。在交替的所述第一硬掩模部分和所述第二硬掩模部分上以及在多个电介质隔离物之间的开口中形成多个电桶。多个电桶中的选定电桶被暴露于光刻曝光并去除以限定过孔位置的集合。
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公开(公告)号：CN107004598A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201480083592.6
申请日：2014-12-23
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76807 , H01L21/76831 , H01L23/3171 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L2221/1031 , H01L2221/1063
Abstract: 公开了用于使在给定互连层内的选定过孔绝缘或电隔离的技术，所以导电布线可在那些选定隔离过孔之上跳过以到达在该同一层中的其它过孔或互连。这样的过孔阻挡层可按需要选择性地实现在给定互连内的任何数量的位置中。还提供用于形成过孔阻挡层的技术，包括第一方法，其使用牺牲钝化层来便于绝缘体材料的选择性沉积，该绝缘体材料形成过孔阻挡层；第二方法，其使用湿凹进聚合物制剂的旋涂来便于绝缘体材料的选择性沉积，该绝缘体材料形成过孔阻挡层；以及第三方法，其使用纳米粒子制剂的旋涂来便于绝缘体材料的选择性沉积，该绝缘体材料形成过孔阻挡层。避免了一般与共形沉积工艺相关联的有害的蚀刻工艺。
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公开(公告)号：CN107004595A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201480083740.4
申请日：2014-12-24
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/308 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/0271 , G03F7/0035 , G03F7/094 , G03F7/095 , G03F7/115 , H01L21/76801 , H01L21/76816 , H01L21/76897 , H01L23/528 , H01L2224/16225
Abstract: 描述了用于化学辅助图案化的光可界定的对准层和用于形成化学辅助图案化的光可界定的对准层的方案。本发明的实施例可以包括在包括转换组分的硬掩模之上设置化学增强抗蚀剂(CAR)材料。然后可以曝光所述CAR材料以形成经曝光的抗蚀剂部分。曝光可以在CAR材料的经曝光的部分中产生与转换组分相互作用的酸，以在经曝光的抗蚀剂部分下方形成硬掩模材料的改性区域。
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