公开(公告)号：CN104037161A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201310757213.4

申请日：2013-12-20

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·K·罗伊 ,  S·M·洛茨 ,  任纬伦

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/5386 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/13 ,  H01L23/145 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0655 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/2064 ,  H05K1/0313 ,  H05K1/141 ,  H05K1/142 ,  H05K1/181 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/467 ,  H05K2201/048 ,  H05K2201/049 ,  H05K2201/10522 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/016 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明描述了采用有机桥来允许多芯片互相连接的实施例。在一些实施例中，有机封装衬底具有嵌入式有机桥。有机桥可具有允许管芯的附件通过有机桥而互相连接的互连结构。在一些实施例中，有机桥包括金属布线层、金属焊盘层以及交错的有机聚合物介电层，但没有衬底层。仅有几层的实施例可被嵌入到有机封装衬底的顶层或者顶部的几层中。还描述了制造的方法。

公开(公告)号：CN114649290A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111374245.7

申请日：2021-11-19

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·杜贝 ,  G·阿拉凯雷 ,  D·库尔卡尼 ,  S·阿加阿拉姆 ,  任纬伦 ,  N·艾哈迈德 ,  K·加内桑 ,  A·D·贾达夫 ,  李圭伍

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 一种用于提高金属限定的焊盘的可靠性性能的新颖LGA架构。本文公开的实施例包括电子封装和形成这种电子封装的方法。在实施例中，电子封装包括具有管芯侧和连接盘侧的封装衬底。在实施例中，焊盘在连接盘侧上。在实施例中，电介质层覆盖焊盘的侧壁，并且表面精整部在焊盘的暴露表面之上。

公开(公告)号：CN111696978A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010161090.8

申请日：2020-03-10

Applicant: 英特尔公司

Inventor： H·哈里里 ,  A·P·阿卢尔 ,  任纬伦 ,  I·A·萨拉马

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 实施例包括半导体封装。半导体封装包括中介层上的第一贴片和第二贴片。半导体封装还包括第一贴片中的第一衬底和第二贴片中的第二衬底。半导体封装还包括在第一贴片和第二贴片之上和周围的包封层，在第一贴片、第二贴片和包封层上的多个堆积层，以及在堆积层上的多个管芯和电桥。电桥可以与第一贴片的第一衬底和第二贴片的第二衬底通信地耦合。该电桥可以是嵌入式多管芯互连电桥(EMIB)。第一衬底和第二衬底可以是EMIB和/或高密度封装(HDP)衬底。电桥可以位于两个管芯之间，并且位于第一贴片的边缘和第二贴片的边缘之上。

公开(公告)号：CN105374780B

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201510629023.3

申请日：2015-07-10

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·斯瓦米纳坦 ,  S·阿加阿拉姆 ,  A·P·阿卢尔 ,  R·维斯瓦纳思 ,  任纬伦

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开内容涉及具有包括处理层的窄因子过孔的电子封装。本公开内容总体上涉及电子封装以及方法，所述电子封装包括：导电焊盘、封装绝缘体层以及过孔，所述封装绝缘体层包括实质上非导电的材料，所述封装绝缘体层是实质上平坦的。所述过孔可以形成在所述封装绝缘体层内并且电耦合到所述导电焊盘。所述过孔可以包括导体和处理层，所述导体垂直延伸贯穿所述封装绝缘体层的至少部分并且具有接近所述导电焊盘的第一端部和与所述第一端部相对的第二端部，所述处理层被固定到所述导体的所述第二端部，所述处理层包括金复合物。

公开(公告)号：CN105518858B

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201480026806.6

申请日：2014-12-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 任纬伦 ,  P·贾殷 ,  D·塞纳维拉特纳 ,  C-M·陈

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 所公开的实施例包括用于半导体封装的多层衬底。衬底可以包括第一层，其具有第一侧面和第二侧面，所述第一侧面具有xy平面，并且所述第一侧面上的独立的位置具有在第一侧面xy平面之下的第一侧面距离，并且所述第二侧面具有第二侧面xy平面，并且所述第二侧面上的独立的位置可以具有在所述第二侧面xy平面之下的第二侧面距离；并且所述衬底包括第二层，其具有与所述第一层的所述第二侧面耦合的第一侧面以及与所述第二层的所述第一侧面相对的第二侧面，其中，所述第二层上的独立的位置处的所述第二层的厚度可以由所述第一侧面距离加上所述第二侧面距离组成。可以描述和/或要求其它实施例。

公开(公告)号：CN105518858A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480026806.6

申请日：2014-12-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 任纬伦 ,  P·贾殷 ,  D·塞纳维拉特纳 ,  C-M·陈

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H05K1/0271 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02035 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/036 ,  H05K1/0393 ,  H05K1/115 ,  H05K1/181 ,  H05K3/0014 ,  H05K3/0044 ,  H05K2201/0191 ,  H05K2201/05 ,  H05K2203/0278 ,  H05K2203/085 ,  H01L2924/00

Abstract: 所公开的实施例包括用于半导体封装的多层衬底。衬底可以包括第一层，其具有第一侧面和第二侧面，所述第一侧面具有xy平面，并且所述第一侧面上的独立的位置具有在第一侧面xy平面之下的第一侧面距离，并且所述第二侧面具有第二侧面xy平面，并且所述第二侧面上的独立的位置可以具有在所述第二侧面xy平面之下的第二侧面距离；并且所述衬底包括第二层，其具有与所述第一层的所述第二侧面耦合的第一侧面以及与所述第二层的所述第一侧面相对的第二侧面，其中，所述第二层上的独立的位置处的所述第二层的厚度可以由所述第一侧面距离加上所述第二侧面距离组成。可以描述和/或要求其它实施例。

公开(公告)号：CN104037161B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310757213.4

申请日：2013-12-20

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·K·罗伊 ,  S·M·洛茨 ,  任纬伦

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/5386 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/13 ,  H01L23/145 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0655 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/2064 ,  H05K1/0313 ,  H05K1/141 ,  H05K1/142 ,  H05K1/181 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/467 ,  H05K2201/048 ,  H05K2201/049 ,  H05K2201/10522 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/016 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明描述了采用有机桥来允许多芯片互相连接的实施例。在一些实施例中，有机封装衬底具有嵌入式有机桥。有机桥可具有允许管芯的附件通过有机桥而互相连接的互连结构。在一些实施例中，有机桥包括金属布线层、金属焊盘层以及交错的有机聚合物介电层，但没有衬底层。仅有几层的实施例可被嵌入到有机封装衬底的顶层或者顶部的几层中。还描述了制造的方法。

公开(公告)号：CN105374780A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510629023.3

申请日：2015-07-10

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·斯瓦米纳坦 ,  S·阿加阿拉姆 ,  A·P·阿卢尔 ,  R·维斯瓦纳思 ,  任纬伦

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K1/112 ,  H01L23/5381 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16165 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H05K1/09 ,  H05K1/113 ,  H05K1/185 ,  H05K3/243 ,  H05K3/244 ,  H05K3/4046 ,  H05K2201/09472 ,  H05K2201/10189 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046

Abstract: 本公开内容涉及具有包括处理层的窄因子过孔的电子封装。本公开内容总体上涉及电子封装以及方法，所述电子封装包括：导电焊盘、封装绝缘体层以及过孔，所述封装绝缘体层包括实质上非导电的材料，所述封装绝缘体层是实质上平坦的。所述过孔可以形成在所述封装绝缘体层内并且电耦合到所述导电焊盘。所述过孔可以包括导体和处理层，所述导体垂直延伸贯穿所述封装绝缘体层的至少部分并且具有接近所述导电焊盘的第一端部和与所述第一端部相对的第二端部，所述处理层被固定到所述导体的所述第二端部，所述处理层包括金复合物。