公开(公告)号：CN105518858B

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201480026806.6

申请日：2014-12-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 任纬伦 ,  P·贾殷 ,  D·塞纳维拉特纳 ,  C-M·陈

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 所公开的实施例包括用于半导体封装的多层衬底。衬底可以包括第一层，其具有第一侧面和第二侧面，所述第一侧面具有xy平面，并且所述第一侧面上的独立的位置具有在第一侧面xy平面之下的第一侧面距离，并且所述第二侧面具有第二侧面xy平面，并且所述第二侧面上的独立的位置可以具有在所述第二侧面xy平面之下的第二侧面距离；并且所述衬底包括第二层，其具有与所述第一层的所述第二侧面耦合的第一侧面以及与所述第二层的所述第一侧面相对的第二侧面，其中，所述第二层上的独立的位置处的所述第二层的厚度可以由所述第一侧面距离加上所述第二侧面距离组成。可以描述和/或要求其它实施例。

公开(公告)号：CN105518858A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480026806.6

申请日：2014-12-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 任纬伦 ,  P·贾殷 ,  D·塞纳维拉特纳 ,  C-M·陈

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H05K1/0271 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02035 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/036 ,  H05K1/0393 ,  H05K1/115 ,  H05K1/181 ,  H05K3/0014 ,  H05K3/0044 ,  H05K2201/0191 ,  H05K2201/05 ,  H05K2203/0278 ,  H05K2203/085 ,  H01L2924/00

Abstract: 所公开的实施例包括用于半导体封装的多层衬底。衬底可以包括第一层，其具有第一侧面和第二侧面，所述第一侧面具有xy平面，并且所述第一侧面上的独立的位置具有在第一侧面xy平面之下的第一侧面距离，并且所述第二侧面具有第二侧面xy平面，并且所述第二侧面上的独立的位置可以具有在所述第二侧面xy平面之下的第二侧面距离；并且所述衬底包括第二层，其具有与所述第一层的所述第二侧面耦合的第一侧面以及与所述第二层的所述第一侧面相对的第二侧面，其中，所述第二层上的独立的位置处的所述第二层的厚度可以由所述第一侧面距离加上所述第二侧面距离组成。可以描述和/或要求其它实施例。