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公开(公告)号：CN118474330A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202310085843.5
申请日：2023-02-07
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
IPC: H04N13/305
Abstract: 本申请涉及印刷技术领域，具体公开一种3D集成成像装置及其制备方法。3D集成成像装置包括立体结构层、间隔层及微透镜阵列，间隔层具有预设厚度，立体结构层设置于所述间隔层的一侧表面，所述立体结构层包括复数个微纳结构单元，微透镜阵列设置于所述间隔层远离所述立体结构层的一侧表面，微透镜阵列包括复数个微透镜，所述微纳结构单元与所述微透镜一一对应，所述微纳结构单元的正视图案为目标立体图像分层后，每层图像根据不同景深在所述微透镜下成像的图像的叠加。通过控制间隔层的厚度可以控制微透镜阵列的顶点到立体结构层之间的距离，进而控制像的景深，具有调节再现像的景深效果的功能。
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公开(公告)号：CN114913558A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110179851.7
申请日：2021-02-08
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请涉及的一种微透镜阵列成像组件的制备方法，包括：S1、提供微透镜阵列组件，微透镜阵列组件包括基底和形成在基底正面的若干微透镜单元，若干微透镜单元形成微透镜阵列；S2、在基底的背面制备若干遮光部，遮光部由挡光材料形成，遮光部正对微透镜单元的位置布置；S3、在正面涂覆黑色光阻材料，黑色光阻材料为负性感光材料；S4、对背面进行紫外泛曝光；S5、溶解去除涂覆在微透镜单元上的黑色光阻材料；S6、去除遮光部。本申请通过在基底的正面涂覆黑色光阻材料、在基底的背面精准的涂覆挡光材料,并在基底的背面进行紫外泛曝光，从而制备得到在微透镜单元的间隙上精确覆盖黑色光阻材料的高效率、高精度的微透镜阵列成像组件。
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公开(公告)号：CN114578463A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202011383383.7
申请日：2020-12-01
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州迈塔光电科技有限公司
IPC: G02B3/00 , G03F7/00 , G03F7/42 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种指纹识别微透镜成像组件的制备方法，包括：S1、提供微透镜阵列，在微透镜阵列表面涂覆正性光刻胶，正性光刻胶厚度大于微透镜阵列高度；S2、去除微透镜周围的正性光刻胶并保留微透镜上表面的正性光刻胶；S3、在正性光刻胶表面和微透镜的间隙处喷涂一层黑色光阻材料；S4、对黑色光阻材料紫外泛曝光；S5、将正性光刻胶及其表面的黑色光阻材料剥离，得到指纹识别微透镜成像组件。该加工方法简单，制备出位置精度高、遮光效果好的指纹识别微透镜成像组件，解决了对准套刻中识别精度和遮光效果之间的技术矛盾问题，可以选择吸光系数更大的黑色光阻实现增强成像分辨率和提高信噪比，同时又可以获得较高的对位精度。
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公开(公告)号：CN111999984B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910448289.6
申请日：2019-05-27
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开一种光刻方法，用于将待处理图形进行无掩模版的光刻，所述方法包括如下步骤：S1：将所述待处理图形进行K次拆分，形成K幅子图形；S2：预设分割宽度M，分别将K幅所述子图形按照所述预设分割宽度M切割成n条子条带；S3：将K幅所述子图形中形成的n条宽度为M的所述子条带进行重组，形成n条新条带；S4：光刻所述新条带，其中，每完成一条新条带光刻，步进一条所述子条带的宽度M，进行另一待处理的新条带光刻。通过将待处理图形拆分分割形成的n条子条带进行重组，实现子条带分辨率的增强，从而达到光刻分辨率增强的效果。
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公开(公告)号：CN113009705A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201911317253.0
申请日：2019-12-19
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种消除零级衍射影响的结构光组件，包括：激光光束；衍射光学器件，用于接收及扩束激光光束，并向图形面投射图案化光束；折射透镜，位于衍射光学器件的一侧，用于使图案化光束中的零级衍射光在图形面上形成背景光，并使图案化光束中的负一级衍射光或正一级衍射光在图形面上聚焦形成图案。本发明提供的消除零级衍射影响的结构光组件，将衍射器件和折射透镜相结合，入射激光从衍射器件出射到图形面之间没有聚焦点，既能使图形面上形成的图案更加清晰，也能对激光安全防护起到作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112799286A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201911115238.8
申请日：2019-11-14
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 一种三维微纳结构光刻系统，包括数字掩模装置、空间光调制器、投影物镜和旋转工作台，数字掩模装置与空间光调制器电性连接，投影物镜设置于空间光调制器与旋转工作台之间，旋转工作台用于固定待光刻的基片；数字掩模装置用以生成数字掩模，数字掩模包括图形曝光区，数字掩模装置将数字掩模上传至空间光调制器，空间光调制器用以显示数字掩模，空间光调制器发出的光经过图形曝光区后射向投影物镜，图形曝光区的高度与曝光剂量呈正比；投影物镜将图形光投影在基片上，旋转工作台驱使基片转动曝光。本发明的三维微纳结构光刻系统，结构简单、精度高、成本低、快速高效。本发明还涉及一种三维微纳结构光刻方法。
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公开(公告)号：CN112132948B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201910490271.2
申请日：2019-06-06
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本发明公开一种图像处理方法，该方法的具体步骤包括：S1：建成灰度模型图；S2：计算灰度模型图X方向的扫描线的集合；S3：计算X轴扫描线集合中每一条扫描线与灰度模型图的所有交点的坐标，并分组；S4：计算扫描线集合中相应区间的每一条扫描线的每一组交点内的所有像素点的物理高度；S5：转换各区间所有像素点的灰度值得到灰度位图。本发明还公开一种图像处理装置，设有上述图像处理方法；本发明还公开本发明还公开一种光刻系统，包括执行上述图像处理方法；本发明还公开一种计算机可读存储介质，包括储存上述图像处理方法。通过计算图像中每个像素点的灰度值，可以实现任一幅面具有立体浮雕效果的结构的图像处理。
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公开(公告)号：CN112987501B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201911303595.7
申请日：2019-12-17
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种直写光刻系统和直写光刻方法，其中直写光刻系统包括直写光源、运动机构、中央控制器、光斑图形输入装置以及投影光学装置；运动机构用于带动投影光学装置沿预设路径扫描，并用于发出参考点的位置数据；中央控制器用于根据位置数据读取光斑图形文件序列中对应的光斑图像数据；光斑图形输入装置用于根据光斑图像数据将直写光源提供的起始光束调制生成图形光；投影光学装置用于根据图形光向光刻件的表面投影出变形光斑，并在运动机构的带动下沿预设路径扫描，在扫描过程中光斑图像数据随位置数据而变化，形成预设的可控变形光斑。本发明的直写光刻系统和直写光刻方法实现了复杂表面三维形貌结构的无掩模灰度光刻，并提高了光刻精度和光刻效率。
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公开(公告)号：CN115220905A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110417075.X
申请日：2021-04-19
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
IPC: G06F9/50
Abstract: 本申请涉及一种直写光刻数据处理系统和方法，属于直写光刻数据处理技术领域，该方法包括：主控单元获取图形文件；根据图形文件进行数据分割，得到多个待处理数据；获取与主控单元通讯相连的多个处理单元的工作状态；并按照工作状态向处理单元分配多个待处理数据；处理单元在获取到待处理数据时，对待处理数据进行处理，得到处理后的数据；处理后的数据是光刻装置能够直接使用的数据；写入装置读取处理单元中的处理后的数据，将处理后的数据写入光刻装置，以使光刻装置按照处理后的数据进行光刻处理；可以解决现有数据处理方式的数据处理效率较低、可靠性较差的问题；可以实现多个处理单元同时处理同一图形文件，提高数据处理效率和可靠性。
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公开(公告)号：CN112799285B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201911115004.3
申请日：2019-11-14
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 一种三维微纳结构光刻系统，包括数字掩模装置、空间光调制器、投影物镜和工作台，其中：数字掩模装置与空间光调制器电性连接，投影物镜设置于空间光调制器与工作台之间，工作台用于固定待光刻的基片；数字掩模装置用以生成数字掩模，数字掩模包括图形曝光区，数字掩模装置将数字掩模上传至空间光调制器，空间光调制器用以显示数字掩模，光经过空间光调制器上的图形曝光区后射向投影物镜，图形曝光区的高度与曝光剂量呈正比；投影物镜将图形光投影在基片上，工作台驱使基片在平面内沿设定路径移动曝光电性。本发明的三维微纳结构光刻系统，结构简单、精度高、成本低、快速高效。本发明还涉及一种三维微纳结构光刻方法。
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