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公开(公告)号:CN118330993A
公开(公告)日:2024-07-12
申请号:CN202310034683.1
申请日:2023-01-10
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请提供一种多光学头并行的快速光刻系统及方法。所述系统包括:掩模版、基片及多个光学头,每个光学头包括光刻照明模组和掩模投影光学模组,光刻照明模组、掩模版、掩模投影光学模组及基片沿光路依次设置,掩模投影光学模组为反向成像模组,投影光斑为掩模版的照明光斑的放大、倒立的实像。整个系统通过多光学头并列放置的空间布局和光学投影成像尺寸的匹配,各个光学头可以并行扫描曝光,解决单个光学头视场有限的问题,原理上幅面不受限制,且本发明光路实施可行性高,可利用若干小尺寸掩模版拼接光刻实现大尺寸完整图形,易于加工实现,且降低生产应用成本。
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公开(公告)号:CN114913558A
公开(公告)日:2022-08-16
申请号:CN202110179851.7
申请日:2021-02-08
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请涉及的一种微透镜阵列成像组件的制备方法,包括:S1、提供微透镜阵列组件,微透镜阵列组件包括基底和形成在基底正面的若干微透镜单元,若干微透镜单元形成微透镜阵列;S2、在基底的背面制备若干遮光部,遮光部由挡光材料形成,遮光部正对微透镜单元的位置布置;S3、在正面涂覆黑色光阻材料,黑色光阻材料为负性感光材料;S4、对背面进行紫外泛曝光;S5、溶解去除涂覆在微透镜单元上的黑色光阻材料;S6、去除遮光部。本申请通过在基底的正面涂覆黑色光阻材料、在基底的背面精准的涂覆挡光材料,并在基底的背面进行紫外泛曝光,从而制备得到在微透镜单元的间隙上精确覆盖黑色光阻材料的高效率、高精度的微透镜阵列成像组件。
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公开(公告)号:CN114578463A
公开(公告)日:2022-06-03
申请号:CN202011383383.7
申请日:2020-12-01
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州迈塔光电科技有限公司
IPC: G02B3/00 , G03F7/00 , G03F7/42 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种指纹识别微透镜成像组件的制备方法,包括:S1、提供微透镜阵列,在微透镜阵列表面涂覆正性光刻胶,正性光刻胶厚度大于微透镜阵列高度;S2、去除微透镜周围的正性光刻胶并保留微透镜上表面的正性光刻胶;S3、在正性光刻胶表面和微透镜的间隙处喷涂一层黑色光阻材料;S4、对黑色光阻材料紫外泛曝光;S5、将正性光刻胶及其表面的黑色光阻材料剥离,得到指纹识别微透镜成像组件。该加工方法简单,制备出位置精度高、遮光效果好的指纹识别微透镜成像组件,解决了对准套刻中识别精度和遮光效果之间的技术矛盾问题,可以选择吸光系数更大的黑色光阻实现增强成像分辨率和提高信噪比,同时又可以获得较高的对位精度。
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公开(公告)号:CN114445516A
公开(公告)日:2022-05-06
申请号:CN202011201840.6
申请日:2020-11-02
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明涉及的磨砂效果的制备方法,包括:S1、采用图文处理软件通过随机点组合得到具有若干像素点的随机图案,像素点为方形点;S2、加入若干单点模板,用单点模板替换像素点,得到磨砂效果图案;S3、依据磨砂效果图案,在胶版上进行光刻得到磨砂效果。磨砂效果图案的随机点的形状更为多样化同时降低了设计的难度;光刻后的随机点之间相互独立,磨砂效果比较细腻,无颗粒感;胶版内具有凸起结构或凹陷结构的光滑槽型;且制备方法,操作简单,可得到不同磨砂通透感、层次感和渐消等磨砂效果。
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公开(公告)号:CN112269271B
公开(公告)日:2021-12-10
申请号:CN202011536267.4
申请日:2020-12-23
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G02B30/27
Abstract: 本发明提供一种裸眼三维显示装置,其包括:显示部件,其包括由多个显示单元阵列排布而成的显示单元阵列;和,视角调控器件,其包括由多个视角调控单元阵列排布而成的视角调控单元阵列,其中每个视角调控单元与多个显示单元相对应,所述显示单元被分为多组,每组显示单元发出的光线通过视角调控器件被汇聚为一个视角,不同组显示单元发出的光线通过视角调控器件被汇聚为不同视角,每组显示单元中的各个显示单元对应不同视角调控单元,每个视角调控单元对应的多个显示单元被分到不同组中。这样,可以实现在不同的视角下观看到的不同的三维显示效果,可再现全视差图像。
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公开(公告)号:CN106406061B
公开(公告)日:2021-11-19
申请号:CN201611033273.1
申请日:2016-11-16
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种体全息元件,其包括至少一像素化的信息层和至少一基材层,信息层设置于基材层上,或者信息层设置于相邻的两基材层之间;从体全息元件的剖面看,其信息层具有阵列分布的像素化的条纹面,每个像素内部的条纹面具有周期性,并且与基片平面具有夹角,每个像素为反射布拉格体光栅。本发明还公开了一种像素化反射体全息元件的制作方法和制作系统。本发明通过干涉光束调控、在体全息记录材料的感光层上进行像素化拼接曝光,经后续化学或物理处理,构成复杂光学参数的像素化的反射体全息光学元件。
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公开(公告)号:CN111999984B
公开(公告)日:2021-07-13
申请号:CN201910448289.6
申请日:2019-05-27
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开一种光刻方法,用于将待处理图形进行无掩模版的光刻,所述方法包括如下步骤:S1:将所述待处理图形进行K次拆分,形成K幅子图形;S2:预设分割宽度M,分别将K幅所述子图形按照所述预设分割宽度M切割成n条子条带;S3:将K幅所述子图形中形成的n条宽度为M的所述子条带进行重组,形成n条新条带;S4:光刻所述新条带,其中,每完成一条新条带光刻,步进一条所述子条带的宽度M,进行另一待处理的新条带光刻。通过将待处理图形拆分分割形成的n条子条带进行重组,实现子条带分辨率的增强,从而达到光刻分辨率增强的效果。
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公开(公告)号:CN113009705A
公开(公告)日:2021-06-22
申请号:CN201911317253.0
申请日:2019-12-19
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种消除零级衍射影响的结构光组件,包括:激光光束;衍射光学器件,用于接收及扩束激光光束,并向图形面投射图案化光束;折射透镜,位于衍射光学器件的一侧,用于使图案化光束中的零级衍射光在图形面上形成背景光,并使图案化光束中的负一级衍射光或正一级衍射光在图形面上聚焦形成图案。本发明提供的消除零级衍射影响的结构光组件,将衍射器件和折射透镜相结合,入射激光从衍射器件出射到图形面之间没有聚焦点,既能使图形面上形成的图案更加清晰,也能对激光安全防护起到作用。
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公开(公告)号:CN112799286A
公开(公告)日:2021-05-14
申请号:CN201911115238.8
申请日:2019-11-14
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 一种三维微纳结构光刻系统,包括数字掩模装置、空间光调制器、投影物镜和旋转工作台,数字掩模装置与空间光调制器电性连接,投影物镜设置于空间光调制器与旋转工作台之间,旋转工作台用于固定待光刻的基片;数字掩模装置用以生成数字掩模,数字掩模包括图形曝光区,数字掩模装置将数字掩模上传至空间光调制器,空间光调制器用以显示数字掩模,空间光调制器发出的光经过图形曝光区后射向投影物镜,图形曝光区的高度与曝光剂量呈正比;投影物镜将图形光投影在基片上,旋转工作台驱使基片转动曝光。本发明的三维微纳结构光刻系统,结构简单、精度高、成本低、快速高效。本发明还涉及一种三维微纳结构光刻方法。
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公开(公告)号:CN108790150B
公开(公告)日:2021-02-19
申请号:CN201710282261.0
申请日:2017-04-26
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: B29C64/129 , B29C64/321 , B29C64/214 , B29C64/245 , B29C64/264 , B29C64/386 , B29C64/393 , B33Y30/00 , B33Y40/00 , B33Y50/00 , B33Y50/02
Abstract: 一种3D打印系统,包括进料装置、打印平台和成像装置,进料装置包括透明传送带、第一供料罐和第一刮刀,第一供料罐可将打印材料排放在透明传送带上,第一刮刀的刀刃与透明传送带相对设置,第一刮刀可将打印材料涂刮平整,透明传送带可将打印材料运送至打印平台的表面,成像装置可产生照射打印材料的图案光,使打印材料在打印平台上固化为打印实体。本发明的3D打印系统能逐层涂覆打印材料,能实现多种材料混合打印,对生物应用具有极其重大的意义。本发明还涉及一种3D打印方法。
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