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公开(公告)号：CN102403328B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201110286464.X
申请日：2011-09-07
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/357
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/1469 , H01L2224/16225
Abstract: 本发明涉及具有改良噪声屏蔽的图像传感器。本发明公开一种图像传感器，其包含接合至载体晶片且包含用于摄取图像数据的像素阵列的器件晶片。信号线安置成邻近于该载体晶片的与该器件晶片相对的一侧，且金属噪声屏蔽层置于该像素阵列之下且在该器件晶片或该载体晶片的至少一个内以屏蔽该像素阵列使其免受自信号线发出的噪声。穿硅通孔(“TSV”)延伸穿过该载体晶片及该金属噪声屏蔽层且延伸至该器件晶片中以便耦合至该器件晶片内的电路。可通过高度掺杂该载体晶片和/或用低K介电材料覆盖该载体晶片的底侧来提供进一步的噪声屏蔽。
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公开(公告)号：CN102376732B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201110261316.2
申请日：2011-08-08
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14638
Abstract: 本发明涉及具有应力膜的背侧照明图像传感器。一种背侧照明(“BSI”)互补金属氧化物半导体(“CMOS”)图像传感器包括安置于半导体层内的感光区及应力调节层。该感光区对入射于该BSI？CMOS图像传感器的背侧上的光敏感以便收集图像电荷。该应力调节层安置于该半导体层的背侧上以建立促进光生电荷载流子朝该感光区迁移的应力特性。
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公开(公告)号：CN102177586A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200980140364.7
申请日：2009-08-17
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463
Abstract: 本发明公开一种彩色像素阵列，其包含第一(300A)、第(300B)与第三(300C)多个彩色像素，各彩色像素包含置于第一半导体层内的光敏区域(330)。在一项实施例中，将包含深掺杂区域(320)的第二半导体层(315)置于该第一半导体层下方。该深掺杂区域均驻存于第一多个彩色像素的一对应像素的下方，但不在该第二多个彩色像素与该第三多个彩色像素下方。在一项实施例中，将掩埋阱置于该第二多个彩色像素与该第三多个彩色像素之下，但不在该第一多个彩色像素下方。
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公开(公告)号：CN102164250A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110046568.3
申请日：2011-02-17
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/367
CPC classification number: H04N5/361 , H01L27/1461 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H04N5/3745
Abstract: 本发明公开一种能够进行黑电平校准的成像系统，该成像系统包括成像像素阵列、至少一个黑基准像素以及周边电路。该成像像素阵列包括各自经耦合以捕获图像数据的多个有效像素。该黑基准像素经耦合以产生用于校准该图像数据的黑基准信号。光透射层设置于包括该成像系统的像素阵列管芯的第一面上，且覆盖至少该成像像素阵列和黑基准像素。光屏蔽层设置于该像素阵列管芯的该第一面上，且覆盖光透射层的一部分和该黑基准像素而不覆盖该成像像素阵列。
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公开(公告)号：CN102148231B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201110008440.8
申请日：2011-01-06
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14614 , H01L27/1463
Abstract: 一种图像传感器像素包括经掺杂而具有第一导电型的衬底。第一外延层置于该衬底之上且经掺杂而亦具有该第一导电型。转移晶体管栅极形成于该第一外延层上。外延生长的光传感器区域置于该第一外延层中且具有第二导电型。该外延生长的光传感器区域包括在转移晶体管栅极的一部分下延伸的延伸区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102177586B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN200980140364.7
申请日：2009-08-17
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463
Abstract: 本发明公开一种彩色像素阵列，其包含第一(300A)、第(300B)与第三(300C)多个彩色像素，各彩色像素包含置于第一半导体层内的光敏区域(330)。在一项实施例中，将包含深掺杂区域(320)的第二半导体层(315)置于该第一半导体层下方。该深掺杂区域均驻存于第一多个彩色像素的一对应像素的下方，但不在该第二多个彩色像素与该第三多个彩色像素下方。在一项实施例中，将掩埋阱置于该第二多个彩色像素与该第三多个彩色像素之下，但不在该第一多个彩色像素下方。
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公开(公告)号：CN102214610B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201110096075.0
申请日：2011-04-01
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L21/266 , H01L27/144 , H01L29/36 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L21/26586 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H04N5/378
Abstract: 本发明涉及一种具有渐变式光电检测器注入的高全阱容量像素，本发明提供一种用于通过掺杂剂注入而形成CMOS像素中的光电检测器区的工序实施例，该工序包含：掩模衬底表面的光电检测器区域以用于形成该光电检测器区；以多个扭转角定位该衬底；且在该多个扭转角中的每一角度下，以选定倾斜角将掺杂剂导向该光电检测器区。CMOS像素的实施例包含：光电检测器区，其形成在衬底中，该光电检测器区包含重迭的第一掺杂剂注入区及第二掺杂剂注入区，其中该重迭区具有不同于该第一注入区及该第二注入区的非重迭部分的掺杂剂浓度；浮动扩散体，其形成在该衬底中；以及传输栅，其形成在该衬底上在该光电检测器与该传输栅之间。揭示并要求保护其它实施例。
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公开(公告)号：CN102376732A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110261316.2
申请日：2011-08-08
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14638
Abstract: 本发明涉及具有应力膜的背侧照明图像传感器。一种背侧照明(“BSI”)互补金属氧化物半导体(“CMOS”)图像传感器包括安置于半导体层内的感光区及应力调节层。该感光区对入射于该BSI CMOS图像传感器的背侧上的光敏感以便收集图像电荷。该应力调节层安置于该半导体层的背侧上以建立促进光生电荷载流子朝该感光区迁移的应力特性。
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公开(公告)号：CN102217069A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200980145870.5
申请日：2009-11-11
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14605 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14683 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开一种具有改良的角度响应的背面照射式成像像素(400)，其包含具有前表面(207)及背表面(209)的半导体层。该成像像素还包含形成在该半导体层中的光电二极管区。该光电二极管区包含第一n-区(210)及第二n-区(215)。该第一n-区具有投射在该半导体层的前表面与背表面之间的中心线(213)。该第二n-区置于该第一n-区与该半导体层的背表面之间，以使该第二n-区自该第一n-区的中心线偏移。
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公开(公告)号：CN102214610A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110096075.0
申请日：2011-04-01
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L21/266 , H01L27/144 , H01L29/36 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L21/26586 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H04N5/378
Abstract: 本发明涉及一种具有渐变式光电检测器注入的高全阱容量像素，本发明提供一种用于通过掺杂剂注入而形成CMOS像素中的光电检测器区的工序实施例，该工序包含：掩模衬底表面的光电检测器区域以用于形成该光电检测器区；以多个扭转角定位该衬底；且在该多个扭转角中的每一角度下，以选定倾斜角将掺杂剂导向该光电检测器区。CMOS像素的实施例包含：光电检测器区，其形成在衬底中，该光电检测器区包含重迭的第一掺杂剂注入区及第二掺杂剂注入区，其中该重迭区具有不同于该第一注入区及该第二注入区的非重迭部分的掺杂剂浓度；浮动扩散体，其形成在该衬底中；以及传输栅，其形成在该衬底上在该光电检测器与该传输栅之间。揭示并要求保护其它实施例。
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