公开(公告)号：CN102446943B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201110308295.5

申请日：2011-09-29

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 顾克强 ,  刘家颖 ,  戴幸志 ,  V·韦内齐亚

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14698

Abstract: 一种制造背照式像素的方法。该方法包括在基板的正面上或正面中形成像素的正面组件，正面组件包括具有第一极性的感光区。该方法进一步包括在该基板的背面上形成具有第二极性的纯掺杂剂区、将激光脉冲施加至该基板的背面以熔化该纯掺杂剂区，并且使该纯掺杂剂区再结晶化以形成背面掺杂层。也揭示并主张了对应的装置实施例。

公开(公告)号：CN102148231B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201110008440.8

申请日：2011-01-06

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 顾克强 ,  刘家颖 ,  戴幸志 ,  V·韦内齐亚 ,  钱胤 ,  D·毛

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14607 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/1463

Abstract: 一种图像传感器像素包括经掺杂而具有第一导电型的衬底。第一外延层置于该衬底之上且经掺杂而亦具有该第一导电型。转移晶体管栅极形成于该第一外延层上。外延生长的光传感器区域置于该第一外延层中且具有第二导电型。该外延生长的光传感器区域包括在转移晶体管栅极的一部分下延伸的延伸区域。

公开(公告)号：CN102446943A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110308295.5

申请日：2011-09-29

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 顾克强 ,  刘家颖 ,  戴幸志 ,  V·韦内齐亚

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14698

Abstract: 一种制造背照式像素的方法。该方法包括在基板的正面上或正面中形成像素的正面组件，正面组件包括具有第一极性的感光区。该方法进一步包括在该基板的背面上形成具有第二极性的纯掺杂剂区、将激光脉冲施加至该基板的背面以熔化该纯掺杂剂区，并且使该纯掺杂剂区再结晶化以形成背面掺杂层。也揭示并主张了对应的装置实施例。

公开(公告)号：CN102148231A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110008440.8

申请日：2011-01-06

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 顾克强 ,  刘家颖 ,  戴幸志 ,  V·韦内齐亚 ,  钱胤 ,  D·毛

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14607 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/1463

Abstract: 一种图像传感器像素包括经掺杂而具有第一导电型的衬底。第一外延层置于该衬底之上且经掺杂而亦具有该第一导电型。转移晶体管栅极形成于该第一外延层上。外延生长的光传感器区域置于该第一外延层中且具有第二导电型。该外延生长的光传感器区域包括在转移晶体管栅极的一部分下延伸的延伸区域。