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公开(公告)号：CN102376732B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201110261316.2
申请日：2011-08-08
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14638
Abstract: 本发明涉及具有应力膜的背侧照明图像传感器。一种背侧照明(“BSI”)互补金属氧化物半导体(“CMOS”)图像传感器包括安置于半导体层内的感光区及应力调节层。该感光区对入射于该BSI？CMOS图像传感器的背侧上的光敏感以便收集图像电荷。该应力调节层安置于该半导体层的背侧上以建立促进光生电荷载流子朝该感光区迁移的应力特性。
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公开(公告)号：CN101978498B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200880126436.8
申请日：2008-12-17
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14687 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供一种像素阵列，其是使用基板形成的，该基板具有前侧及用于接收入射光的背侧。各个像素通常包含金属化层、感光区域及沟槽，这种金属化层被包含在该基板的前侧中，该感光区域是形成于该基板的后侧中，该沟槽围绕该基板的后侧中的感光区域而形成。该沟槽造成入射光被导引远离该沟槽并朝向该感光区域。
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公开(公告)号：CN102017148B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200880126427.9
申请日：2008-12-24
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/1464 , H01L27/14643
Abstract: 本发明提供一种背面受光成像传感器，其包含半导体层、金属互连层及硅化物光反射层。半导体层具有正面及背面。包含光电二极管区域的成像像素形成在半导体层内。金属互连层被电耦合至光电二极管区域，且硅化物光反射层被耦合在金属互连层与半导体层的正面之间。操作中，光电二极管区域接收来自半导体层的背面的光，其中所接收光的一部分透过光电二极管区域传播至硅化物光反射层。该硅化物光反射层是经配置以反射来自光电二极管区域的所接收光部分。
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公开(公告)号：CN102177586A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200980140364.7
申请日：2009-08-17
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463
Abstract: 本发明公开一种彩色像素阵列，其包含第一(300A)、第(300B)与第三(300C)多个彩色像素，各彩色像素包含置于第一半导体层内的光敏区域(330)。在一项实施例中，将包含深掺杂区域(320)的第二半导体层(315)置于该第一半导体层下方。该深掺杂区域均驻存于第一多个彩色像素的一对应像素的下方，但不在该第二多个彩色像素与该第三多个彩色像素下方。在一项实施例中，将掩埋阱置于该第二多个彩色像素与该第三多个彩色像素之下，但不在该第一多个彩色像素下方。
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公开(公告)号：CN102164250A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110046568.3
申请日：2011-02-17
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/367
CPC classification number: H04N5/361 , H01L27/1461 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H04N5/3745
Abstract: 本发明公开一种能够进行黑电平校准的成像系统，该成像系统包括成像像素阵列、至少一个黑基准像素以及周边电路。该成像像素阵列包括各自经耦合以捕获图像数据的多个有效像素。该黑基准像素经耦合以产生用于校准该图像数据的黑基准信号。光透射层设置于包括该成像系统的像素阵列管芯的第一面上，且覆盖至少该成像像素阵列和黑基准像素。光屏蔽层设置于该像素阵列管芯的该第一面上，且覆盖光透射层的一部分和该黑基准像素而不覆盖该成像像素阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102017148A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200880126427.9
申请日：2008-12-24
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/1464 , H01L27/14643
Abstract: 本发明提供一种背面受光成像传感器，其包含半导体层、金属互连层及硅化物光反射层。半导体层具有正面及背面。包含光电二极管区域的成像像素形成在半导体层内。金属互连层被电耦合至光电二极管区域，且硅化物光反射层被耦合在金属互连层与半导体层的正面之间。操作中，光电二极管区域接收来自半导体层的背面的光，其中所接收光的一部分透过光电二极管区域传播至硅化物光反射层。该硅化物光反射层是经配置以反射来自光电二极管区域的所接收光部分。
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公开(公告)号：CN103430311B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN200980104591.4
申请日：2009-02-02
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685
Abstract: 本发明是关于一种成像传感器像素阵列，其包含：半导体基板；多个有源像素；及至少一个黑色参考像素(500)。多个有源像素是设置在该半导体基板(505)中用于捕获一图像。每一个有源像素包含用于接收光的第一区域，该第一区域包含用于累积图像电荷的p-n结；及耦合至该第一区域以读出该图像电荷的有源像素电路。该黑色参考像素亦是设置在该半导体基板中用于产生黑色电平参考值。该黑色参考像素包含：用于接收光的第二区域(521)，该第二区域没有p-n结；及黑色像素电路(TX，RST，SF，SEL)，该黑色像素电路耦合至无该p-n结的该光电二极管区域(521)以读出黑色电平参考信号。
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公开(公告)号：CN102544035B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201110392612.6
申请日：2011-11-23
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14687
Abstract: 本发明涉及使用切割道蚀刻的晶圆切片。本发明提供用于自具有第一侧及第二侧的晶圆分开管芯的方法的实施例。该制程实施例包括遮蔽该晶圆的该第一侧，该掩模在其中包括开口以暴露该第一侧的与该晶圆的切割道实质上对准的部分。该制程实施例亦包括自该晶圆的该第一侧的这些暴露部分开始蚀刻，直至在该第一侧与该第二侧之间的中间位置为止，及锯切该晶圆的其余部分，该锯切自该中间位置开始直至到达该第二表面。
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公开(公告)号：CN102074567B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201010564504.8
申请日：2010-11-16
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/528 , H01L23/495 , H01L23/48
CPC classification number: H01L24/05 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14683 , H01L2224/02165 , H01L2224/04042 , H01L2224/05093 , H01L2224/05096 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05684 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327
Abstract: 一种具有强化垫结构的背面照明成像传感器，包括：器件层、金属叠层、开口及框架。该器件层具有形成于该器件层的正面中的成像阵列，且该成像阵列调适成从该器件层的背面接收光。该金属叠层耦合至该器件层的正面，其中该金属叠层包括具有金属垫的至少一个金属互连层。开口从器件层的背面延伸至金属垫以暴露金属垫来用于引线接合。框架置于开口内以在结构上强化金属垫。
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公开(公告)号：CN101939839B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200880126428.3
申请日：2008-12-23
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/1464 , H01L27/14649 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供一种背面受光成像传感器，其包括具有P-型区的半导体层。正面及背面P+掺杂层形成于该半导体层内。具有光电二极管的成像像素形成于该半导体层内，其中该光电二极管是在该半导体层的P-型区内、于该正面P+掺杂层与该背面P+层之间形成的N-区。
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