公开(公告)号：CN102572326A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110375210.5

申请日：2011-11-08

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 代铁军 ,  王睿 ,  李正宇 ,  杨育昇 ,  瞿旻 ,  莫要武 ,  丁少敏 ,  张光斌

IPC: H04N5/378 ,  H04N5/357

CPC classification number: H04N5/378 ,  H04N5/3742

Abstract: 一种图像传感器包括组织成像素阵列的行和列的多个像素单元。位线耦合至该像素阵列的一排内的像素单元中的每一个。读出电路耦合至该位线以从该排内的像素单元读出图像数据。该读出电路包括：排放大器，其耦合至该位线以放大该图像数据；以及第一取样及转换电路和第二取样及转换电路，第一取样及转换电路和第二取样及转换电路并联地耦合至该排放大器的输出以交互地且同时地取样该图像数据且将该图像数据从模拟值转换成数字值。

公开(公告)号：CN102403328A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110286464.X

申请日：2011-09-07

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 杨征 ,  李正宇 ,  代铁军 ,  钱胤

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/357

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/16225

Abstract: 本发明涉及具有改良噪声屏蔽的图像传感器。本发明公开一种图像传感器，其包含接合至载体晶片且包含用于摄取图像数据的像素阵列的器件晶片。信号线安置成邻近于该载体晶片的与该器件晶片相对的一侧，且金属噪声屏蔽层置于该像素阵列之下且在该器件晶片或该载体晶片的至少一个内以屏蔽该像素阵列使其免受自信号线发出的噪声。穿硅通孔(“TSV”)延伸穿过该载体晶片及该金属噪声屏蔽层且延伸至该器件晶片中以便耦合至该器件晶片内的电路。可通过高度掺杂该载体晶片和/或用低K介电材料覆盖该载体晶片的底侧来提供进一步的噪声屏蔽。

公开(公告)号：CN102403328B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201110286464.X

申请日：2011-09-07

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 杨征 ,  李正宇 ,  代铁军 ,  钱胤

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/357

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/16225

Abstract: 本发明涉及具有改良噪声屏蔽的图像传感器。本发明公开一种图像传感器，其包含接合至载体晶片且包含用于摄取图像数据的像素阵列的器件晶片。信号线安置成邻近于该载体晶片的与该器件晶片相对的一侧，且金属噪声屏蔽层置于该像素阵列之下且在该器件晶片或该载体晶片的至少一个内以屏蔽该像素阵列使其免受自信号线发出的噪声。穿硅通孔(“TSV”)延伸穿过该载体晶片及该金属噪声屏蔽层且延伸至该器件晶片中以便耦合至该器件晶片内的电路。可通过高度掺杂该载体晶片和/或用低K介电材料覆盖该载体晶片的底侧来提供进一步的噪声屏蔽。

公开(公告)号：CN102572326B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201110375210.5

申请日：2011-11-08

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 代铁军 ,  王睿 ,  李正宇 ,  杨育昇 ,  瞿旻 ,  莫要武 ,  丁少敏 ,  张光斌

IPC: H04N5/378 ,  H04N5/357

CPC classification number: H04N5/378 ,  H04N5/3742

Abstract: 一种图像传感器包括组织成像素阵列的行和列的多个像素单元。位线耦合至该像素阵列的一排内的像素单元中的每一个。读出电路耦合至该位线以从该排内的像素单元读出图像数据。该读出电路包括：排放大器，其耦合至该位线以放大该图像数据；以及第一取样及转换电路和第二取样及转换电路，第一取样及转换电路和第二取样及转换电路并联地耦合至该排放大器的输出以交互地且同时地取样该图像数据且将该图像数据从模拟值转换成数字值。