图像传感器的部分行读出

    公开(公告)号:CN102067585B

    公开(公告)日:2013-06-19

    申请号:CN200980123096.8

    申请日:2009-06-01

    Inventor: 代铁军

    Abstract: 图像传感器包括滤色器阵列、检测放大器、多路复用电路和输出端。滤色器阵列使用M列和N行像素阵列来采集图像数据。检测放大器耦合于滤色器阵列以从滤色器阵列读出图像数据。多路复用电路将检测放大器耦合于滤色器阵列,其中每个检测放大器跨多个列和多个行作分时。输出端耦合以从检测放大器接收图像数据并离片地输出图像数据。

    图像传感器的部分行读出

    公开(公告)号:CN102067585A

    公开(公告)日:2011-05-18

    申请号:CN200980123096.8

    申请日:2009-06-01

    Inventor: 代铁军

    Abstract: 图像传感器包括滤色器阵列、检测放大器、多路复用电路和输出端。滤色器阵列使用M列和N行像素阵列来采集图像数据。检测放大器耦合于滤色器阵列以从滤色器阵列读出图像数据。多路复用电路将检测放大器耦合于滤色器阵列,其中每个检测放大器跨多个列和多个行作分时。输出端耦合以从检测放大器接收图像数据并离片地输出图像数据。

    具有改良噪声屏蔽的图像传感器

    公开(公告)号:CN102403328B

    公开(公告)日:2015-04-22

    申请号:CN201110286464.X

    申请日:2011-09-07

    Abstract: 本发明涉及具有改良噪声屏蔽的图像传感器。本发明公开一种图像传感器,其包含接合至载体晶片且包含用于摄取图像数据的像素阵列的器件晶片。信号线安置成邻近于该载体晶片的与该器件晶片相对的一侧,且金属噪声屏蔽层置于该像素阵列之下且在该器件晶片或该载体晶片的至少一个内以屏蔽该像素阵列使其免受自信号线发出的噪声。穿硅通孔(“TSV”)延伸穿过该载体晶片及该金属噪声屏蔽层且延伸至该器件晶片中以便耦合至该器件晶片内的电路。可通过高度掺杂该载体晶片和/或用低K介电材料覆盖该载体晶片的底侧来提供进一步的噪声屏蔽。

    具有减少的列固定图案噪声的成像传感器

    公开(公告)号:CN102238345A

    公开(公告)日:2011-11-09

    申请号:CN201010258868.3

    申请日:2010-08-18

    Inventor: 张光斌 代铁军

    CPC classification number: H04N5/3658 H04N5/335 H04N5/3575 H04N5/3745

    Abstract: 本发明提供了一种具有减少的列固定图案噪声的成像传感器。该具有减少的列固定图案噪声的成像传感器包括多个成像像素和列采样电路。多个成像像素配置于一列中,并且列采样电路耦合至该列。多个采样通道包含于列采样电路中,其中列采样电路从多个采样通道中随机选择第一采样通道以采样来自包含于多个成像像素中的一像素的第一数据信号,且其中列采样电路从多个采样通道中随机选择第二采样通道以采样来自该像素的第二数据信号。

Patent Agency Ranking