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公开(公告)号：CN102067585B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN200980123096.8
申请日：2009-06-01
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
Inventor： 代铁军
IPC: H04N5/378 , H04N5/3745
CPC classification number: H04N9/045 , H04N5/3452 , H04N5/3742 , H04N5/378 , H04N2209/045
Abstract: 图像传感器包括滤色器阵列、检测放大器、多路复用电路和输出端。滤色器阵列使用M列和N行像素阵列来采集图像数据。检测放大器耦合于滤色器阵列以从滤色器阵列读出图像数据。多路复用电路将检测放大器耦合于滤色器阵列，其中每个检测放大器跨多个列和多个行作分时。输出端耦合以从检测放大器接收图像数据并离片地输出图像数据。
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公开(公告)号：CN101939841B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200980104585.9
申请日：2009-02-02
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14641
Abstract: 本发明是关于一种背侧照明(BSI)成像传感器像素(400)，其包括：光电二极管(420)区域；及像素电路(430)。该光电二极管区域被布置在半导体管芯中，用于响应于入射在该BSI成像传感器像素的背侧上的光而累积图像电荷。该像素电路包含晶体管像素电路，该像素电路是布置在该半导体管芯的前侧与该光电二极管区域之间的该半导体管芯中。该像素电路的至少一部分与该光电二极管区域重迭。
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公开(公告)号：CN102376730A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110245139.9
申请日：2011-08-18
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/148 , H01L27/14601 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14616 , H01L29/1079 , H01L29/1083 , H01L29/66537 , H01L2924/12043
Abstract: 本发明涉及嵌入传送栅。本文所公开的图像传感器像素包括：半导体层、用于累积光生电荷的感光区、浮动节点、沟槽及嵌入传送栅。该感光区及该沟槽安置于该半导体层内。该沟槽延伸至该半导体层中、介于该感光区与该浮动节点之间，且该嵌入传送栅安置于该沟槽内以控制该光生电荷自该感光区至该浮动节点的传送。
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公开(公告)号：CN102067585A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200980123096.8
申请日：2009-06-01
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
Inventor： 代铁军
IPC: H04N5/378 , H04N5/3745
CPC classification number: H04N9/045 , H04N5/3452 , H04N5/3742 , H04N5/378 , H04N2209/045
Abstract: 图像传感器包括滤色器阵列、检测放大器、多路复用电路和输出端。滤色器阵列使用M列和N行像素阵列来采集图像数据。检测放大器耦合于滤色器阵列以从滤色器阵列读出图像数据。多路复用电路将检测放大器耦合于滤色器阵列，其中每个检测放大器跨多个列和多个行作分时。输出端耦合以从检测放大器接收图像数据并离片地输出图像数据。
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公开(公告)号：CN101997016A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010250961.X
申请日：2010-08-09
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14616
Abstract: 本发明涉及具有含多个沟道子区域的传输栅极的图像传感器，并公开了一种图像传感器像素，其包括光敏元件、浮动扩散区域及传输晶体管沟道区域。传输晶体管沟道区域布置于感光区域与浮动扩散区域之间。传输晶体管沟道区域包括具有第一掺杂浓度的第一沟道子区域及具有第二掺杂浓度的第二沟道子区域，第二掺杂浓度不同于第一掺杂浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101868968A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200880116692.9
申请日：2008-11-05
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H04N5/235
CPC classification number: H04N5/14 , H01L31/1105 , H04N5/144 , H04N5/235 , H04N5/2357 , H04N5/3765
Abstract: 一种用于测量光源的电源频率的装置包括：光敏晶体管、调制器及逻辑单元。该光敏晶体管产生响应于来自该光源的入射于其上的光的电信号。该调制器基于该电信号产生调制信号，该调制信号以与该光源的电源频率实质上成比例的速率切换。该逻辑单元被耦合用以接收该调制信号，并确定其切换频率。
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公开(公告)号：CN102403328B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201110286464.X
申请日：2011-09-07
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/357
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/1469 , H01L2224/16225
Abstract: 本发明涉及具有改良噪声屏蔽的图像传感器。本发明公开一种图像传感器，其包含接合至载体晶片且包含用于摄取图像数据的像素阵列的器件晶片。信号线安置成邻近于该载体晶片的与该器件晶片相对的一侧，且金属噪声屏蔽层置于该像素阵列之下且在该器件晶片或该载体晶片的至少一个内以屏蔽该像素阵列使其免受自信号线发出的噪声。穿硅通孔(“TSV”)延伸穿过该载体晶片及该金属噪声屏蔽层且延伸至该器件晶片中以便耦合至该器件晶片内的电路。可通过高度掺杂该载体晶片和/或用低K介电材料覆盖该载体晶片的底侧来提供进一步的噪声屏蔽。
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公开(公告)号：CN101939982B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200980104572.1
申请日：2009-01-27
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H04N5/335 , H04N5/3745 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/335 , H01L27/14609 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H04N5/3745
Abstract: 本发明是关于一种背侧照明成像传感器像素，其包含光电二极管区域、像素电路区域和储存电容器。该光电二极管区域被设置在半导体管芯内用于累积图像电荷。该像素电路区域被设置在该半导体管芯上在该半导体管芯的前侧与该光电二极管区域之间。该像素电路区域与该光电二极管区域的至少一部分重迭。该储存电容器被包含在与该光电二极管区域重迭的该像素电路区域内且被选择性地耦合到该光电二极管区域以暂时储存在其上累积的图像电荷。
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公开(公告)号：CN102238345A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010258868.3
申请日：2010-08-18
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
CPC classification number: H04N5/3658 , H04N5/335 , H04N5/3575 , H04N5/3745
Abstract: 本发明提供了一种具有减少的列固定图案噪声的成像传感器。该具有减少的列固定图案噪声的成像传感器包括多个成像像素和列采样电路。多个成像像素配置于一列中，并且列采样电路耦合至该列。多个采样通道包含于列采样电路中，其中列采样电路从多个采样通道中随机选择第一采样通道以采样来自包含于多个成像像素中的一像素的第一数据信号，且其中列采样电路从多个采样通道中随机选择第二采样通道以采样来自该像素的第二数据信号。
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公开(公告)号：CN102572326B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201110375210.5
申请日：2011-11-08
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
CPC classification number: H04N5/378 , H04N5/3742
Abstract: 一种图像传感器包括组织成像素阵列的行和列的多个像素单元。位线耦合至该像素阵列的一排内的像素单元中的每一个。读出电路耦合至该位线以从该排内的像素单元读出图像数据。该读出电路包括：排放大器，其耦合至该位线以放大该图像数据；以及第一取样及转换电路和第二取样及转换电路，第一取样及转换电路和第二取样及转换电路并联地耦合至该排放大器的输出以交互地且同时地取样该图像数据且将该图像数据从模拟值转换成数字值。
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