公开(公告)号：CN107611150B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201710719643.5

申请日：2014-03-03

Applicant: 豪威科技股份有限公司

Inventor： 柳政澔 ,  真锅宗平

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14605 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645

Abstract: 一种用于高动态范围图像传感器的图像传感器像素包含第一光电二极管及第二光电二极管。所述第一光电二极管包含第一经掺杂区、第一经轻掺杂区及安置于所述第一经掺杂区与所述第一经轻掺杂区之间的第一经高掺杂区。所述第二光电二极管具有实质上等于所述第一光电二极管的第一全阱容量的第二全阱容量。所述第二光电二极管包含第二经掺杂区、第二经轻掺杂区及安置于所述第二经掺杂区与所述第二经轻掺杂区之间的第二经高掺杂区。所述第一光电二极管可用于测量低光且所述第二光电二极管可用于测量亮光。

公开(公告)号：CN109659329A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201910072333.8

申请日：2019-01-25

Applicant: 上海晔芯电子科技有限公司

Inventor： 徐辰 ,  王欣 ,  莫要武 ,  邵泽旭

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/3745

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/37457

Abstract: 本发明提供一种具有共享结构像素布局的图像传感器，所述图像传感器包括由多个按行和列设置的共享像素单元构成的像素阵列。所述共享像素单元包括第一感光单元和第二感光单元，其共享复位晶体管，浮动扩散点，源极跟随晶体管，还可以包括一行选择晶体管。所述浮动扩散点设置于所述第一感光单元和所述第二感光单元结构所形成的开口处，所述源极跟随晶体管面向所述开口设置；所述行选择晶体管设置于所述共享单元的角部位置。本发明提供的图像传感器结构布局紧凑，所述源极跟随晶体管靠近所述浮动扩散点，能有效降低所述浮动扩散点电容，提升像素电路的转换增益。

公开(公告)号：CN109326618A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201810768586.4

申请日：2018-07-13

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 平濑顺司 ,  高见义则 ,  山田翔太 ,  佐藤好弘 ,  佐藤嘉晃

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14806 ,  H04N5/3575 ,  H04N5/363 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/378 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14812

Abstract: 提供能够减少暗电流及暗电流的偏差的摄像装置。摄像装置具备：半导体基板；以及像素，位于所述半导体基板的表面，所述半导体基板包含：第一区域，包含第一导电型的杂质；以及第二区域，包含与所述第一导电型不同的第二导电型的杂质，位于所述第一区域的所述表面侧；所述像素包含：光电转换部，将光转换为电荷；第一扩散区域，包含所述第一导电型的杂质，位于所述第二区域的所述表面侧，积蓄所述电荷；以及第二扩散区域，是在包含所述第一导电型的杂质且位于所述第二区域的所述表面侧的多个扩散区域之中与所述第一扩散区域最近的扩散区域，所述第二扩散区域与所述第一区域的距离为所述第二扩散区域与所述第一扩散区域的距离的1.5倍以下。

公开(公告)号：CN105552094B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201510700902.0

申请日：2015-10-26

Applicant: 豪威科技股份有限公司

Inventor： 凯文·嘉凯·梁 ,  杨大江

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14656 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

Abstract: 本申请案涉及一种像素单元、成像系统及在像素单元中制作光学隔离结构的方法。像素单元包含光电二极管，所述光电二极管安置于半导体材料中以响应于经引导到所述光电二极管的入射光而积累图像电荷。全局快门栅极晶体管安置于所述半导体材料中且耦合到所述光电二极管以选择性地耗尽来自所述光电二极管的所述图像电荷。存储晶体管安置于所述半导体材料中以存储所述图像电荷。光学隔离结构安置于所述半导体材料中接近于所述存储晶体管以隔离所述存储晶体管的侧壁与所述半导体材料中的在所述存储晶体管外侧的杂散光及杂散电荷。所述光学隔离结构填充有钨。

公开(公告)号：CN108807434A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810244783.6

申请日：2018-03-23

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 平濑顺司 ,  村上雅史

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14603 ,  G02B7/04 ,  G02B13/16 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14689 ,  H04N5/363 ,  H04N5/369 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/37452 ,  H04N5/378 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14812 ,  H04N5/335

Abstract: 提供一种能够对光电变换部施加高电压并且能够得到高密度化高特性的摄像装置。具备像素和第1电压供给电路；像素包括：光电变换部，包括像素电极、对置电极、和位于两者之间将光变换为电荷的光电变换膜；放大晶体管，具有第1源极、第1漏极及第1栅极，第1栅极连接于像素电极；复位晶体管，具有第2源极、第2漏极及第2栅极，第2源极及第2漏极的一方被连接到像素电极；反馈晶体管，具有第3源极及第3漏极，第3源极及第3漏极的一方被连接到第2源极及第2漏极的另一方；第1电压供给电路向对置电极供给第1电压；如果在第2源极及第2漏极的一方与第2栅极之间供给限幅电压以上的电压则复位晶体管关闭；限幅电压比第1电压小。

公开(公告)号：CN108632494A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810178029.7

申请日：2018-03-05

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 佐野贤史

IPC: H04N1/03 ,  H04N5/378 ,  H01L27/146

CPC classification number: H04N1/1937 ,  H04N5/3694 ,  H04N5/378 ,  H04N1/03 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14643

Abstract: 本发明提供图像读取装置和半导体装置。图像读取芯片包含：第一像素，其包含第一受光元件，该第一受光元件接收缩小图像的一部分而得到的像的光并进行光电转换，所述第一像素对光电转换后的信号进行放大而生成第一像素信号；第二像素，其包含第二受光元件，该第二受光元件接收缩小所述图像的一部分而得到的像的光并进行光电转换，所述第二像素对光电转换后的信号进行放大而生成第二像素信号；以及伪像素，其不涉及所述图像的读取。所述第一像素、所述第二像素以及所述伪像素沿着第一边配置，所述伪像素与第二边之间的距离比所述第一像素与所述第二边之间的距离以及所述第二像素与所述第二边之间的距离短。

公开(公告)号：CN108305884A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201810099440.5

申请日：2018-01-31

Applicant: 思特威电子科技(美国)有限公司

Inventor： 莫要武 ,  徐辰 ,  邵泽旭

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/225 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

CPC classification number: H04N5/3745 ,  G01S7/4863 ,  G01S7/487 ,  H04N5/3532 ,  H04N5/35572 ,  H04N5/3559 ,  H04N5/3575 ,  H04N5/37452 ,  H04N5/37457 ,  H04N5/378 ,  H04N5/379 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14641 ,  H04N5/2253 ,  H04N5/374

Abstract: 一种像素单元，包括光电二极管，传输晶体管，复位晶体管，放大晶体管，及读出电路块。所述光电二极管，传输晶体管，复位晶体管和放大晶体管设置在第一半导体芯片的第一基底内，用于累积图像电荷以响应入射到所述光电二极管上的光。所述读出电路块可部分设置在第二半导体芯片的第二基底内，部分设置在所述第一基底内，所述读出电路块可根据程序设定包含可选的滚动曝光读出模式和全局曝光读出模式。所述全局曝光读出模式提供像素内相关双采样。

公开(公告)号：CN108242451A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711438507.5

申请日：2017-12-27

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 关根宽 ,  大贯裕介 ,  川端一成

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14625 ,  G01C3/08 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14645 ,  H04N5/378 ,  H01L27/14605

Abstract: 本公开内容涉及成像设备和成像系统。在成像设备中，第一像素的光电转换器和第二像素的光电转换器沿着第一方向布置。第一像素的电荷蓄积部分的至少一部分被设置在第一像素的光电转换器与第二像素的光电转换器之间。第一像素的光引导路径的出射表面在平面视图中与第一方向正交的第二方向上比在第一方向上长。

公开(公告)号：CN108140661A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680060810.3

申请日：2016-10-12

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 柳田刚志 ,  名取太知 ,  高桥裕嗣 ,  丸山俊介 ,  丸山康

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14645 ,  H04N5/35563 ,  H04N5/37452

Abstract: 提出一种成像器件以及包括有成像器件或摄像元件的电子装置。公开的成像器件能够包括：基板；第一光电转换器，具有形成在所述基板中的第一区域；和第二光电转换器，具有形成在所述基板中的第二区域。所述第一区域大于所述第二区域。此外，遮光壁能够从所述基板的第一表面延伸，使得所述遮光壁的至少一部分位于所述第一光电转换器与所述第二光电转换器之间。

公开(公告)号：CN107870038A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201710854952.3

申请日：2017-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴景台 ,  李正源 ,  朴宰亨

IPC: G01J3/28 ,  G01J3/42 ,  G01J3/457

CPC classification number: H04N9/735 ,  G01J3/0208 ,  G01J3/0229 ,  G01J3/2823 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14645 ,  H04N5/2256 ,  H04N5/3696 ,  H04N9/045 ,  H04N9/07 ,  G01J3/2803 ,  G01J3/42 ,  G01J3/457 ,  G01J2003/2806 ,  G01J2003/2813 ,  G01J2003/282 ,  G01J2003/2826 ,  G01J2003/425

Abstract: 一种用于检测入射光的波长光谱的方法和电子装置。电子装置包括：图像传感器，包括像素阵列，其中，像素阵列包括单位像素，单位像素包括被配置为将入射光聚焦的微透镜和被配置为响应于入射光输出电信号的两个或更多个光检测器；处理器，被配置为基于来自所述两个或更多个光检测器的输出值检测入射光的波长光谱。