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公开(公告)号：CN113410162B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202110279903.8
申请日：2021-03-16
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/311 , H01J37/305 , H01J37/32 , H01J37/02
Abstract: 本公开提供了一种用于处理基板的设备。在一个实施例中，一种基板处理设备包括：处理腔室，所述处理腔室具有内部空间；支撑单元，所述支撑单元将基板支撑在所述内部空间中；处理气体供应单元，所述处理气体供应单元用于将处理气体供应到所述内部空间；以及等离子体源，所述等离子体源在所述内部空间中将所述处理气体激发至等离子体状态，其中所述处理气体供应单元包括加热器，所述加热器加热所述处理气体。
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公开(公告)号：CN114203577A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110899932.4
申请日：2021-08-06
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供能够改变诸如退火腔室的热处理腔室的数量的基板处理装置及具备基板处理装置的基板处理系统。所述基板处理装置包括：第一腔室，对基板进行热处理；以及第二腔室，以热处理之外的其它方式处理基板，其中，第一腔室的数量根据需要对基板进行热处理的第二腔室的数量而改变。
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公开(公告)号：CN114171380A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111047348.2
申请日：2021-09-07
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供电特性和可靠性提高的半导体装置的制造方法。所述半导体装置的制造方法包括：提供基板，所述基板上依次堆叠有第一氧化膜、氮化膜和第二氧化膜，并且形成有贯通所述第一氧化膜、所述氮化膜和所述第二氧化膜的沟槽；利用第一等离子体工艺去除由所述沟槽暴露的所述氮化膜的一部分的同时，对由所述沟槽暴露的所述氧化膜进行倒角；以及利用第二等离子体工艺去除在所述第一等离子体工艺之后留下的氮化膜。
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公开(公告)号：CN116364509A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211456136.4
申请日：2022-11-21
Applicant: 细美事有限公司
Abstract: 本发明的示例性实施方案提供了一种基板处理装置及基板处理方法。该基材处理装置包括：具有内部空间的腔室；喷淋头，该喷淋头用于将内部空间划分为上部第一区域和下部第二区域、并形成有多个贯通孔；用于在第二区域中支承基板的支承单元；用于向第一区域供应气体的气体供应单元；用于通过激发气体而在第一区域中形成等离子体的等离子体源；以及联接至喷淋头的吸附板，其中所述吸附板的表面设置有吸附等离子体中包含的基团的材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113410162A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110279903.8
申请日：2021-03-16
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/311 , H01J37/305 , H01J37/32 , H01J37/02
Abstract: 本公开提供了一种用于处理基板的设备。在一个实施例中，一种基板处理设备包括：处理腔室，所述处理腔室具有内部空间；支撑单元，所述支撑单元将基板支撑在所述内部空间中；处理气体供应单元，所述处理气体供应单元用于将处理气体供应到所述内部空间；以及等离子体源，所述等离子体源在所述内部空间中将所述处理气体激发至等离子体状态，其中所述处理气体供应单元包括加热器，所述加热器加热所述处理气体。
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公开(公告)号：CN118197891A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311647572.4
申请日：2023-12-04
Applicant: 细美事有限公司
Abstract: 本公开涉及一种基底处理设备和一种基底处理方法，其中，所述基底处理设备包括：等离子体空间；处理空间；第一气体供应器，配置为将第一源气体供应到所述等离子体空间；以及第二气体供应器，配置为将第二工艺气体供应到所述处理空间。所述第一源气体供应用于在所述处理空间中蚀刻第一蚀刻目标层的第一工艺气体。所述第二工艺气体在所述处理空间中蚀刻第二蚀刻目标层。所述第一气体供应器和所述第二气体供应器彼此分离。
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公开(公告)号：CN116266525A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202211135738.X
申请日：2022-09-19
Applicant: 细美事有限公司
Abstract: 提供了一种能够有效地控制硅层与氧化层的选择比的利用等离子体的基板处理装置。该基板处理装置包括：第一空间，布置在电极与离子阻挡件之间；第二空间，布置在离子阻挡件与喷头之间；处理空间，位于喷头的下方，并用于处理基板；第一供给孔，用于向第一空间提供用于产生等离子体的第一气体；第二供给孔，用于向第二空间提供与等离子体的馏出物混合的第二气体；以及第一涂层，形成在喷头的面向第二空间的第一表面上，不形成在喷头的面向处理空间的第二表面上，并且包含镍。
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公开(公告)号：CN116072501A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211364471.1
申请日：2022-11-02
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及用于处理基板的装置和用于处理基板的方法。本发明构思提供了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：壳体，该壳体具有内部空间；板，该板将该内部空间分成上方的第一空间和下方的第二空间，并且该板具有多个通孔；第一气体供应单元，该第一气体供应单元被配置成将第一气体供应到该第一空间；等离子体源，该等离子体源用于在该第一空间或该第二空间处产生等离子体；以及监测单元，该监测单元安装在该板处，并且被配置成监测在该第一空间或该第二空间处产生的该等离子体的特性。
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公开(公告)号：CN117747397A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311218809.7
申请日：2023-09-20
Applicant: 细美事有限公司
Abstract: 本发明构思提供了一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：电极板，其被施加电力；离子阻挡器，其位于所述电极板的底侧，在所述离子阻挡器上形成有多个顶孔，并且所述离子阻挡器接地；喷头，其位于所述离子阻挡器的底侧，并且在所述喷头上形成有多个底孔；以及湍流发生单元，其配置成在内部具有湍流空间，并且所述湍流发生单元位于所述离子阻挡器和所述喷头之间的空间，并且其中当从上方观察时，所述顶孔定位成与所述湍流空间重叠，并且所述底孔位于所述湍流空间的外侧，并且当从下方观察时，所述底孔面对所述离子阻挡器的底表面和所述湍流发生单元的外壁中的至少一者。
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