公开(公告)号：CN115692155A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210875139.5

申请日：2022-07-22

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 严永堤 ,  朴玩哉 ,  丘峻宅

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明构思提供一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：壳体，其限定处理空间；卡盘，其在所述处理空间处支撑基板并且提供用于在所述处理空间处生成等离子体的底部电极；顶部电极；以及离子阻挡器，其定位在所述顶部电极与所述处理空间之间。

公开(公告)号：CN114203577A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202110899932.4

申请日：2021-08-06

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 严永堤 ,  丘峻宅 ,  朴玩哉 ,  金东勳 ,  李城吉 ,  李知桓 ,  吴东燮 ,  卢明燮 ,  金杜里

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明提供能够改变诸如退火腔室的热处理腔室的数量的基板处理装置及具备基板处理装置的基板处理系统。所述基板处理装置包括：第一腔室，对基板进行热处理；以及第二腔室，以热处理之外的其它方式处理基板，其中，第一腔室的数量根据需要对基板进行热处理的第二腔室的数量而改变。

公开(公告)号：CN114171380A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202111047348.2

申请日：2021-09-07

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 丘峻宅 ,  李城吉 ,  朴玩哉 ,  严永堤 ,  金东勳 ,  李知桓 ,  吴东燮 ,  卢明燮 ,  金杜里

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供电特性和可靠性提高的半导体装置的制造方法。所述半导体装置的制造方法包括：提供基板，所述基板上依次堆叠有第一氧化膜、氮化膜和第二氧化膜，并且形成有贯通所述第一氧化膜、所述氮化膜和所述第二氧化膜的沟槽；利用第一等离子体工艺去除由所述沟槽暴露的所述氮化膜的一部分的同时，对由所述沟槽暴露的所述氧化膜进行倒角；以及利用第二等离子体工艺去除在所述第一等离子体工艺之后留下的氮化膜。

公开(公告)号：CN117174562A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202210595709.5

申请日：2022-05-26

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 严永堤 ,  朴玩哉 ,  丘峻宅 ,  金东勋 ,  李城吉 ,  李知桓 ,  吴东燮 ,  卢明燮 ,  金杜里

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供能够改善线边缘粗糙度(LER)的基板处理装置和方法。所述基板处理装置包括：等离子体生成空间，其配置在电极与离子阻滞件之间；处理空间，其配置在离子阻滞件的下方，并用于处理基板；第一气体供给模块，其向所述等离子体生成空间提供用于生成等离子体的第一气体；以及第二气体供给模块，其向所述处理空间提供未被激发的第二气体，所述第一气体是含氢气体，所述第二气体包括含氮气体，所述基板包括含碳的光刻胶图案。

公开(公告)号：CN114156152A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202110972940.7

申请日：2021-08-24

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 丘峻宅 ,  严永堤 ,  朴玩哉 ,  金东勳 ,  李城吉 ,  李知桓 ,  吴东燮 ,  卢明燮 ,  金杜里

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供能够控制根据基板的位置的蚀刻率和/或均匀度的、利用等离子体的基板处理装置及基板处理方法。所述基板处理装置包括：第一空间，布置在电极与离子阻挡器之间；第二空间，布置在所述离子阻挡器与喷头之间；处理空间，在所述喷头的下方，并且用于处理基板；第一气体供给模块，向所述第一空间提供用于生成等离子体的第一气体；第二气体供给模块，向所述处理空间提供与所述等离子体的流出物混合的第二气体；以及第三气体供给模块，向所述处理空间提供与所述等离子体的流出物混合的第三气体，其中，所述第一气体是含氟气体，所述第二气体是含氮、氢气体，所述第三气体是与所述第二气体不同的含氮气体，且所述基板包括暴露的含硅、氧区域。

公开(公告)号：CN110364416B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN201910261070.5

申请日：2019-04-02

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 曹美英 ,  金多情 ,  延蕊林 ,  丘峻宅

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及一种基板清洗方法，包括：向基板提供在溶剂中包含热敏性高分子树脂的液状清洗液的步骤；通过第一热处理将液状清洗液进行相转变而凝胶化，以捕获颗粒的步骤；通过第二热处理将被捕获的颗粒的凝胶状的清洗液进行相转变而液化的步骤；及，提供冲洗液去除相转变为液状的清洗液的步骤。

公开(公告)号：CN116072501A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202211364471.1

申请日：2022-11-02

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金东勋 ,  丘峻宅 ,  卢明燮 ,  吴东燮

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及用于处理基板的装置和用于处理基板的方法。本发明构思提供了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：壳体，该壳体具有内部空间；板，该板将该内部空间分成上方的第一空间和下方的第二空间，并且该板具有多个通孔；第一气体供应单元，该第一气体供应单元被配置成将第一气体供应到该第一空间；等离子体源，该等离子体源用于在该第一空间或该第二空间处产生等离子体；以及监测单元，该监测单元安装在该板处，并且被配置成监测在该第一空间或该第二空间处产生的该等离子体的特性。

公开(公告)号：CN117012603A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202210469371.9

申请日：2022-04-28

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金东勋 ,  裵多顺 ,  朴玩哉 ,  李城吉 ,  严永堤 ,  李知桓 ,  吴东燮 ,  卢明燮 ,  丘峻宅 ,  金杜里

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供能够使等离子体的均匀性极大化的基板处理装置和方法。基板处理方法包括：提供基板处理装置，所述基板处理装置包括：处理空间，用于处理基板；以及等离子体生成模块，生成用于处理基板的等离子体，等离子体生成模块包括：多个第一电极，在第一方向上彼此并排地配置；多个第二电极，在与第一方向不同的第二方向上彼此并排地配置；以及阵列，包括与多个第一电极以及多个第二电极连接的多个微等离子体单元；向多个微等离子体单元提供工艺气体，向处理空间提供反应气体；以及通过向第一微等离子体单元提供第一大小的第一能量，并向第二微等离子体单元提供第二能量，来使在第一微等离子体单元和第二微等离子体单元生成的等离子体的自由基量不同。

公开(公告)号：CN116387146A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202211588899.4

申请日：2022-12-09

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 卢明燮 ,  李城吉 ,  金东勳 ,  吴东燮 ,  丘峻宅 ,  朴玩哉

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H01J37/305 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明公开了处理基板的方法及用于处理基板的设备。根据本发明的一方面，在腔室内处理基板的方法包括至少执行一次单位循环，其中单位循环包括将其中构成第一处理气体的等离子体的自由基与第二处理气体混合的反应气体供应到基板上的基板处理步骤，其中，基板包括第一薄膜和对反应气体的反应性相对低于第一薄膜的第二薄膜。

公开(公告)号：CN116092970A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202210374758.6

申请日：2022-04-11

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李城吉 ,  卢明燮 ,  金东勋 ,  严永堤 ,  吴东燮 ,  丘峻宅 ,  朴玩哉

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明构思提供了一种基板处理方法及基板处理装置。该基材处理方法包括：用于将基板的温度稳定至用于处理基板的处理空间中的工艺温度的温度稳定化步骤；用于将产生等离子体的等离子体空间的压力和处理空间的压力稳定至工艺压力的压力稳定化步骤，等离子体空间与处理空间流体连通；以及用于在等离子体空间产生等离子体并使用等离子体处理基板的处理步骤。