基板处理设备和喷嘴单元

    公开(公告)号:CN110690140B

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN201910602579.1

    申请日:2019-07-05

    Abstract: 一种用于处理基板的设备,包括:处理容器,其内部具有处理空间;基板支撑单元,其支撑所述处理容器中的基板并且使所述基板在所述处理容器中旋转;以及喷嘴单元,其将处理液体分配到所述基板上。所述喷嘴单元包括:喷嘴,其分配所述处理液体;和紫外线(UV)光供应单元,其发射UV光以活化分配到所述基板上的所述处理液体的自由基。

    基板处理装置
    4.
    发明公开
    基板处理装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN112735976A

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN202011174824.2

    申请日:2020-10-28

    Abstract: 本发明涉及可缩减工序时间的基板处理装置,本发明的基板处理装置包括:分度室,设置有装载、卸载基板的移送机器人;工序室,设置有对基板进行加热的加热单元,对基板进行工序处理;负载锁定室,配置于上述分度室与上述工序室之间;以及搬送室,形成于上述工序室与上述负载锁定室之间,设置有用于移送基板的搬送机器人,在上述搬送机器人设置有对工序处理前状态的基板进行预先加热的预先加热单元。

    检查单元、检查方法和包括检查单元的基板处理设备

    公开(公告)号:CN105845601B

    公开(公告)日:2018-11-20

    申请号:CN201610056572.0

    申请日:2016-01-27

    Abstract: 本发明公开了检查单元、检查方法和包括所述检查单元的基板处理设备。基板处理设备包括:处理单元、喷嘴单元以及检查单元,其检查所述处理液体是否从所述处理液体喷嘴被正常地排放。所述喷嘴还包括喷嘴驱动器,所述喷嘴驱动器将所述处理液体喷嘴从过程位置和检查位置移动,在所述过程位置处,所述基板由所述处理单元处理,在所述检查位置处,所述处理液体喷嘴由所述检查单元检查。所述检查单元包括:透明材料的板;摄影构件,其设置在所述板下方;光源构件,其将光照射到从所述处理液体喷嘴朝在所述检查位置处的所述板排放的所述处理液体的路径上;以及确定构件,其从由所述摄影构件拍摄的图像确定所述处理液体是否被正常地排放。

    基板处理装置和基板清洁方法

    公开(公告)号:CN105551999A

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201510698174.4

    申请日:2015-10-23

    CPC classification number: B08B3/102 B08B3/024 H01L21/67051 H01L21/6715

    Abstract: 公开了一种基板处理装置。所述基板处理装置包括:一壳体,定义用于在其中处理一基板的一空间;一旋转头,在所述壳体中支撑和旋转所述基板;一喷射单元,包括一第一喷嘴构件,用于在放置于所述旋转头上的所述基板上喷射第一处理溶液;以及一控制器,控制所述喷射单元。所述控制器在将所述第一喷嘴构件在所述基板上方在基板的边缘和中心区域之间移动的同时喷射第一处理溶液。所述控制器有区别地调节在所述基板边缘区域上喷射第一处理溶液所在的一第一高度和在所述基板中心区域上喷射第一处理溶液所在的一第二高度。

    衬底处理装置和衬底处理方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117410164A

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN202310438655.6

    申请日:2023-04-21

    Abstract: 一种衬底处理装置,包括:处理室,包括等离子体生成区、气体混合区和衬底处理区;第一气体供应管线,向等离子体生成区供应第一处理气体;第二气体供应管线,向气体混合区供应第二处理气体;离子阻挡器,设置在等离子体生成区和气体混合区之间;以及喷头,设置在气体混合区和衬底处理区之间,其中,离子阻挡器具有第一阻挡器流动路径单元,该第一阻挡器流动路径单元连接到第二气体供应管线并且对等离子体生成区开放,使得第二处理气体被供应给等离子体生成区。

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