公开(公告)号：CN101197298B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200710196755.3

申请日：2007-12-06

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 驹井尚纪 ,  中村卓矢

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/12 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，能缓和由半导体衬底与埋入导体层之间的热膨胀差而引起的影响，不需要高精度对准位置就能形成希望的过孔。本发明半导体装置的制造方法在半导体衬底(衬底本体)(21)的第一面(21A)侧设置元件形成层(30)，在与半导体衬底(21)第一面(21A)相对的第二面(21B)侧设置经由过孔而与元件形成层(30)电连接的外部连接端子(48)，该半导体装置的制造方法中，所述过孔经过下面的工序形成：在所述第一面(21A)形成相对半导体衬底(21)电绝缘的埋入导体层(27)的工序、在所述第二面(21B)形成与埋入导体层(27)连络的连络孔(40)(40A、40B)的工序、把埋入导体层(27)与连络孔(47)之间进行电连接的工序。

公开(公告)号：CN101197298A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200710196755.3

申请日：2007-12-06

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 驹井尚纪 ,  中村卓矢

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/12 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，能缓和由半导体衬底与埋入导体层之间的热膨胀差而引起的影响，不需要高精度对准位置就能形成希望的过孔。本发明半导体装置的制造方法在半导体衬底(衬底本体)(21)的第一面(21A)侧设置元件形成层(30)，在与半导体衬底(21)第一面(21A)相对的第二面(21B)侧设置经由过孔而与元件形成层(30)电连接的外部连接端子(48)，该半导体装置的制造方法中，所述过孔经过下面的工序形成：在所述第一面(21A)形成相对半导体衬底(21)电绝缘的埋入导体层(27)的工序、在所述第二面(21B)形成与埋入导体层(27)连络的连络孔(40)(40A、40B)的工序、把埋入导体层(27)与连络孔(47)之间进行电连接的工序。

公开(公告)号：CN1819178A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610006161.7

申请日：2006-01-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 驹井尚纪 ,  金村龙一 ,  大冈丰

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76868 ,  H01L21/76874 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 此处公开的是具有改进的耐电迁移性的半导体器件和用于制造该半导体器件的方法。半导体器件包括：层间绝缘膜，形成在第一金属线上；第二金属线，通过嵌入在所述层间绝缘膜中而形成；金属接触，通过嵌入在所述层间绝缘膜中而形成，用于连接在所述第一金属线和所述第二金属线之间；第一覆层，形成在所述第一金属线与所述金属接触之间；和阻隔金属层，形成在所述第二金属线与所述层间绝缘膜之间，用于防止在所述第二金属线中的金属扩散。

公开(公告)号：CN1565047A

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN03801169.7

申请日：2003-06-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 濑川雄司 ,  野上毅 ,  堀越浩 ,  驹井尚纪

IPC: H01L21/228 ,  H01L21/768 ,  C25D7/12 ,  C23C18/16 ,  C23C18/18

CPC classification number: H01L21/76849 ,  C23C18/1607 ,  C23C18/1637 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1831 ,  C23C18/50 ,  C25D3/58 ,  C25D5/02 ,  C25D7/123 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种半导体器件的制造方法，用于实现适合于提高其操作速度并且质量和可靠性都高的半导体器件。半导体器件的制造方法为包括具有防止铜扩散功能并形成在含铜的金属布线上的阻挡膜(7)的半导体器件的制造方法，该方法包括以下步骤：使用含添加的催化剂金属(10)的电镀液进行电镀由此形成含催化剂金属(10)的金属布线(2)；以及使用在金属布线(2)的表面上暴露的催化剂金属(10)作为催化剂进行无电镀，由此在金属布线(2)上形成具有防止铜扩散功能的阻挡膜(7)。