公开(公告)号：CN1565047A

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN03801169.7

申请日：2003-06-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 濑川雄司 ,  野上毅 ,  堀越浩 ,  驹井尚纪

IPC: H01L21/228 ,  H01L21/768 ,  C25D7/12 ,  C23C18/16 ,  C23C18/18

CPC classification number: H01L21/76849 ,  C23C18/1607 ,  C23C18/1637 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1831 ,  C23C18/50 ,  C25D3/58 ,  C25D5/02 ,  C25D7/123 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种半导体器件的制造方法，用于实现适合于提高其操作速度并且质量和可靠性都高的半导体器件。半导体器件的制造方法为包括具有防止铜扩散功能并形成在含铜的金属布线上的阻挡膜(7)的半导体器件的制造方法，该方法包括以下步骤：使用含添加的催化剂金属(10)的电镀液进行电镀由此形成含催化剂金属(10)的金属布线(2)；以及使用在金属布线(2)的表面上暴露的催化剂金属(10)作为催化剂进行无电镀，由此在金属布线(2)上形成具有防止铜扩散功能的阻挡膜(7)。