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公开(公告)号：CN119277829A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411369008.5
申请日：2018-05-11
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H10F39/12 , H04N25/703 , H10K39/32
Abstract: 本发明涉及光检测元件，其包括光电转换单元，所述光电转换单元包括：第一电极；第二电极；光电转换层，所述光电转换层设置在所述第一电极与所述第二电极之间；以及复合氧化物层，所述复合氧化物层包含设置在所述第一电极与所述光电转换层之间的铟复合氧化物，所述复合氧化物层包括第一层和第二层，其中，所述第一层设置在所述第一电极与所述第二层之间，并且其中，所述第二层的载流子迁移率与所述第一层的载流子迁移率的比大于或等于1×10‑6，并且小于或等于0.1。
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公开(公告)号：CN102097589B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201010524862.6
申请日：2010-10-29
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L51/102 , H01L27/283 , H01L51/0023 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了半导体器件及使用该半导体器件的显示装置。所述半导体器件使用了薄膜晶体管。另外，所述半导体器件具有：所述薄膜晶体管的栅极电极；形成得覆盖住所述栅极电极的栅极绝缘膜；形成在所述栅极绝缘膜上的有机半导体层；形成在所述有机半导体层上的结构体；起始于所述栅极绝缘膜的上表面并终止于所述有机半导体层的上表面的源极电极及漏极电极；和形成在所述结构体上的电极材料层。本发明的半导体器件能够高精度地被形成为具有预定通道长度的器件，并能够提高显示装置的性能、增大半导体器件的产率。另外，还能够减少半导体器件的设计余量、使半导体器件小型化，从而增大在显示装置中所使用的像素数量。
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公开(公告)号：CN102790172B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201210147617.7
申请日：2012-05-11
Applicant: 索尼公司
Inventor： 小野秀树
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0018 , H01L51/105 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了半导体元件和电子装置。该半导体元件包括有机半导体层以及设置在有机半导体层的上表面上的层，其中，该层的轮廓在该有机半导体层的轮廓内侧。
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公开(公告)号：CN102842674A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210196100.7
申请日：2012-06-13
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L27/3276
Abstract: 本发明涉及一种半导体元件、其制造方法、显示装置和电子装置，该半导体元件包括：有机半导体层；电极，其配置在有机半导体层上，以与有机半导体层接触；以及布线层，其独立于电极而形成，并电连接至该电极。
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公开(公告)号：CN102034930A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010291923.9
申请日：2010-09-21
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0015 , H01L51/0011 , H01L51/0545 , H01L51/0558
Abstract: 本发明提供了半导体装置的制造方法，该制造方法包括以下步骤：在基板上形成有机半导体层；在有机半导体层上形成保护图案；以及使用保护图案作为掩模、通过使有机半导体层溶解在有机溶剂中或使其升华，而将该有机半导体层图案化。
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公开(公告)号：CN111033740A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880051512.7
申请日：2018-05-11
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/10 , H04N5/369 , H01L27/30
Abstract: 摄像元件(光电转换元件)设置有光电转换单元，该光电转换单元是通过层叠第一电极21、光电转换层23A和第二电极22而形成的。在第一电极21与光电转换层23A之间，形成有包含铟-镓-锌复合氧化物的复合氧化物层23B。复合氧化物层23B包括与第一电极21相邻的第一层23B1和与光电转换层23A相邻的第二层23B2。第一层23B1中的铟含量高于第二层23B2中的铟含量，或者第一层23B1中的镓含量低于第二层23B2中的镓-铟含量，或者第一层23B1中的锌含量高于第二层23B2中的锌含量。
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公开(公告)号：CN103633244B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310351161.0
申请日：2013-08-13
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L51/0545 , B82Y10/00 , H01L51/0035 , H01L51/0037 , H01L51/0041 , H01L51/0045 , H01L51/0048 , H01L51/105 , H01L2251/301 , H01L2251/303 , H01L2251/308
Abstract: 本发明提供能够抑制有机半导体膜因应力而产生特性劣化的半导体器件及其制造方法以及电子装置，所述半导体器件包括：门电极；用于形成沟道的有机半导体膜；以及一对源漏电极，其形成于所述有机半导体膜上，所述一对源漏电极分别包括依次层叠的连接层、缓冲层及布线层。
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公开(公告)号：CN102194996B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110048664.1
申请日：2011-02-28
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L51/10
Abstract: 本发明公开了薄膜晶体管和电子装置。本发明提供的薄膜晶体管能够稳定地获得良好性能。所述薄膜晶体管包括：有机半导体层；以及保护层及源极电极和漏极电极，所述保护层及所述源极电极和所述漏极电极形成在所述有机半导体层上。所述保护层至少设置在所述源极电极与所述漏极电极之间的区域中。根据本发明，在所述源极电极和所述漏极电极的形成步骤(蚀刻步骤)中，由于所述有机半导体层被所述保护层保护着，因此所述有机半导体层不会被上述蚀刻步骤所损坏。于是，本发明的薄膜晶体管和电子装置可以稳定地得到良好的性能。
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公开(公告)号：CN102163624A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110040384.6
申请日：2011-02-16
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L29/786 , H01L23/528 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/77
CPC classification number: H01L29/66742 , G02F1/1368 , H01L27/1225 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L27/283 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管结构及其制造方法以及电子装置。提供了一种容易制造的高性能薄膜晶体管结构。该薄膜晶体管结构包括：第一电极；在与第一电极不同的阶层中彼此分离的第二电极和第三电极；分别连接到第一电极、第二电极和第三电极的第一布线、第二布线和第三布线；主堆叠体，其被设置为使其在第一电极与第二电极和第三电极之间、在层间绝缘层在主堆叠体与第一电极之间的状态下与第一电极相对；以及副堆叠体，该副堆叠体包括绝缘层和半导体层，并且被设置为使其在第一布线与第二布线重叠的位置处的第一布线与第二布线之间和/或在第一布线与第三布线重叠的位置处的第一布线与第三布线之间，在层间绝缘层在副堆叠体与第一布线之间的状态下与第一布线相对。
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