-
公开(公告)号：CN102034930A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010291923.9
申请日：2010-09-21
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0015 , H01L51/0011 , H01L51/0545 , H01L51/0558
Abstract: 本发明提供了半导体装置的制造方法，该制造方法包括以下步骤：在基板上形成有机半导体层；在有机半导体层上形成保护图案；以及使用保护图案作为掩模、通过使有机半导体层溶解在有机溶剂中或使其升华，而将该有机半导体层图案化。
-
公开(公告)号：CN102194996A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110048664.1
申请日：2011-02-28
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L51/10
Abstract: 本发明公开了薄膜晶体管和电子装置。本发明提供的薄膜晶体管能够稳定地获得良好性能。所述薄膜晶体管包括：有机半导体层；以及保护层及源极电极和漏极电极，所述保护层及所述源极电极和所述漏极电极形成在所述有机半导体层上。所述保护层至少设置在所述源极电极与所述漏极电极之间的区域中。根据本发明，在所述源极电极和所述漏极电极的形成步骤(蚀刻步骤)中，由于所述有机半导体层被所述保护层保护着，因此所述有机半导体层不会被上述蚀刻步骤所损坏。于是，本发明的薄膜晶体管和电子装置可以稳定地得到良好的性能。
-
公开(公告)号：CN102097589A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010524862.6
申请日：2010-10-29
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L51/102 , H01L27/283 , H01L51/0023 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了半导体器件及使用该半导体器件的显示装置。所述半导体器件使用了薄膜晶体管。另外，所述半导体器件具有：所述薄膜晶体管的栅极电极；形成得覆盖住所述栅极电极的栅极绝缘膜；形成在所述栅极绝缘膜上的有机半导体层；形成在所述有机半导体层上的结构体；起始于所述栅极绝缘膜的上表面并终止于所述有机半导体层的上表面的源极电极及漏极电极；和形成在所述结构体上的电极材料层。本发明的半导体器件能够高精度地被形成为具有预定通道长度的器件，并能够提高显示装置的性能、增大半导体器件的产率。另外，还能够减少半导体器件的设计余量、使半导体器件小型化，从而增大在显示装置中所使用的像素数量。
-
公开(公告)号：CN102097589B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201010524862.6
申请日：2010-10-29
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L51/102 , H01L27/283 , H01L51/0023 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了半导体器件及使用该半导体器件的显示装置。所述半导体器件使用了薄膜晶体管。另外，所述半导体器件具有：所述薄膜晶体管的栅极电极；形成得覆盖住所述栅极电极的栅极绝缘膜；形成在所述栅极绝缘膜上的有机半导体层；形成在所述有机半导体层上的结构体；起始于所述栅极绝缘膜的上表面并终止于所述有机半导体层的上表面的源极电极及漏极电极；和形成在所述结构体上的电极材料层。本发明的半导体器件能够高精度地被形成为具有预定通道长度的器件，并能够提高显示装置的性能、增大半导体器件的产率。另外，还能够减少半导体器件的设计余量、使半导体器件小型化，从而增大在显示装置中所使用的像素数量。
-
公开(公告)号：CN103151460A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201210470044.1
申请日：2012-11-19
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L27/283 , H01L29/786 , H01L33/0041 , H01L51/0097 , H01L51/0545 , H01L51/105
Abstract: 本发明涉及晶体管、显示装置和电子设备。晶体管包括：栅电极；面对栅电极的半导体层，绝缘层位于半导体层和栅电极之间；一对源漏电极，其电连接到半导体层；和接触层，其设置在一对源漏电极中的每一者与半导体层之间的载流子移动路径中，接触层的端表面被源漏电极覆盖。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101989645A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN201010237810.0
申请日：2010-07-23
Applicant: 索尼公司
Inventor： 野元章裕
CPC classification number: H05K1/16 , H05K3/1275 , H05K3/4069 , H05K3/4664 , H05K2201/10174 , H05K2203/1476
Abstract: 本发明提供了制造电路板的方法以及电路板，所述制造电路板的方法包括以下步骤：在基板上形成下层配线图案；在基板上形成绝缘膜以覆盖下层配线图案；在绝缘膜中形成开口以暴露下层配线图案；在绝缘膜上形成上层配线图案；以及在绝缘膜的开口的侧壁上形成互连材料图案，以连接下层配线图案和上层配线图案。
-
公开(公告)号：CN102194996B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110048664.1
申请日：2011-02-28
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L51/10
Abstract: 本发明公开了薄膜晶体管和电子装置。本发明提供的薄膜晶体管能够稳定地获得良好性能。所述薄膜晶体管包括：有机半导体层；以及保护层及源极电极和漏极电极，所述保护层及所述源极电极和所述漏极电极形成在所述有机半导体层上。所述保护层至少设置在所述源极电极与所述漏极电极之间的区域中。根据本发明，在所述源极电极和所述漏极电极的形成步骤(蚀刻步骤)中，由于所述有机半导体层被所述保护层保护着，因此所述有机半导体层不会被上述蚀刻步骤所损坏。于是，本发明的薄膜晶体管和电子装置可以稳定地得到良好的性能。
-
公开(公告)号：CN103107292A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210445123.7
申请日：2012-11-08
Applicant: 索尼公司
Inventor： 野元章裕
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L27/283 , H01L27/3258 , H01L51/10
Abstract: 本公开涉及半导体装置和电子单元。公开了薄膜晶体管和用于形成薄膜晶体管(TFT)的技术。在一些实施例中，提供了一种形成TFT的方法，包括：形成包括有机半导体材料的TFT的本体区域，以及形成包括有机绝缘材料的保护层。形成保护层包括：将TFT的本体区域与包括有机绝缘材料的溶液接触。有机绝缘材料是当溶液与有机半导体材料接触时与有机半导体材料相位分离的材料。在其他实施例中，提供了一种包括TFT的设备。TFT包括包含有机半导体材料的本体区域以及与本体区域接触并包括有机绝缘材料的保护层，当包括有机绝缘材料的溶液与有机半导体材料接触时，使得有机绝缘材料与有机半导体材料相位分离。
-
公开(公告)号：CN103151460B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201210470044.1
申请日：2012-11-19
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L27/283 , H01L29/786 , H01L33/0041 , H01L51/0097 , H01L51/0545 , H01L51/105
Abstract: 本发明涉及晶体管、显示装置和电子设备。晶体管包括：栅电极；面对栅电极的半导体层，绝缘层位于半导体层和栅电极之间；一对源漏电极，其电连接到半导体层；和接触层，其设置在一对源漏电极中的每一者与半导体层之间的载流子移动路径中，接触层的端表面被源漏电极覆盖。
-
公开(公告)号：CN103682101A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310359072.0
申请日：2013-08-16
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L51/0512 , H01L51/0014
Abstract: 本技术公开了一种能够以高成品率制造的晶体管、晶体管的制造方法、半导体装置的制造方法和显示装置的制造方法。制造晶体管的方法包括：形成栅电极；形成有机绝缘膜和有机半导体膜的层叠膜，所述层叠膜经由其间的栅绝缘膜与所述栅电极相对；以及使所述有机半导体膜图案化。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.016 seconds)
