公开(公告)号：CN102163624A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110040384.6

申请日：2011-02-16

Applicant: 索尼公司

Inventor： 八木岩 ,  小野秀树 ,  佐佐木真理

IPC: H01L29/786 ,  H01L23/528 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/66742 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/283 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管结构及其制造方法以及电子装置。提供了一种容易制造的高性能薄膜晶体管结构。该薄膜晶体管结构包括：第一电极；在与第一电极不同的阶层中彼此分离的第二电极和第三电极；分别连接到第一电极、第二电极和第三电极的第一布线、第二布线和第三布线；主堆叠体，其被设置为使其在第一电极与第二电极和第三电极之间、在层间绝缘层在主堆叠体与第一电极之间的状态下与第一电极相对；以及副堆叠体，该副堆叠体包括绝缘层和半导体层，并且被设置为使其在第一布线与第二布线重叠的位置处的第一布线与第二布线之间和/或在第一布线与第三布线重叠的位置处的第一布线与第三布线之间，在层间绝缘层在副堆叠体与第一布线之间的状态下与第一布线相对。