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公开(公告)号：CN107326325B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201710526094.X
申请日：2017-06-30
Applicant: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
CPC classification number: G03F1/42 , C23C14/042 , G02F1/13 , H01L27/32 , H01L51/0011
Abstract: 本发明提供一种掩膜板，掩膜板包括外框及多个子掩膜板，外框为中空结构，包括第一边、第二边、第三边及第四边，第一边与第二边平行且间隔设置，第三边及第四边平行且间隔设置，第三边及第四边沿第一方向延伸，第一边及第二边沿第二方向延伸，第三边相对的两端分别连接第一边的一端以及第二边的一端，第四边相对的两端分别连接第一边远离第四边的一端以及第二边远离第四边的一端，子掩膜板用于选择性的遮挡制备像素时的发光材料，子掩膜板沿第一方向延伸且多个子掩膜板沿第二方向排列，子掩膜板的相对的两端分别设置在第一边及第二边上，子掩膜板可沿第一方向或第二方向往复运动。
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公开(公告)号：CN104483811B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201410584702.9
申请日：2010-01-29
Applicant: 三星显示有限公司
CPC classification number: G03F1/84 , H01L51/0011
Abstract: 本发明涉及一种掩模检查装置和方法以及虚拟图产生装置和方法。掩模检查装置用于检查以期望图案进行沉积中所用到的具有多个开口的掩模，能够通过掩模的开口检查掩模的缺陷。掩模检查装置包括：检测单元，检测掩模的开口中的每一个的边界线；存储单元，存储待被利用掩模执行沉积的部件的信息；设置单元，利用所存储的待被执行沉积的部件的信息为开口中的每一个设置第一边界线、第二边界线和安全区域，其中第一边界线形成沉积区域的轮廓，第二边界线包围第一边界线，安全区域插入在第一边界线与第二边界线之间；以及控制单元，确定被检测单元检测的掩模的边界线是否不接触第一边界线和第二边界线以及边界线是否在安全区域中。
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公开(公告)号：CN106601775B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201611179978.4
申请日：2016-12-19
Applicant: 武汉华星光电技术有限公司
CPC classification number: H01L51/5215 , H01L27/3211 , H01L27/3246 , H01L51/001 , H01L51/0011 , H01L51/0059 , H01L51/0072 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L51/5036 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5234 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2251/306 , H01L2251/308 , H01L2251/5315 , H01L2251/558
Abstract: 本发明提供一种OLED显示装置及其制作方法，通过在红、绿、蓝色OLED器件的阳极层中分别设置第一、第二、第三透明半导体层，并且将所述第一、第二、第三透明半导体层设置为不同的厚度来实现红、绿、蓝色OLED器件的发光效率分别达到最佳，所述第一、第二、第三透明半导体层通过利用三道掩膜板进行等离子体增强化学气相沉积的方法沉积形成，与传统的OLED显示装置相比，本发明中分别设置于红、绿、蓝色OLED器件中的空穴传输层的厚度相等，可以采用一道普通金属掩膜板在同一道蒸镀制程中形成，由于利用FMM沉积无机膜的技术相对于沉积有机膜的技术更成熟且有更高的良率，所以从总体来讲，本发明的技术方案具有明显的制程优势。
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公开(公告)号：CN109659449A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811175880.0
申请日：2018-10-10
Applicant: 三星显示有限公司
CPC classification number: B23K26/362 , B23K26/0626 , B23K26/0673 , B23K26/0676 , B23K26/082 , B23K26/382 , B23K2103/02 , C22C38/08 , H01L51/0011 , C23C14/042 , H01L51/56
Abstract: 公开了制造沉积掩模的方法，所述方法包括分束过程、扫描过程和调整过程，其中，在分束过程中，将从光源照射的激光束分束为多个激光束；在扫描过程中，将多个激光束同时扫描到掩模基板上；在调整过程中，在扫描多个激光束的同时，将多个激光束的照射状态精细地改变成与多个图案孔的形状对应。
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公开(公告)号：CN109148543A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811004317.7
申请日：2018-08-30
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
CPC classification number: H01L27/3218 , H01L51/001 , H01L51/0011
Abstract: 本发明公开了一种像素结构及显示面板，该像素结构包括：多个呈阵列排布的重复单元；每一个重复单元包括至少一个像素单元，每一像素单元中包括四个子像素，四个子像素中包括不同颜色的一个第一子像素、一个第二子像素和两个第三子像素，第一子像素和第二子像素位于像素单元的对角位置，两个第三子像素位于像素单元的另一对角位置；相邻的像素单元包括至少一个子像素组，子像素组包括相邻且颜色相同的两个子像素；每一像素单元内的子像素排布均匀，使得整体像素结构的发光效果较好，提高产品良率；同时增大了掩膜板的开口，降低对位难度，增大掩膜板的rib，增强了掩膜板的强度，能有效减小掩膜板的厚度，从而降低阴影，减小混色，提高产品良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109148511A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810298848.5
申请日：2018-03-30
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3216 , H01L51/0011 , H01L51/0021 , H01L51/5225 , H01L2227/323 , H01L27/3218 , H01L27/3276
Abstract: 本申请涉及显示装置，该显示装置包括：第一像素电极和第二像素电极，设置成在衬底上彼此邻近；像素限定层，包括对应于第一像素电极的第一开口、对应于第二像素电极的第二开口以及布置成与第一开口邻近的第一凸部；第一中间层，设置在第一像素电极上以与第一开口对应，并且包括第一发射层；以及第一导电无机层，布置在第一中间层上以对应于第一开口。第一导电无机层的至少一个端部延伸超过第一中间层的端部，并且在第一开口和第二开口之间设置于像素限定层上。
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公开(公告)号：CN109136836A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811188611.8
申请日：2018-10-12
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
CPC classification number: C23C14/042 , C23C14/24 , H01L51/0011 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种掩膜板、晶圆、蒸镀装置及蒸镀方法。所述掩膜板包括掩膜主体以及设置在所述掩膜主体上的若干个对位柱，每个所述对位柱用于插置在待工艺的晶圆上的对位套孔内，以使得所述掩膜主体与所述晶圆对位。本发明的掩膜板，其掩膜主体上设置有若干个对位柱。每个对位柱用于插置在待工艺的晶圆上的对位套孔内，以使得掩膜主体与晶圆对位。掩膜板的结构简单，并能够有效提高对位精度。该结构的掩膜板可以使得对位精度提高到±0.5μm，从而可以减少原料浪费，降低生产成本，减少对位偏移引起的不良和缺陷，提高产品良率，并且还能够减少重复对位次数，缩短对位时间，提高产能。
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公开(公告)号：CN108330437A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810055255.6
申请日：2018-01-19
Applicant: 昆山国显光电有限公司
CPC classification number: C23C14/042 , C23C14/24 , H01L51/0011
Abstract: 本发明涉及一种掩膜板的后处理方法及掩膜板。其中掩膜板的后处理方法包括如下步骤：提供掩膜板，掩膜板的表面具有凸部；以及对至少部分凸部进行化学研磨处理。本发明掩膜板的后处理方法能够有效去除或减薄位于掩膜板表面不被期待的、多余的凸起部分。本发明的掩膜板是采用上述的掩膜板的后处理方法制作处理得到，而通过减少位于掩膜板上开口的侧壁面上的凸部的至少部分，能够减少对蒸镀源的遮挡，能够增加蒸镀有效区域，有利于减少设计余量，增加开口率，有利于高PPI产品应用。此外，还可以减少毛刺和边角影响效应。
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公开(公告)号：CN108179378A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711396854.6
申请日：2017-12-21
Applicant: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
Inventor： 蔡丰豪
CPC classification number: C23C14/02 , C23C14/042 , C23C14/14 , C23C14/35 , C23C16/042 , H01L51/0011 , H01L51/50
Abstract: 本发明提供了一种金属光掩膜的制作方法，其包括步骤：在基板上制作形成正性光阻层；在所述正性光阻层上制作形成多个负性光阻块，相邻的两个所述负性光阻块之间具有间隔；在所述正性光阻层和所述负性光阻块上制作形成金属层；将所述正性光阻层和所述负性光阻块去除，以形成金属光掩膜。本发明的金属光掩膜的制作方法采用正性光阻和负性光阻做基板和金属层的中间介体，在完成金属层的制作之后可以将正负性光阻与金属层完全分离，从而制作过程简单且良率较高。
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公开(公告)号：CN104733501B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201510079940.9
申请日：2015-02-13
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
CPC classification number: H01L51/5271 , H01L27/32 , H01L27/3246 , H01L27/3283 , H01L51/001 , H01L51/0011 , H01L51/5218 , H01L2227/323 , H01L2251/5307 , H01L2251/533
Abstract: 公开了一种像素结构、具有这种像素结构的显示装置、以及像素结构的制作方法。像素结构，包括：第一绝缘层；发光单元，设置在所述第一绝缘层上，并包括第一电极层、发光层和第二电极层；像素界定层，被构造成用于限定像素开口，所述发光单元设置在所述像素开口中；以及反射组件，环绕所述像素界定层设置，以将从所述发光层入射到所述像素界定层中的光反射成从所述像素结构的出射面射出。通过设置反射组件，使得从所述发光层入射到所述像素界定层中的光反射成从所述像素结构的出射面射出，这样入射到像素界定层中的光束可以转换成像素结构的有效光束，提高显示效果，降低光消耗。
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