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公开(公告)号：CN106098666A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610213046.0
申请日：2016-04-07
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/17 , H01L21/4846 , H01L23/147 , H01L23/3121 , H01L23/3192 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/09 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/16 , H01L2224/02372 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/0603 , H01L2224/06182 , H01L2224/08267 , H01L2224/08268 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/1403 , H01L2224/16112 , H01L2224/16145 , H01L2224/16267 , H01L2224/16268 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81815 , H01L2224/81986 , H01L2924/00014 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2224/11 , H01L2924/014 , H01L24/10 , H01L2224/1302 , H01L2224/8119
Abstract: 一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含一第一晶片与一第二晶片。第一晶片包含：一第一基板，具有相对的一第一表面与一第二表面；一第一无源元件，位于第一表面上；一第一保护层，覆盖第一无源元件，第一保护层还具有相对于该第一表面的一第三表面；以及一第一导电垫结构与一第二导电垫结构，位于第一保护层中，并电性连接至第一无源元件。第二晶片位于第三表面上，且具有一有源元件与一第二无源元件电性连接至有源元件，其中有源元件电性连接至第一导电垫结构。本发明不仅可节省大量的制程时间，且能降低已知电感元件的成本。
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公开(公告)号：CN106098662B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201510570170.8
申请日：2015-09-09
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/538 , H01L25/00 , H01L21/60 , H01L21/67
Abstract: 一种晶片封装体及其制造方法、半导体电镀系统，该晶片封装体包含晶片、绝缘层与重布线层。晶片具有基底、焊垫与保护层。基底具有相对的第一表面与第二表面。保护层位于第一表面上。焊垫位于保护层中。基底具有穿孔，保护层具有凹孔，使焊垫从凹孔与穿孔裸露。绝缘层位于第二表面、穿孔的壁面与凹孔的壁面上。重布线层包含连接部与无源元件部。连接部位于绝缘层上，且电性接触焊垫。无源元件部位于第二表面的绝缘层上，且无源元件部的一端连接在第二表面上的连接部。本发明不仅可节省大量的组装时间，且能降低已知电感元件的成本，还可提升设计上的便利性。
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公开(公告)号：CN111834295A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010323403.5
申请日：2020-04-22
Applicant: 精材科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种光学晶片封装体及其制造方法。光学晶片封装体包括:一第一透明基底、一第二透明基底以及一间隔层。第一透明基底与第二透明基底分别具有一第一表面及与其相对的一第二表面，且第一透明基底的厚度不同于第二透明基底的厚度。第二透明基底位于第一透明基底上方，且间隔层接合于第一透明基底的第二表面与第二透明基底的第一表面之间。一凹口区自第二透明基底的第二表面延伸至第一透明基底内，使第一透明基底具有一阶梯型侧壁。本发明可避免光学晶片封装体产生外观缺陷、增加切割效能以及具有较佳的封装体尺寸控制，进而增加良率。
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公开(公告)号：CN109742064A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910017276.3
申请日：2015-09-09
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/48 , H01L23/522 , H01L21/288 , H01L21/48 , H01L21/687 , H01L21/768 , H01L49/02 , C25D17/00 , C25D17/06 , H01L23/525 , H01L23/532
Abstract: 一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含晶片、绝缘层与重布线层。晶片具有基底、焊垫与保护层。基底具有相对的第一表面与第二表面。保护层位于第一表面上。焊垫位于保护层中。基底具有穿孔，保护层具有凹孔，使焊垫从凹孔与穿孔裸露。绝缘层位于第二表面、穿孔的壁面与凹孔的壁面上。重布线层包含连接部与无源元件部。连接部位于绝缘层上，且电性接触焊垫。无源元件部位于第二表面的绝缘层上，且无源元件部的一端连接在第二表面上的连接部。本发明不仅可节省大量的组装时间，且能降低已知电感元件的成本，还可提升设计上的便利性。
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公开(公告)号：CN102774805A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210146748.3
申请日：2012-05-11
Applicant: 精材科技股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/13 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一第一基底；一第二基底，设置于该第一基底之上，其中该第二基底具有贯穿该第二基底的至少一开口，该至少一开口于该第二基底之中划分出彼此电性绝缘的多个导电区；一承载基底，设置于该第二基底之上；至少一阻挡块体，对应地设置于该第二基底的该至少一开口之上，且大抵完全覆盖该至少一开口；一绝缘层，设置于该承载基底的一表面及一侧壁之上；以及一导电层，设置于该承载基底上的该绝缘层之上，且电性接触所述导电区中的一导电区。本发明可有效缩小多晶片封装结构的体积，且节省制作成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106098666B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201610213046.0
申请日：2016-04-07
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/17 , H01L21/4846 , H01L23/147 , H01L23/3121 , H01L23/3192 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/09 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/16 , H01L2224/02372 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/0603 , H01L2224/06182 , H01L2224/08267 , H01L2224/08268 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/1403 , H01L2224/16112 , H01L2224/16145 , H01L2224/16267 , H01L2224/16268 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81815 , H01L2224/81986 , H01L2924/00014 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2224/11 , H01L2924/014
Abstract: 一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含一第一晶片与一第二晶片。第一晶片包含：一第一基板，具有相对的一第一表面与一第二表面；一第一无源元件，位于第一表面上；一第一保护层，覆盖第一无源元件，第一保护层还具有相对于该第一表面的一第三表面；以及一第一导电垫结构与一第二导电垫结构，位于第一保护层中，并电性连接至第一无源元件。第二晶片位于第三表面上，且具有一有源元件与一第二无源元件电性连接至有源元件，其中有源元件电性连接至第一导电垫结构。本发明不仅可节省大量的制程时间，且能降低已知电感元件的成本。
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公开(公告)号：CN106098662A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201510570170.8
申请日：2015-09-09
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/538 , H01L25/00 , H01L21/60 , H01L21/67
CPC classification number: H01L23/49838 , C25D17/001 , C25D17/005 , C25D17/06 , H01L21/2885 , H01L21/4846 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/68721 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/498 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/5227 , H01L23/525 , H01L23/53214 , H01L23/53228 , H01L28/10 , H01L2224/11
Abstract: 一种晶片封装体及其制造方法、半导体电镀系统，该晶片封装体包含晶片、绝缘层与重布线层。晶片具有基底、焊垫与保护层。基底具有相对的第一表面与第二表面。保护层位于第一表面上。焊垫位于保护层中。基底具有穿孔，保护层具有凹孔，使焊垫从凹孔与穿孔裸露。绝缘层位于第二表面、穿孔的壁面与凹孔的壁面上。重布线层包含连接部与无源元件部。连接部位于绝缘层上，且电性接触焊垫。无源元件部位于第二表面的绝缘层上，且无源元件部的一端连接在第二表面上的连接部。本发明不仅可节省大量的组装时间，且能降低已知电感元件的成本，还可提升设计上的便利性。
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公开(公告)号：CN102774805B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210146748.3
申请日：2012-05-11
Applicant: 精材科技股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/13 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一第一基底；一第二基底，设置于该第一基底之上，其中该第二基底具有贯穿该第二基底的至少一开口，该至少一开口于该第二基底之中划分出彼此电性绝缘的多个导电区；一承载基底，设置于该第二基底之上；至少一阻挡块体，对应地设置于该第二基底的该至少一开口之上，且大抵完全覆盖该至少一开口；一绝缘层，设置于该承载基底的一表面及一侧壁之上；以及一导电层，设置于该承载基底上的该绝缘层之上，且电性接触所述导电区中的一导电区。本发明可有效缩小多晶片封装结构的体积，且节省制作成本。
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公开(公告)号：CN109742064B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201910017276.3
申请日：2015-09-09
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/48 , H01L23/522 , H01L21/288 , H01L21/48 , H01L21/687 , H01L21/768 , H01L49/02 , C25D17/00 , C25D17/06 , H01L23/525 , H01L23/532
Abstract: 一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含晶片、绝缘层与重布线层。晶片具有基底、焊垫与保护层。基底具有相对的第一表面与第二表面。保护层位于第一表面上。焊垫位于保护层中。基底具有穿孔，保护层具有凹孔，使焊垫从凹孔与穿孔裸露。绝缘层位于第二表面、穿孔的壁面与凹孔的壁面上。重布线层包含连接部与无源元件部。连接部位于绝缘层上，且电性接触焊垫。无源元件部位于第二表面的绝缘层上，且无源元件部的一端连接在第二表面上的连接部。本发明不仅可节省大量的组装时间，且能降低已知电感元件的成本，还可提升设计上的便利性。
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公开(公告)号：CN105701443B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201510888887.7
申请日：2015-12-07
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: G06K9/00
Abstract: 一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含：一基板，具有相对的一第一表面与一第二表面；一电容感测层，位于第二表面上，电容感测层具有相对于第二表面的一第三表面，并包含多个电容感测电极位于该第二表面上以及与多条金属导线位于电容感测电极上；以及一运算晶片，位于第三表面上，并电性连接至电容感测电极。本发明不仅能够大幅节省制程的时间与机台的成本，且能够提升晶片封装体侦测时的准确度。
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