公开(公告)号：CN105917454B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201580004435.6

申请日：2015-01-14

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： J·伊洛雷塔 ,  M·A·拉芬 ,  L·波斯拉夫斯基 ,  T·卡阿卡 ,  赵强 ,  李列泉

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/12

Abstract: 本发明提出用于基于可重复使用的参数模型产生复杂装置结构的测量模型的方法及工具。采用这些模型的计量系统经配置以测量与不同半导体制造工艺相关联的结构及材料特性。所述可重复使用的参数子结构模型由模型构建工具的用户输入的一组独立参数来完全定义。与模型形状及组成的几何结构元件之间的内部约束条件相关联的全部其它变量在所述模型内予以预定义。在一些实施例中，一或多个可重复使用的参数模型被集成到复杂半导体装置的测量模型中。另一方面，模型构建工具基于来自用户的输入产生可重复使用的参数子结构模型。所得模型可被导出到可由其它用户使用的文件，且可包括安全特征以控制与特定用户共享敏感知识产权。

公开(公告)号：CN105917454A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201580004435.6

申请日：2015-01-14

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： J·伊洛雷塔 ,  M·A·拉芬 ,  L·波斯拉夫斯基 ,  T·卡阿卡 ,  赵强 ,  李列泉

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/12

Abstract: 本发明提出用于基于可重复使用的参数模型产生复杂装置结构的测量模型的方法及工具。采用这些模型的计量系统经配置以测量与不同半导体制造工艺相关联的结构及材料特性。所述可重复使用的参数子结构模型由模型构建工具的用户输入的一组独立参数来完全定义。与模型形状及组成的几何结构元件之间的内部约束条件相关联的全部其它变量在所述模型内予以预定义。在一些实施例中，一或多个可重复使用的参数模型被集成到复杂半导体装置的测量模型中。另一方面，模型构建工具基于来自用户的输入产生可重复使用的参数子结构模型。所得模型可被导出到可由其它用户使用的文件，且可包括安全特征以控制与特定用户共享敏感知识产权。