公开(公告)号：CN104810352B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201510030734.9

申请日：2009-07-16

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： M·E·阿德尔 ,  L·波斯拉夫斯基 ,  J·菲尔登 ,  J·M·麦德森 ,  R·彼得斯

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L22/30 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明为通过使用前馈侧馈以及测量单元再使用的改进量度，属于半导体器件加工领域。随着半导体器件的部件尺寸越来越小，改进量度性能/生产率以及器件相关性的能力变得非常重要。本发明通过实施新颖的目标设计和使用前馈方案对薄膜/临界尺寸和叠对度量性能/生产率以及器件相关性的改进，使设置时间、度量时间最小化，并且使形成于半导体器件上的掩模版覆盖面积最小化。具体地，本发明提出用于在制造半导体器件中使用的测试结构，包括衬底和形成在衬底上或材料层中的两个或更多个测试单元；在第一测试单元上建模第一测量，所述第一测试单元形成在部分已制造的器件的层中；在所述层中的第二测试单元上执行第二测量；信息的馈送和进一步的建模。