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公开(公告)号：CN115746854B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202211580431.0
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种立方型纳米PN结SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料及制备方法，由硒化锌材料和硒化锡材料交替包覆所组成的立方形核壳结构量子阱材料，以P型材料硒化锡为核，以N型材料硒化锌为壳，以P型材料硒化锡为第二阱层，再以N型材料硒化锌为壳。通过制备有机前驱体、热注入法、高温合成与退火、纯化等工艺，制备出立方型SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料。本发明运用热注入法制备具有立方型形貌的多阱核壳量子阱材料，方法便于控制，所制备的材料具有高量子效率、特殊的形貌结构、良好的结构稳定性，在太阳能电池、照明、显示等材料领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN115651638B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202211580432.5
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有一维核壳异质结构的PN结CdSe/PbS/CdS量子阱材料及其制备方法，由硒化镉材料和硫化镉材料包裹硫化铅材料所组成的核壳结构材料，以硒化镉为核，以硫化铅为中间层，再以硫化镉为壳，通过制备有机前驱体、热注入法、高温合成与退火、纯化等工艺，制备出核壳异质结构CdSe/PbS/CdS量子阱材料。本发明运用热注入法制备具有核壳异质结构CdSe/PbS/CdS量子阱材料，过程清晰明了，操作便于控制，所制备的具有N‑P‑N异质结型的材料，相比于其他的量子点具有更优异的量子效率、良好的光学特性、可调的激发波长，在量子点的照明、光电探测、显示技术等材料领域有巨大的应用潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115776823A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211580096.4
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米板异质结构CdS/CdTe/CdS量子阱发光层的QWLED及其制备方法，以硫化镉为种子，采用核‑种子侧向壳生长的方法获得碲化镉冠区，然后再用相同的方法在碲化镉上得到硫化镉平面的量子阱材料为发光层，制备的包含有机空穴传输层、无机电子传输层、核壳量子阱发光层的LED器件，本发明运用热注入法制备具有纳米板异质结构CdS/CdTe/CdS量子阱材料，并展示了一种量子阱LED制备方法，核壳量子阱结构新颖，PN结材料性能优异，器件结构稳定高效，制备的量子阱材料具有连续的PN异质结构、高量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，所制备的量子阱LED器件具备优异的电致发光效率和外量子效率。
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公开(公告)号：CN115776823B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202211580096.4
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米板异质结构CdS/CdTe/CdS量子阱发光层的QWLED及其制备方法，以硫化镉为种子，采用核‑种子侧向壳生长的方法获得碲化镉冠区，然后再用相同的方法在碲化镉上得到硫化镉平面的量子阱材料为发光层，制备的包含有机空穴传输层、无机电子传输层、核壳量子阱发光层的LED器件，本发明运用热注入法制备具有纳米板异质结构CdS/CdTe/CdS量子阱材料，并展示了一种量子阱LED制备方法，核壳量子阱结构新颖，PN结材料性能优异，器件结构稳定高效，制备的量子阱材料具有连续的PN异质结构、高量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，所制备的量子阱LED器件具备优异的电致发光效率和外量子效率。
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公开(公告)号：CN115746854A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211580431.0
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种立方型纳米PN结SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料及制备方法，由硒化锌材料和硒化锡材料交替包覆所组成的立方形核壳结构量子阱材料，以P型材料硒化锡为核，以N型材料硒化锌为壳，以P型材料硒化锡为第二阱层，再以N型材料硒化锌为壳。通过制备有机前驱体、热注入法、高温合成与退火、纯化等工艺，制备出立方型SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料。本发明运用热注入法制备具有立方型形貌的多阱核壳量子阱材料，方法便于控制，所制备的材料具有高量子效率、特殊的形貌结构、良好的结构稳定性，在太阳能电池、照明、显示等材料领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN115734634A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211580087.5
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于立方型核壳多阱量子阱发光层的QLED器件及其制备方法，由以P型材料硒化锡为核，以N型材料硒化锌为壳，以P型材料硒化锡为第二阱层，再以N型材料硒化锌为壳的立方型SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱为发光层，制备的包含有机空穴传输层、无机电子传输层、发光层的LED器件。本发明运用热注入法制备具有立方型SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料，其结构新颖，发光层形貌优异规整，器件结构稳定高效，所制备的量子阱材料具有连续的PN异质结构、立方形貌、良好的结构稳定性，所制备的量子阱LED器件具备优异的电致发光效率和外量子效率。
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公开(公告)号：CN115651638A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211580432.5
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有一维核壳异质结构的PN结CdSe/PbS/CdS量子阱材料及其制备方法，由硒化镉材料和硫化镉材料包裹硫化铅材料所组成的核壳结构材料，以硒化镉为核，以硫化铅为中间层，再以硫化镉为壳，通过制备有机前驱体、热注入法、高温合成与退火、纯化等工艺，制备出核壳异质结构CdSe/PbS/CdS量子阱材料。本发明运用热注入法制备具有核壳异质结构CdSe/PbS/CdS量子阱材料，过程清晰明了，操作便于控制，所制备的具有N‑P‑N异质结型的材料，相比于其他的量子点具有更优异的量子效率、良好的光学特性、可调的激发波长，在量子点的照明、光电探测、显示技术等材料领域有巨大的应用潜力。
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