一种双栅极调控无注入发光器件制备工艺

    公开(公告)号:CN119730646A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202411513877.0

    申请日:2024-10-29

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种双栅极调控无注入发光器件制备工艺,包括:在衬底上镀膜第一导电层并光刻,形成第一载流子驱动电极、第一栅极调控电极以及第二栅极调控电极;在第一载流子驱动电极上镀膜第一绝缘层并光刻,形成第一无注入绝缘介质层;在第一无注入绝缘介质层上制备发光功能层;在发光功能层镀膜第二绝缘层,对第二绝缘层进行光刻,形成第二无注入绝缘介质层;在第二无注入绝缘介质层上镀膜第二导电层并光刻,形成第二载流子驱动电极;在第一载流子驱动电极和第一栅极调控电极上制备第一传输层,在第二载流子驱动电极和第二栅极调控电极上制备第二传输层。本发明有效改善无注入发光器件的发光效率和发光亮度,且能够灵活地对二者进行调控。

    一种共用栅压的全彩栅极调控发光器件

    公开(公告)号:CN119521978A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411405243.3

    申请日:2024-10-10

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种共用栅压的全彩栅极调控发光器件,包括:多个通过行列排布的发光单元,发光单元包括阳极、发光功能层、阴极,且发光单元分为红色发光单元、绿色发光单元以及蓝色发光单元;发光单元的阳极和/或阴极侧设置栅极绝缘层,栅极绝缘层上设置栅极调控电极,红色发光单元、绿色发光单元以及蓝色发光单元对应的栅极绝缘层厚度依次递减;发光单元的阳极与薄膜晶体管开关的漏极相连接,薄膜晶体管开关的漏极还与放大场效应晶体管的栅极相连接,放大场效应晶体管的漏极与栅极调控电极相连接,放大场效应晶体管的源极连接至第一调控电压源。本发明可以简化栅极调控结构,且保证各个发光单元的栅压调控具有独立性。

    一种液晶透镜及其制备工艺
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117148644A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202311123244.4

    申请日:2023-09-01

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种液晶透镜及其制备工艺,其中,液晶透镜包括:第一基板;第一基板上设置有第一电极和第二电极;第一电极和第二电极上覆盖设置有高阻导电层;第一电极和第二电极之间的高阻导电层上设置有若干个导电跨越带;设置于第一基板对向的第二基板,第二基板上设置有公共面电极;设置于第一基板和第二基板之间的液晶层,液晶层内填充有液晶分子;其中,液晶透镜被配置为:响应于透镜的构建需求,向第一电极施加第一电位,向第二电极施加第二电位,向公共面电极施加第三电位,液晶层内的液晶分子受电场作用形成透镜。本发明在保证液晶透镜良好的光学特性的同时,简化液晶透镜制备流程,提高液晶透镜适用范围。

    一种基于液晶透镜的二维三维切换显示屏

    公开(公告)号:CN117348299A

    公开(公告)日:2024-01-05

    申请号:CN202311351929.4

    申请日:2023-10-18

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于液晶透镜的二维三维切换显示屏,包括:第一基板;第一基板上设置有多个第一电极组,各个第一电极组内包括数量相同的第一环形电极,各个第一环形电极呈同心环排布;设置于第一基板对向的第二基板;第二基板上与第一基板上的各个第一环形电极相对应区域设置有第二环形电极组;第二环形电极组包括多个第二环形电极且各个第二环形电极组用于施加不同偏置电压以使第二环形电极组与第一环形电极之间形成渐变电位差;设置于第一基板和第二基板之间的液晶层,液晶层内填充有液晶分子。本发明在提高显示效果的同时无需增加过多的驱动电压源。

    一种基于电流调控的无注入发光器件结构

    公开(公告)号:CN119730565A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202411513853.5

    申请日:2024-10-29

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开一种基于电流调控的无注入发光器件结构,涉及光电显示领域,所述发光器件结构包括:电子驱动电极层、第一无注入绝缘介质层、发光复合层、第二无注入绝缘介质层、空穴驱动电极层、电流栅传输层和电流栅电极层,电流栅电极层与电子驱动电极层和/或所述空穴驱动电极层之间时间直流偏置信号;所述直流偏置信号用于在所述第一半周期和/或所述第二半周期调控所述发光复合层内的所述电子、所述空穴受交流信号驱动而分离和复合的所述响应速度或所述响应量,以使所述电子、所述空穴在所述发光复合层内的分离和复合的所述响应速度或所述响应量趋于平衡,本发明能够有效提高无注入发光器件的电子空穴发光复合效率。

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