公开(公告)号：CN118398704A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410517415.X

申请日：2024-04-28

Applicant: 福州大学

Inventor： 张永爱 ,  陈超 ,  林俊成 ,  苏文娟 ,  林坚普 ,  周雄图 ,  吴朝兴 ,  郭太良

IPC: H01L31/153 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明公开一种金属‑半导体‑金属光电探测器与发光二极管的同质集成结构，涉及光电显示领域，一种金属‑半导体‑金属光电探测器与发光二极管的同质集成结构，其特征在于，所述同质集成结构包括：衬底；半导体缓冲外延层；设置于所述半导体缓冲外延层上的第一金属接触层，第二金属接触层；其中，所述第一金属接触层与所述‑第二金属接触层之间设置有用于接收待探测光的开口区；所述第一金属接触层、所述开口区所对应的所述半导体缓冲外延层、所述第二金属接触层构成MSM结构单元；设置于所述半导体缓冲外延层上的LED‑PN结单元；所述LED‑PN结单元包括下层半导体、上层半导体；且所述下层半导体的台阶面上设置有第三金属接触层，所述第二金属接触层与所述第三金属接触层之间设置有第一金属层电连接；所述第一金属层与所述下层半导体之间设置有第一绝缘层；设置于所述LED‑PN结单元的所述上层半导体上的所述第四接触层；其中，所述第一金属接触层、所述开口区所对应的所述半导体缓冲外延层、所述第二金属接触层、所述第一金属层、所述LED‑PN结单元依次相连用于与外界驱动根据所述开口区的受光情况而形成电通路。

公开(公告)号：CN118315416A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410517402.2

申请日：2024-04-28

Applicant: 福州大学

Inventor： 张永爱 ,  林俊成 ,  陈超 ,  苏文娟 ,  林坚普 ,  周雄图 ,  吴朝兴 ,  郭太良

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种光电共同调控混合隧道结双极型晶体管，涉及半导体领域，双极型晶体管包括：衬底、设置于衬底上的第三N型氮化镓层、设置于衬底上的第二P型氮化镓层和发射极金属接触层、设置于第二P型氮化镓层上的基极金属接触层和第一P型重掺杂氮化镓层、依次设置于第一P型重掺杂氮化镓层上的非故意掺杂氮化镓铟极化层、第二N型重掺杂氮化镓层、第一N型氮化镓层，以及设置于第一N型氮化镓层上的集电极金属接触层。本发明通过设置隧道结，可以增强空穴注入，降低器件电阻，提高器件的响应速度。本发明克服金属有机化学气相沉积法制备的工艺困难，通过分子束外延生长过程中引入氢的缺失，减低制造隧道结器件的工艺难度并提升器件性能。