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公开(公告)号：CN102473829B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201080033749.6
申请日：2010-07-16
Applicant: 电气化学工业株式会社
IPC: H01L33/62 , H01L23/373 , H01L33/64
CPC classification number: H01L33/641 , H01L23/142 , H01L24/73 , H01L25/0753 , H01L33/647 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供散热性得到显著改善的可靠性高的LED封装体、LED封装体的制造方法、以及在该LED封装体中使用的LED芯片接合体。LED封装体的特征在于，LED芯片接合体(10)与电路基板(11)接合，所述电路基板(11)是通过在金属基板(5)上隔着绝缘层(4)形成金属电路(3)而制成，上述LED芯片接合体的LED芯片(1)与上述电路基板的金属电路(3)通过电连接构件(9)连接，至少上述LED芯片接合体和上述电连接构件是由含有荧光物质的树脂密封材料(8)密封。
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公开(公告)号：CN103797598A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201280044399.2
申请日：2012-09-05
Applicant: 电气化学工业株式会社
IPC: H01L33/64
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L33/30 , H01L33/48 , H01L33/641 , H01L2933/0025 , H01L2933/0075 , H01L33/0066
Abstract: 本发明涉及一种包覆材料，其是层叠包含不同材料的多层而成、介由金属层而被接合在III-V族半导体晶面的LED发光元件保持基板用包覆材料，其中线膨胀系数为14×10-6/K以下，温度25℃的热传导率为200W/mK以上。尤其，本发明涉及一种包覆材料，该包覆材料包含交替层叠二层铜层与钼层的三层，钼层的比例为10～60体积%，二层铜层的厚度差为5%以下，或者包含交替层叠三层铜层与钼层的五层，钼层的比例为20～70体积%，上下面的二层铜层及钼层的厚度差为5%以下。
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公开(公告)号：CN102317236A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201080007857.6
申请日：2010-02-08
Applicant: 电气化学工业株式会社
IPC: C04B41/88 , C01B31/04 , H01L23/373 , H01L33/64
CPC classification number: C04B41/88 , B22F3/26 , B23D57/0023 , B23D61/185 , B28D5/045 , C04B41/009 , C04B41/5155 , C04B2111/00844 , H01L23/142 , H01L23/373 , H01L23/3735 , H01L33/641 , H01L2924/0002 , H05K1/05 , H05K2201/0323 , Y10T83/04 , Y10T428/24273 , Y10T428/24909 , Y10T428/24917 , C04B41/4519 , C04B41/4521 , C04B41/4523 , C04B41/5096 , C04B35/522 , C04B38/00 , H01L2924/00
Abstract: 在本发明的基板制备方法中，使用多线切割机并基于下述(1)-(4)的条件将铝-石墨复合体加工成厚度为0.5-3mm的板状。其中，所述铝-石墨复合体的表面粗糙度(Ra)为0.1-3μm，温度为25℃时的热导率为150-300W/mK，正交的3方向的热导率的最大值/最小值为1-1.3，温度为25℃-150℃时的热膨胀系数为4×10-6-7.5×10-6/K，正交的3方向的热膨胀系数的最大值/最小值为1-1.3，且3点弯曲强度为50-150MPa。所述条件为：(1)接合的磨粒为选自金刚石、C-BN、碳化硅、氧化铝的1种以上物质，其平均粒径为10-100μm；(2)线径为0.1-0.3mm；(3)走线速度为100-700m/分钟；(4)切入速度为0.1-2mm/分钟。
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公开(公告)号：CN101427367B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200780014043.3
申请日：2007-04-23
Applicant: 电气化学工业株式会社
IPC: H01L23/373
CPC classification number: H01L23/3733 , C04B41/009 , C04B41/5155 , C04B41/52 , C04B41/88 , C04B41/90 , C04B2111/00844 , C22C1/1036 , C22C29/065 , C22C32/0063 , C22C2001/1073 , H01L23/13 , H01L23/15 , H01L23/3731 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , Y10T428/12479 , Y10T428/24496 , Y10T428/24999 , C04B41/4521 , C04B41/4523 , C04B41/5096 , C04B41/515 , C04B14/4631 , C04B41/4541 , C04B41/5144 , C04B35/565 , C04B38/00 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供适合作为电源模块用底板的铝-碳化硅复合体。该电源模块用底板的特征在于，由铝-碳化硅复合体形成，该复合体通过将平板状碳化硅多孔体成形或加工成面内厚度差为100μm以下后以1～20Nm的面方向的紧固力矩用脱模板夹持而层叠、并使其含浸以铝为主要成分的金属而得到；在两主面具有由以铝为主要成分的金属形成的铝层，该铝层的平均厚度为10～150μm，铝层的面内厚度的最大值与最小值之差为80μm以下，两主面的铝层的平均厚度之差为50μm以下，且上述碳化硅多孔体的形状是长方形，或是在长方形上附加了将孔部包围的部分的外周部而形成的形状。
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公开(公告)号：CN102317236B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201080007857.6
申请日：2010-02-08
Applicant: 电气化学工业株式会社
IPC: H01L23/373 , H01L33/64 , C04B41/88 , C01B31/04
CPC classification number: C04B41/88 , B22F3/26 , B23D57/0023 , B23D61/185 , B28D5/045 , C04B41/009 , C04B41/5155 , C04B2111/00844 , H01L23/142 , H01L23/373 , H01L23/3735 , H01L33/641 , H01L2924/0002 , H05K1/05 , H05K2201/0323 , Y10T83/04 , Y10T428/24273 , Y10T428/24909 , Y10T428/24917 , C04B41/4519 , C04B41/4521 , C04B41/4523 , C04B41/5096 , C04B35/522 , C04B38/00 , H01L2924/00
Abstract: 在本发明的基板制备方法中，使用多线切割机并基于下述(1)-(4)的条件将铝-石墨复合体加工成厚度为0.5-3mm的板状。其中，所述铝-石墨复合体的表面粗糙度(Ra)为0.1-3μm，温度为25℃时的热导率为150-300W/mK，正交的3方向的热导率的最大值/最小值为1-1.3，温度为25℃-150℃时的热膨胀系数为4×10-6-7.5×10-6/K，正交的3方向的热膨胀系数的最大值/最小值为1-1.3，且3点弯曲强度为50-150MPa。所述条件为：(1)接合的磨粒为选自金刚石、C-BN、碳化硅、氧化铝的1种以上物质，其平均粒径为10-100μm；(2)线径为0.1-0.3mm；(3)走线速度为100-700m/分钟；(4)切入速度为0.1-2mm/分钟。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102484188A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080034961.4
申请日：2010-07-29
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: C04B35/565 , B22F2998/10 , C04B35/52 , C04B41/009 , C04B41/52 , C04B41/90 , C04B2235/3826 , C04B2235/427 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C22C1/1036 , C22C1/1094 , C22C26/00 , C22C29/065 , C22C29/16 , H01L33/0079 , H01L33/60 , H01L33/641 , H01L2924/0002 , Y10T428/23 , C04B38/00 , C04B35/581 , C04B35/584 , C04B35/185 , C04B41/4523 , C04B41/5155 , C04B41/4572 , C04B41/5031 , C04B41/4529 , C04B41/4574 , C04B41/5111 , C04B41/5144 , C04B41/522 , C04B41/4564 , C04B41/5116 , B22F3/04 , C23C16/00 , C25D7/12 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供与LED在线性热膨胀系数上的差异小且导热性优异的LED搭载用晶片、该LED搭载用晶片的制造方法、以及使用该LED搭载用晶片制造的LED搭载结构体。优选LED搭载用晶片(6)是由金属浸渗陶瓷复合体(61)以及在其周围形成的保护层(62)构成，金属浸渗陶瓷复合体(61)在表面具有金属薄层(63)。一种晶片的制造方法，其特征在于，在金属制或陶瓷制的管状体的内部填充选自陶瓷多孔体、陶瓷粉末成形体及陶瓷粉末中的至少一者，之后，使选自这些陶瓷多孔体、陶瓷粉末成形体及陶瓷粉末中的至少一者所具有的空隙部浸渗金属，然后进行加工。
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公开(公告)号：CN101361184A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200680051032.8
申请日：2006-11-13
Applicant: 电气化学工业株式会社
IPC: H01L23/373 , C04B35/565 , C04B41/88 , C22C29/06 , H01L23/12
CPC classification number: H01L23/13 , C04B35/565 , C04B35/71 , C04B41/009 , C04B41/5155 , C04B41/88 , C04B2111/00844 , C04B2235/3217 , C04B2235/3418 , C04B2235/402 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C04B2235/77 , C04B2235/9607 , C22C1/0475 , C22C1/051 , C22C29/065 , H01L23/15 , H01L23/3731 , H01L23/3733 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , Y10T428/12361 , Y10T428/12389 , Y10T428/12479 , Y10T428/12736 , Y10T428/12993 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/249957 , Y10T428/249969 , Y10T428/249974 , C04B41/4521 , C04B41/4523 , C04B38/00 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供适合作为电源模块用底板的铝－碳化硅复合体。该电源模块用底板是以铝为主要成分的金属浸渗入平板状碳化硅多孔体所形成的铝－碳化硅复合体，其特征在于，仅在一主面具有由以铝为主要成分的金属形成的铝层，在作为另一主面的背面上铝－碳化硅复合体露出，其形状为长方形或在长方形上附加了将外周部的孔部包围的部分而形成的形状。通过在一主面上配置铝层来赋予可镀性，通过磨削加工背面使铝－碳化硅复合体露出来提高平面度，进而通过控制上述铝层的厚度来控制背面磨削加工后的翘曲形状。
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公开(公告)号：CN103733331A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280037344.9
申请日：2012-07-17
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: H01L23/3735 , B22D18/02 , B22F7/08 , B32B15/016 , C22C21/00 , C22C26/00 , C22C45/04 , C23C18/1653 , C25D5/12 , C25D5/50 , C25D7/00 , F28F3/00 , H01L23/3732 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体元件用散热器件，其于包含含有40～70体积%的金刚石粒子且剩余部分是以铝为主成分的金属、厚度为0.4～6mm的板状体的两面，被覆由以铝为主成分的金属或铝-陶瓷系复合材料形成的被覆层而形成铝-金刚石系复合体，在其至少两主面，从主面侧依序形成(1)膜厚0.1～1μm的非晶态的Ni合金层、(2)膜厚1～5μm的Ni层、及(3)膜厚0.05～4μm的Au层而成，此处，Ni合金层和Ni层的比率(Ni合金层厚/Ni层厚)为0.3以下。
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公开(公告)号：CN102149655B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200980135909.5
申请日：2009-07-14
Applicant: 电气化学工业株式会社
IPC: C04B41/88 , C04B35/52 , C22C21/00 , C22C26/00 , H01L23/373
CPC classification number: C04B41/88 , B22D19/00 , B22D19/14 , B22F7/04 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C04B35/52 , C04B35/62227 , C04B35/6263 , C04B41/009 , C04B41/5155 , C04B2111/00844 , C04B2235/3418 , C04B2235/427 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C04B2235/6027 , C04B2235/658 , C22C21/00 , C22C26/00 , H01L21/4871 , H01L23/3732 , H01L23/3736 , H01L2924/0002 , C04B41/4523 , C04B41/5096 , C04B38/00 , B22F3/11 , B22F3/26 , B22F3/1003 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的铝-金刚石类复合体的制备方法的特征在于，包括如下步骤：准备具有特定的粒径的金刚石粉末的步骤；对所述金刚石粒粉末添加胶态二氧化硅而得到浆料的步骤；通过对所述浆料进行冲压成形或浇铸成形，制备所述金刚石粒子的成形体的步骤；在大气中或氮气气氛下对所述成形体进行烧成，得到多孔金刚石成形体的步骤；加热所述多孔金刚石成形体的步骤；将铝合金加热至熔点以上，使其浸渗至所述多孔金刚石成形体中，制备两面被含有以铝为主要成分的金属的表面层覆盖的平板状的铝-金刚石类成形体的步骤；加工所述铝-金刚石类成形体，从而制备铝-金刚石类复合体的步骤。
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公开(公告)号：CN101438401A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200780015978.3
申请日：2007-05-08
Applicant: 电气化学工业株式会社
IPC: H01L23/15 , B22D19/00 , B24C1/00 , B26F3/00 , C04B35/565 , C04B41/88 , C04B41/91 , C22C29/06 , H01L23/12 , H01L23/36 , C22C1/10
CPC classification number: C04B41/88 , B22D19/14 , B24C1/045 , B26F3/004 , C04B35/565 , C04B35/6316 , C04B41/009 , C04B41/5155 , C04B2111/00844 , C04B2235/3418 , C04B2235/3826 , C04B2235/5436 , C04B2235/5481 , C04B2235/6583 , C22C29/065 , H01L21/4878 , H01L23/147 , H01L23/3733 , H01L23/3735 , H01L23/4922 , H01L2924/0002 , Y10T428/24999 , C04B41/4521 , C04B41/4523 , C04B41/4572 , C04B41/5096 , C04B41/515 , C04B41/53 , C04B38/00 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供适合作为功率模块用底板等的铝－碳化硅质复合体。它是将以铝为主要成分的金属含浸至平板状的碳化硅质多孔体中而形成的铝－碳化硅质复合体，其特征在于，两主面具有由以铝为主要成分的金属形成的铝层，对侧面部及孔部进行水喷射加工，使侧面不具有由以铝为主要成分的金属形成的铝层。
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