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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103797598A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201280044399.2
申请日：2012-09-05
Applicant: 电气化学工业株式会社
IPC: H01L33/64
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L33/30 , H01L33/48 , H01L33/641 , H01L2933/0025 , H01L2933/0075 , H01L33/0066
Abstract: 本发明涉及一种包覆材料，其是层叠包含不同材料的多层而成、介由金属层而被接合在III-V族半导体晶面的LED发光元件保持基板用包覆材料，其中线膨胀系数为14×10-6/K以下，温度25℃的热传导率为200W/mK以上。尤其，本发明涉及一种包覆材料，该包覆材料包含交替层叠二层铜层与钼层的三层，钼层的比例为10～60体积%，二层铜层的厚度差为5%以下，或者包含交替层叠三层铜层与钼层的五层，钼层的比例为20～70体积%，上下面的二层铜层及钼层的厚度差为5%以下。
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公开(公告)号：CN103733331A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280037344.9
申请日：2012-07-17
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: H01L23/3735 , B22D18/02 , B22F7/08 , B32B15/016 , C22C21/00 , C22C26/00 , C22C45/04 , C23C18/1653 , C25D5/12 , C25D5/50 , C25D7/00 , F28F3/00 , H01L23/3732 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体元件用散热器件，其于包含含有40～70体积%的金刚石粒子且剩余部分是以铝为主成分的金属、厚度为0.4～6mm的板状体的两面，被覆由以铝为主成分的金属或铝-陶瓷系复合材料形成的被覆层而形成铝-金刚石系复合体，在其至少两主面，从主面侧依序形成(1)膜厚0.1～1μm的非晶态的Ni合金层、(2)膜厚1～5μm的Ni层、及(3)膜厚0.05～4μm的Au层而成，此处，Ni合金层和Ni层的比率(Ni合金层厚/Ni层厚)为0.3以下。
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公开(公告)号：CN102484188B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201080034961.4
申请日：2010-07-29
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: C04B35/565 , B22F2998/10 , C04B35/52 , C04B41/009 , C04B41/52 , C04B41/90 , C04B2235/3826 , C04B2235/427 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C22C1/1036 , C22C1/1094 , C22C26/00 , C22C29/065 , C22C29/16 , H01L33/0079 , H01L33/60 , H01L33/641 , H01L2924/0002 , Y10T428/23 , C04B38/00 , C04B35/581 , C04B35/584 , C04B35/185 , C04B41/4523 , C04B41/5155 , C04B41/4572 , C04B41/5031 , C04B41/4529 , C04B41/4574 , C04B41/5111 , C04B41/5144 , C04B41/522 , C04B41/4564 , C04B41/5116 , B22F3/04 , C23C16/00 , C25D7/12 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供与LED在线性热膨胀系数上的差异小且导热性优异的LED搭载用晶片、该LED搭载用晶片的制造方法、以及使用该LED搭载用晶片制造的LED搭载结构体。优选LED搭载用晶片(6)是由金属浸渗陶瓷复合体(61)以及在其周围形成的保护层(62)构成，金属浸渗陶瓷复合体(61)在表面具有金属薄层(63)。一种晶片的制造方法，其特征在于，在金属制或陶瓷制的管状体的内部填充选自陶瓷多孔体、陶瓷粉末成形体及陶瓷粉末中的至少一者，之后，使选自这些陶瓷多孔体、陶瓷粉末成形体及陶瓷粉末中的至少一者所具有的空隙部浸渗金属，然后进行加工。
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公开(公告)号：CN102318093A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201080007859.5
申请日：2010-02-10
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: B22D18/02 , B22F3/26 , B22F2998/10 , C04B41/009 , C04B41/52 , C04B41/90 , C22C26/00 , C22C29/06 , C22C29/12 , C22C29/16 , H01L33/641 , H01L2924/0002 , Y10T428/12007 , C04B41/4521 , C04B41/4523 , C04B41/5155 , C04B41/4541 , C04B41/5144 , C04B41/51 , C04B41/522 , C04B35/04 , C04B38/00 , C04B35/565 , C04B35/584 , C04B35/581 , C04B35/52 , C04B35/522 , C04B35/505 , C04B41/00 , C23C30/00 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供与构成LED的III-V族半导体晶体的线热膨胀系数差较小且导热性优良，适合作为高功率LED使用的LED发光元件用基板。如下制备LED发光元件用复合材料基板：通过液态模锻法、以30MPa以上的浸渗压力使铝合金或纯铝浸渗多孔体，裁切和/或磨削加工成板厚为0.05-0.5mm、表面粗糙度(Ra)为0.01-0.5μm后，在表面形成含有选自Ni、Co、Pd、Cu、Ag、Au、Pt、Sn中的1种以上的金属的金属层，使得金属层厚度达到0.5-15μm，所述多孔体由选自碳化硅、氮化铝、氮化硅、金刚石、石墨、氧化钇及氧化镁中的1种以上形成，气孔率为10-50体积％，3点弯曲强度为50MPa以上。
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公开(公告)号：CN102484188A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080034961.4
申请日：2010-07-29
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: C04B35/565 , B22F2998/10 , C04B35/52 , C04B41/009 , C04B41/52 , C04B41/90 , C04B2235/3826 , C04B2235/427 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C22C1/1036 , C22C1/1094 , C22C26/00 , C22C29/065 , C22C29/16 , H01L33/0079 , H01L33/60 , H01L33/641 , H01L2924/0002 , Y10T428/23 , C04B38/00 , C04B35/581 , C04B35/584 , C04B35/185 , C04B41/4523 , C04B41/5155 , C04B41/4572 , C04B41/5031 , C04B41/4529 , C04B41/4574 , C04B41/5111 , C04B41/5144 , C04B41/522 , C04B41/4564 , C04B41/5116 , B22F3/04 , C23C16/00 , C25D7/12 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供与LED在线性热膨胀系数上的差异小且导热性优异的LED搭载用晶片、该LED搭载用晶片的制造方法、以及使用该LED搭载用晶片制造的LED搭载结构体。优选LED搭载用晶片(6)是由金属浸渗陶瓷复合体(61)以及在其周围形成的保护层(62)构成，金属浸渗陶瓷复合体(61)在表面具有金属薄层(63)。一种晶片的制造方法，其特征在于，在金属制或陶瓷制的管状体的内部填充选自陶瓷多孔体、陶瓷粉末成形体及陶瓷粉末中的至少一者，之后，使选自这些陶瓷多孔体、陶瓷粉末成形体及陶瓷粉末中的至少一者所具有的空隙部浸渗金属，然后进行加工。
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