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公开(公告)号：CN102184854B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110093629.1
申请日：2011-04-14
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L21/331 , H01L21/324
Abstract: 一种功率器件背面热退火时对正面金属图形的保护方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在完成功率器件正面制作工艺之后，先在功率器件正面金属图形表面涂覆一层有机硅树脂，有机硅树脂经预热固化之后，再进行功率器件背面制作工艺，待背面工艺完成之后将功率器件置于能够溶解有机硅树脂的有机溶剂中去除有机硅树脂。本发明由于在背面热退火之前，在器件正面金属图形表面涂覆并固化了一层耐高温的有机硅树脂，使得在对器件进行背面热退火时，可采用较高的退火温度和较长的退火时间来充分激活背部P区或N区的杂质离子的同时而器件正面金属图形不会遭到破坏。
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公开(公告)号：CN118610231A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410817650.9
申请日：2024-06-24
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 , 华润微电子(重庆)有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种具有屏蔽栅结构的超结MOS器件及制备方法，包括N+衬底、N‑漂移区、底层金属、顶层金属、P型柱、屏蔽栅沟槽、平面控制栅、N+源区、欧姆接触区、P型体区；本发明提供的具有屏蔽栅结构的超结MOS器件，优化了VDMOS器件整体电场，将原有的一维耗尽调整为二维耗尽，优化导通电阻与击穿电压之间的关系。同时，由于屏蔽栅的电荷耦合作用的存在，使得控制栅输入电荷减小、密勒电容减小。
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公开(公告)号：CN102157363B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110054844.0
申请日：2011-03-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/265
Abstract: 一种功率器件衬底背面的离子注入方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在完成功率器件正面工艺步骤后，在完成离子注入(离子注入之前可对衬底背面进行减薄或不减薄处理)和离子激活后，不像传统工艺直接进行金属铝层淀积，而是采用腐蚀或研磨的方法将衬底背面减薄至杂质注入层之后再淀积金属铝层，这样能够减小后续淀积的金属铝与衬底之间的接触电阻，消除不必要的寄生多层结构，使功率器件的漏电流、通态压降和开关时间降低。本发明适用于体硅、碳化硅、砷化镓、磷化铟或锗硅等半导体材料制作的功率半导体器件。
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公开(公告)号：CN102184948A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110118623.5
申请日：2011-05-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/41 , H01L29/08
Abstract: 一种改进的平面绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统平面非穿通型绝缘栅双极型晶体管中引入体电极结构，所述体电极结构位于两个P型基区5之间的N-漂移区中，由体电极二氧化硅氧化层所包围的和凹槽型多晶硅体电极组成。通过优化体电极上的电压，可以改善传统沟槽栅型绝缘栅双极型晶体管电场在沟槽栅下集中的缺点，有效的降低了沟槽栅底部的峰值电场，提高了器件的击穿电压；并且，在器件正向导通时，体电极上的电压可以在体电极厚氧化层外侧形成多子积累层，降低导通电阻，从而降低正向导通时的通态损耗。
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公开(公告)号：CN102054786A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010531896.8
申请日：2010-11-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/8249
Abstract: 一种非外延高压BCD器件的制备方法，属于半导体技术领域中的半导体制造技术。本发明提供一种在同一硅片上集成高压DMOS、高压采样器件SensorFET、低压BJT、低压CMOS、低压DMOS、MOS电容和阱电容、阱电阻以及多晶电阻等器件的工艺方法。本发明采用非外延BCD工艺，使用高能离子注入形成倒置阱来制作各种高压和低压器件，只有三个高温热过程，具有工艺步骤少、光刻版数目少和高温热过程少等优点，能很好应用于高压功率集成电路和电源管理集成电路等的制作，相对于以往常规外延工艺，在提高了器件及集成电路性能的同时，很好地节约了制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102054785A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010531541.9
申请日：2010-11-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/8249
Abstract: 一种高压BCD半导体器件的制造方法，属于半导体功率器件技术领域中的制造技术。包括工艺步骤如下：制备衬底；制备DNW；制备场氧；制备N阱、P阱；制备栅及场板；制备NSD；制备PSD；退火；NSD/PSD推结；制备欧姆孔；形成金属层；制备钝化层；制备PAD。通过本发明可以在同一芯片上制件高压JFET、高压nLDMOS、中压nLDMOS、低压LDMOS、低压CMOS、NPN晶体三极管、N阱和P阱电阻、N型电容等器件。设计者可以根据需要灵活选择。本发明还具有版次少，高温过程少，成本低，高压与低压器件兼容性好，普适性和不同IC生产线可移植性好等优点。
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公开(公告)号：CN118610232A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410819015.4
申请日：2024-06-24
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 , 华润微电子(重庆)有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种集成肖特基二极管的超结SGT器件及其制备方法，包括N型衬底、N型外延层、屏蔽栅沟槽、P型掺杂区、源区、体区、欧姆接触区、隔离介质层，以及欧姆接触金属、肖特基接触金属和底层金属；本发明所提出的结构基于超结SGT结构，在超结结构降低比导通电阻、屏蔽栅结构降低栅漏电荷的同时，器件内部集成肖特基结构，肖特基二极管替代原有的寄生PN结二极管进行续流，大幅降低了反向恢复所需抽取的少子电荷，加快了反向恢复的速度、改善了反向过冲，器件的反向恢复特性得到优化。
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公开(公告)号：CN113224148B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202110477496.1
申请日：2021-04-29
Applicant: 电子科技大学 , 无锡华润华晶微电子有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种具有氮化硅阻挡层的SGT器件及制备方法，包括从下至上依次层叠设置的金属化漏极、N+衬底、N‑漂移区和金属化源极；N‑漂移区中具有沟槽栅结构、P型掺杂区、P+重掺杂区和N+重掺杂区；沟槽栅结构包括氧化层、控制栅电极、氮化硅阻挡层和屏蔽栅电极；当器件正向导通时，控制栅电极接正电位，金属化漏极接正电位，金属化源极接零电位；当器件反向阻断时，控制栅电极和金属化源极短接且接零电位，金属化漏极接正电位；本发明具有较大的正向电流、较小的阈值电压、较小的导通电阻等特性，并且有效解决了SGT击穿电压不稳定的可靠性问题。
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公开(公告)号：CN102184854A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110093629.1
申请日：2011-04-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/331 , H01L21/324
Abstract: 一种功率器件背面热退火时对正面金属图形的保护方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在完成功率器件正面制作工艺之后，先在功率器件正面金属图形表面涂覆一层有机硅树脂，有机硅树脂经预热固化之后，再进行功率器件背面制作工艺，待背面工艺完成之后将功率器件置于能够溶解有机硅树脂的有机溶剂中去除有机硅树脂。本发明由于在背面热退火之前，在器件正面金属图形表面涂覆并固化了一层耐高温的有机硅树脂，使得在对器件进行背面热退火时，可采用较高的退火温度和较长的退火时间来充分激活背部P区或N区的杂质离子的同时而器件正面金属图形不会遭到破坏。
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公开(公告)号：CN102097479A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010594452.9
申请日：2010-12-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/265 , H01L21/336
Abstract: 一种低压埋沟VDMOS器件，属于半导体器件技术领域。本发明利用掩埋层沟道结构大大降低了沟道电阻，并且金属氧化物半导体结构的栅氧化层非常薄，利用金属氧化物半导体结构表面电场效应，栅源极间加正向电压时形成积累层而加反向电压时形成耗尽层，在很小的正向栅电压下栅氧化层的下半导体表面发生电子或者空穴积累，从而获得极低的导通电阻和良好的开关特性。该结构器件可广泛应用于便携式电源和CPU电源系统。
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