公开(公告)号：CN102184854B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201110093629.1

申请日：2011-04-14

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 李泽宏 ,  张超 ,  杨文韬 ,  单亚东 ,  肖璇 ,  吴宽

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/324

Abstract: 一种功率器件背面热退火时对正面金属图形的保护方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在完成功率器件正面制作工艺之后，先在功率器件正面金属图形表面涂覆一层有机硅树脂，有机硅树脂经预热固化之后，再进行功率器件背面制作工艺，待背面工艺完成之后将功率器件置于能够溶解有机硅树脂的有机溶剂中去除有机硅树脂。本发明由于在背面热退火之前，在器件正面金属图形表面涂覆并固化了一层耐高温的有机硅树脂，使得在对器件进行背面热退火时，可采用较高的退火温度和较长的退火时间来充分激活背部P区或N区的杂质离子的同时而器件正面金属图形不会遭到破坏。

公开(公告)号：CN102157363B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110054844.0

申请日：2011-03-08

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  肖璇 ,  张超 ,  吴宽 ,  谢加雄 ,  李婷 ,  刘小龙

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265

Abstract: 一种功率器件衬底背面的离子注入方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在完成功率器件正面工艺步骤后，在完成离子注入(离子注入之前可对衬底背面进行减薄或不减薄处理)和离子激活后，不像传统工艺直接进行金属铝层淀积，而是采用腐蚀或研磨的方法将衬底背面减薄至杂质注入层之后再淀积金属铝层，这样能够减小后续淀积的金属铝与衬底之间的接触电阻，消除不必要的寄生多层结构，使功率器件的漏电流、通态压降和开关时间降低。本发明适用于体硅、碳化硅、砷化镓、磷化铟或锗硅等半导体材料制作的功率半导体器件。

公开(公告)号：CN102184854A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110093629.1

申请日：2011-04-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  张超 ,  杨文韬 ,  单亚东 ,  肖璇 ,  吴宽

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/324

Abstract: 一种功率器件背面热退火时对正面金属图形的保护方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在完成功率器件正面制作工艺之后，先在功率器件正面金属图形表面涂覆一层有机硅树脂，有机硅树脂经预热固化之后，再进行功率器件背面制作工艺，待背面工艺完成之后将功率器件置于能够溶解有机硅树脂的有机溶剂中去除有机硅树脂。本发明由于在背面热退火之前，在器件正面金属图形表面涂覆并固化了一层耐高温的有机硅树脂，使得在对器件进行背面热退火时，可采用较高的退火温度和较长的退火时间来充分激活背部P区或N区的杂质离子的同时而器件正面金属图形不会遭到破坏。

公开(公告)号：CN102169892B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201110056140.7

申请日：2011-03-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  张超 ,  肖璇 ,  吴宽 ,  姜贯军 ,  余士江 ,  谢家雄

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 一种增强型平面绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在现有增强增强型平面绝缘栅双极型晶体管基础上，引入一个由P+体区和槽型金属化发射极构成的空穴旁路结构；在传统平面非穿通型绝缘栅双极型晶体管的基础上，引入由N型空穴势垒层和N-漂移区形成的JFET效应削弱结构，N型空穴势垒层所形成的扩充电流路径结构。N型空穴势垒层能够增大器件靠近发射极一侧的电导调制效应，减小JFET效应，并增加电子电流的流经面积，减小通态压降；槽型空穴旁路结构能够提高闩锁电流密度，加速空穴抽取，从而提高关断速度；且P+体区增大耗尽区面积，提高了击穿电压；槽型金属化发射极还能进一步减小器件的电阻，降低通态压降。

公开(公告)号：CN102169892A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110056140.7

申请日：2011-03-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  张超 ,  肖璇 ,  吴宽 ,  姜贯军 ,  余士江 ,  谢家雄

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 一种增强型平面绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在现有增强增强型平面绝缘栅双极型晶体管基础上，引入一个由P+体区和槽型金属化发射极构成的空穴旁路结构；在传统平面非穿通型绝缘栅双极型晶体管的基础上，引入由N型空穴势垒层和N-漂移区形成的JFET效应削弱结构，N型空穴势垒层所形成的扩充电流路径结构。N型空穴势垒层能够增大器件靠近发射极一侧的电导调制效应，减小JFET效应，并增加电子电流的流经面积，减小通态压降；槽型空穴旁路结构能够提高闩锁电流密度，加速空穴抽取，从而提高关断速度；且P+体区增大耗尽区面积，提高了击穿电压；槽型金属化发射极还能进一步减小器件的电阻，降低通态压降。

公开(公告)号：CN102157363A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110054844.0

申请日：2011-03-08

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  肖璇 ,  张超 ,  吴宽 ,  谢加雄 ,  李婷 ,  刘小龙

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265

Abstract: 一种功率器件衬底背面的离子注入方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在完成功率器件正面工艺步骤后，在完成离子注入(离子注入之前可对衬底背面进行减薄或不减薄处理)和离子激活后，不像传统工艺直接进行金属铝层淀积，而是采用腐蚀或研磨的方法将衬底背面减薄至杂质注入层之后再淀积金属铝层，这样能够减小后续淀积的金属铝与衬底之间的接触电阻，消除不必要的寄生多层结构，使功率器件的漏电流、通态压降和开关时间降低。本发明适用于体硅、碳化硅、砷化镓、磷化铟或锗硅等半导体材料制作的功率半导体器件。