公开(公告)号：CN118610231A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410817650.9

申请日：2024-06-24

Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 ,  华润微电子(重庆)有限公司

Inventor： 李泽宏 ,  李岫芸 ,  郭心如 ,  王彤阳 ,  叶俊 ,  肖璇 ,  桑雨果 ,  刘华瑞 ,  任敏 ,  王亚豪 ,  陈财

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种具有屏蔽栅结构的超结MOS器件及制备方法，包括N+衬底、N‑漂移区、底层金属、顶层金属、P型柱、屏蔽栅沟槽、平面控制栅、N+源区、欧姆接触区、P型体区；本发明提供的具有屏蔽栅结构的超结MOS器件，优化了VDMOS器件整体电场，将原有的一维耗尽调整为二维耗尽，优化导通电阻与击穿电压之间的关系。同时，由于屏蔽栅的电荷耦合作用的存在，使得控制栅输入电荷减小、密勒电容减小。

公开(公告)号：CN118610232A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410819015.4

申请日：2024-06-24

Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 ,  华润微电子(重庆)有限公司

Inventor： 李泽宏 ,  郭心如 ,  李岫芸 ,  王彤阳 ,  叶俊 ,  肖璇 ,  桑雨果 ,  刘华瑞 ,  任敏 ,  王亚豪 ,  陈财

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种集成肖特基二极管的超结SGT器件及其制备方法，包括N型衬底、N型外延层、屏蔽栅沟槽、P型掺杂区、源区、体区、欧姆接触区、隔离介质层，以及欧姆接触金属、肖特基接触金属和底层金属；本发明所提出的结构基于超结SGT结构，在超结结构降低比导通电阻、屏蔽栅结构降低栅漏电荷的同时，器件内部集成肖特基结构，肖特基二极管替代原有的寄生PN结二极管进行续流，大幅降低了反向恢复所需抽取的少子电荷，加快了反向恢复的速度、改善了反向过冲，器件的反向恢复特性得到优化。

公开(公告)号：CN112864018A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201911192262.1

申请日：2019-11-28

Applicant: 华润微电子(重庆)有限公司

Inventor： 姚鑫 ,  焦伟 ,  刘华瑞 ,  吕平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种沟槽型场效应晶体管结构及制备方法，制备方法包括：提供衬底，形成外延层，在外延层中形成器件沟槽，形成屏蔽介质层、屏蔽栅层、第一隔离介质层、栅介质层、栅极层、第二隔离介质层、体区、源极、源极接触孔、源极电极结构以及漏极电极结构。本发明在沟槽型场效应晶体管结构的制备过程中采用自对准工艺，使得元胞单元尺寸(Pitch)不受限于光刻机曝光能力和光刻机对位精度，从而可以进一步减小器件元胞单元尺寸，提高元胞密度，降低器件沟道电阻，得到电性参数稳定且特征导通电阻低的器件结构；通过设置包括“T”结构的形源极电极结构，增加了源极电极结构与源极和体区与的接触面积，从而可有效降低源极接触电阻，提高器件雪崩耐量。

公开(公告)号：CN115394829A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202110566514.3

申请日：2021-05-24

Applicant: 华润微电子(重庆)有限公司

Inventor： 焦伟 ,  刘华瑞

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供一种MOSFET器件及制备方法，引入具有不同掺杂浓度的双层外延以及较深的具有不同厚度栅介电层的沟槽栅极结构，能够使得在一定沟槽深度情况下MOSFET器件取得较高的耐压，显著降低了导通电阻和反向恢复时间；在沟槽栅极结构中，形成的具有不同厚度的栅介电层以及具有同一平面的栅导电层的复合沟槽栅结构的制备工艺简单，便于制造实现，且制造成本较低；在外延结构中引入缺陷中心，还可进一步的降低MOSFET器件的反向恢复时间，从而可大幅提升电源系统的整流效率，同时双层外延提供了软的反向恢复特性，显著降低了系统的电压和电流尖峰，提高了系统可靠性。

公开(公告)号：CN118173599A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202211589383.1

申请日：2022-12-09

Applicant: 华润微电子(重庆)有限公司

Inventor： 刘华瑞 ,  叶俊 ,  杨治宇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构及制造方法，该屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构包括衬底、外延叠层、离子注入层、体区、源区、沟槽、屏蔽栅、控制栅、场氧化层、栅氧化层及隔离层，其中，外延叠层包括自下而上依次层叠的至少两层外延层，任意相邻两层外延层中，位于上层的外延层的掺杂浓度高于位于下层的外延层的掺杂浓度，离子注入层位于外延叠层的一非顶层外延层的上表层中，且掺杂浓度高于顶层外延层的掺杂浓度。本发明法在外延叠层的顶层外延层与下层外延层之间形成高离子掺杂浓度的离子注入层，可改善外延浓度突变引起的输出电容突变，使得电容曲线下降斜率明显变缓，降低电压尖峰，从而有效防止元器件损坏，提高器件可靠性。

公开(公告)号：CN112864018B

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN201911192262.1

申请日：2019-11-28

Applicant: 华润微电子(重庆)有限公司

Inventor： 姚鑫 ,  焦伟 ,  刘华瑞 ,  吕平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种沟槽型场效应晶体管结构及制备方法，制备方法包括：提供衬底，形成外延层，在外延层中形成器件沟槽，形成屏蔽介质层、屏蔽栅层、第一隔离介质层、栅介质层、栅极层、第二隔离介质层、体区、源极、源极接触孔、源极电极结构以及漏极电极结构。本发明在沟槽型场效应晶体管结构的制备过程中采用自对准工艺，使得元胞单元尺寸(Pitch)不受限于光刻机曝光能力和光刻机对位精度，从而可以进一步减小器件元胞单元尺寸，提高元胞密度，降低器件沟道电阻，得到电性参数稳定且特征导通电阻低的器件结构；通过设置包括“T”结构的形源极电极结构，增加了源极电极结构与源极和体区与的接触面积，从而可有效降低源极接触电阻，提高器件雪崩耐量。