一种高温流体材料介电性能远距离测试装置及其测试方法

    公开(公告)号:CN112051453B

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN202010892305.3

    申请日:2020-08-31

    Abstract: 本发明提供一种高温流体材料介电性能远距离测试装置,属于介电性能测试领域。该装置通过在谐振腔上加载点聚焦天线,将待测材料放置于点聚焦天线的焦点处,将介质材料对天线辐射的影响转化为谐振腔谐振参数的变化,从而实现待测材料的介电性能测量,整个测试过程中,无需与待测材料接触即可实现介电性能测试,具有测试灵敏度高、作用距离远等特点,且测试装置简单易安装,适合现场原位检测。除此之外,本发明装置在待测材料位置固定的情况下,可将测试装置放置于移动平台上,通过移动测试装置,可以实现流体材料这种具有分布不均匀特殊材料的不同位置的等效介电性能测试。

    带前台辅助维修装置的飞机维修系统

    公开(公告)号:CN102785783B

    公开(公告)日:2014-12-17

    申请号:CN201210260648.3

    申请日:2012-07-26

    Abstract: 本发明属于带前台辅助维修装置的飞机维修系统,包括:含中央处理器、闪存器、随机存储器、显示器、SD卡和声卡、语音播放装置、摄像头、麦克风以及无线网卡的前台辅助维修装置;由含计算机主板、中央处理器、硬盘、内存、以太网卡、图像处理器及显示器、音频处理器的云计算服务器和无线路由器组成的云计算平台。前台可将语音请求经无线网络传输到后台,通过摄像头将现场情况传到后台显示、供专家技术分析用;然后通过声音、图像或者文字的形式反馈到前台以提供技术支持。因而具有前台辅助维修装置不需手动操作即可实现前、后台之间的语音、文字及图像等信息的交流,并给予前台的技术支持,有效提高了维修质量和效率,降低了维修成本等特点。

    一种高温流体材料介电性能远距离测试装置及其测试方法

    公开(公告)号:CN112051453A

    公开(公告)日:2020-12-08

    申请号:CN202010892305.3

    申请日:2020-08-31

    Abstract: 本发明提供一种高温流体材料介电性能远距离测试装置,属于介电性能测试领域。该装置通过在谐振腔上加载点聚焦天线,将待测材料放置于点聚焦天线的焦点处,将介质材料对天线辐射的影响转化为谐振腔谐振参数的变化,从而实现待测材料的介电性能测量,整个测试过程中,无需与待测材料接触即可实现介电性能测试,具有测试灵敏度高、作用距离远等特点,且测试装置简单易安装,适合现场原位检测。除此之外,本发明装置在待测材料位置固定的情况下,可将测试装置放置于移动平台上,通过移动测试装置,可以实现流体材料这种具有分布不均匀特殊材料的不同位置的等效介电性能测试。

    带前台辅助维修装置的飞机维修系统

    公开(公告)号:CN102785783A

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN201210260648.3

    申请日:2012-07-26

    Abstract: 该发明属于带前台辅助维修装置的飞机维修系统,包括:含中央处理器、闪存器、随机存储器、显示器、SD卡和声卡、语音播放装置、摄像头、麦克风以及无线网卡的前台辅助维修装置;由含计算机主板、中央处理器、硬盘、内存、以太网卡、图像处理器及显示器、音频处理器的云计算服务器和无线路由器组成的的云计算平台。前台可将语音请求经无线网络传输到后台,通过摄像头将现场情况传到后台显示、供专家技术分析用;然后通过声音、图像或者文字的形式反馈到前台以提供技术支持。因而具有前台辅助维修装置不需手动操作即可实现前、后台之间的语音、文字及图像等信息的交流,并给予前台的技术支持,有效提高了维修质量和效率,降低了维修成本等特点。

    一种低压埋沟VDMOS器件
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102097479A

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:CN201010594452.9

    申请日:2010-12-19

    Abstract: 一种低压埋沟VDMOS器件,属于半导体器件技术领域。本发明利用掩埋层沟道结构大大降低了沟道电阻,并且金属氧化物半导体结构的栅氧化层非常薄,利用金属氧化物半导体结构表面电场效应,栅源极间加正向电压时形成积累层而加反向电压时形成耗尽层,在很小的正向栅电压下栅氧化层的下半导体表面发生电子或者空穴积累,从而获得极低的导通电阻和良好的开关特性。该结构器件可广泛应用于便携式电源和CPU电源系统。

    一种基于微波热成像的吸波涂层内部缺陷检测装置及方法

    公开(公告)号:CN115406933B

    公开(公告)日:2025-03-04

    申请号:CN202210869594.4

    申请日:2022-07-21

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种基于微波热成像技术的吸波涂层内部缺陷检测装置及方法,属于吸波材料缺陷无损检测技术领域。该装置利用天线辐射的电磁信号致热吸波涂层,并借助红外热像仪测量涂层的内部缺陷的红外信号,通过改变致热功率使涂层表面的缺陷区域的温度达到动态平衡,结合热能与电磁能的转化关系,建立反射率、涂层入射场强以及缺陷区域温度的关系式,最终建立反射率与缺陷深度的关系。本发明方法不需考虑线缆损耗的影响,使得缺陷深度计算结果更为准确。

    一种红外无损检测的缺陷几何特征提取方法

    公开(公告)号:CN114487014B

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN202210092133.0

    申请日:2022-01-26

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种红外无损检测的缺陷几何特征提取方法,属于红外无损检测技术领域。该方法考虑了热扩散对图像分割造成的影响,基于双阈值将待检测的红外图像分割成黑、灰、白三种情况,分别对应无缺陷、热扩散影响和有缺陷三部分,然后再利用形态学边缘检测获取缺陷几何特征,实现在考虑热扩散影响下的缺陷几何特征的准确提取,具有准确率高的优势。

    一种基于微波热成像的吸波涂层内部缺陷检测装置及方法

    公开(公告)号:CN115406933A

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202210869594.4

    申请日:2022-07-21

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种基于微波热成像技术的吸波涂层内部缺陷检测装置及方法,属于吸波材料缺陷无损检测技术领域。该装置利用天线辐射的电磁信号致热吸波涂层,并借助红外热像仪测量涂层的内部缺陷的红外信号,通过改变致热功率使涂层表面的缺陷区域的温度达到动态平衡,结合热能与电磁能的转化关系,建立反射率、涂层入射场强以及缺陷区域温度的关系式,最终建立反射率与缺陷深度的关系。本发明方法不需考虑线缆损耗的影响,使得缺陷深度计算结果更为准确。

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