公开(公告)号：CN102157363A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110054844.0

申请日：2011-03-08

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  肖璇 ,  张超 ,  吴宽 ,  谢加雄 ,  李婷 ,  刘小龙

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265

Abstract: 一种功率器件衬底背面的离子注入方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在完成功率器件正面工艺步骤后，在完成离子注入(离子注入之前可对衬底背面进行减薄或不减薄处理)和离子激活后，不像传统工艺直接进行金属铝层淀积，而是采用腐蚀或研磨的方法将衬底背面减薄至杂质注入层之后再淀积金属铝层，这样能够减小后续淀积的金属铝与衬底之间的接触电阻，消除不必要的寄生多层结构，使功率器件的漏电流、通态压降和开关时间降低。本发明适用于体硅、碳化硅、砷化镓、磷化铟或锗硅等半导体材料制作的功率半导体器件。

公开(公告)号：CN102097479A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010594452.9

申请日：2010-12-19

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  姜贯军 ,  余士江 ,  李婷 ,  谢加雄 ,  任敏 ,  李吉 ,  肖璇 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336

Abstract: 一种低压埋沟VDMOS器件，属于半导体器件技术领域。本发明利用掩埋层沟道结构大大降低了沟道电阻，并且金属氧化物半导体结构的栅氧化层非常薄，利用金属氧化物半导体结构表面电场效应，栅源极间加正向电压时形成积累层而加反向电压时形成耗尽层，在很小的正向栅电压下栅氧化层的下半导体表面发生电子或者空穴积累，从而获得极低的导通电阻和良好的开关特性。该结构器件可广泛应用于便携式电源和CPU电源系统。

公开(公告)号：CN102097478A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010594451.4

申请日：2010-12-19

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  余士江 ,  姜贯军 ,  谢加雄 ,  李婷 ,  任敏 ,  张超 ,  刘小龙 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/265

Abstract: 一种极低导通电阻浅槽埋沟VDMOS器件，属于半导体器件技术领域。本发明利用掩埋层沟道结构大大降低了沟道电阻，并利用金属氧化物半导体结构表面电场效应，正向电压时形成积累层而反向电压时形成耗尽层。金属氧化物半导体结构的栅氧化层非常薄，在很小的正向栅电压下栅氧化层的下半导体表面发生电子或者空穴积累，从而获得极低的导通电阻。采用浅槽结构金属源极，使得工艺版次减少。该结构器件可广泛应用于便携式电源和CPU电源系统。

公开(公告)号：CN102054785A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN201010531541.9

申请日：2010-11-04

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  谢加雄 ,  余士江 ,  姜贯军 ,  张帅 ,  钱振华 ,  李婷 ,  张超 ,  任敏 ,  肖璇 ,  张波

IPC: H01L21/8249

Abstract: 一种高压BCD半导体器件的制造方法，属于半导体功率器件技术领域中的制造技术。包括工艺步骤如下：制备衬底；制备DNW；制备场氧；制备N阱、P阱；制备栅及场板；制备NSD；制备PSD；退火；NSD/PSD推结；制备欧姆孔；形成金属层；制备钝化层；制备PAD。通过本发明可以在同一芯片上制件高压JFET、高压nLDMOS、中压nLDMOS、低压LDMOS、低压CMOS、NPN晶体三极管、N阱和P阱电阻、N型电容等器件。设计者可以根据需要灵活选择。本发明还具有版次少，高温过程少，成本低，高压与低压器件兼容性好，普适性和不同IC生产线可移植性好等优点。

公开(公告)号：CN101976687A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN201010515063.2

申请日：2010-10-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  姜贯军 ,  余士江 ,  邓光平 ,  李婷 ,  谢加雄 ,  张超 ,  任敏 ,  刘小龙 ,  张波

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06

Abstract: 一种低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管，属于半导体器件技术领域。本发明提供的低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管具有一个结型场效应管区(4)和一个电子积累层结构(12)；所述结型场效应管区(4)由两个深P体区(5)和之间的N-外延层(3)构成；所述电子积累层结构(12)由两个N型重掺杂区(7)、N-外延层(3)和N-外延层(3)表面的栅氧化层(8)以及栅电极(9)构成。本发明利用金属氧化物半导体结构表面电场效应，正向电压时形成多子积累层而反向电压时形成多子耗尽层，可获得非常低的导通压降，同时可承受很高的反向击穿电压并且泄漏电流非常小，更好地实现了正向导通压降与反向恢复时间之间的折衷。

公开(公告)号：CN102054786B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201010531896.8

申请日：2010-11-04

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  姜贯军 ,  余士江 ,  谢加雄 ,  张帅 ,  胡涛 ,  李婷 ,  张超 ,  任敏 ,  肖璇 ,  张波

IPC: H01L21/8249

Abstract: 一种非外延高压BCD器件的制备方法，属于半导体技术领域中的半导体制造技术。本发明提供一种在同一硅片上集成高压DMOS、高压采样器件SensorFET、低压BJT、低压CMOS、低压DMOS、MOS电容和阱电容、阱电阻以及多晶电阻等器件的工艺方法。本发明采用非外延BCD工艺，使用高能离子注入形成倒置阱来制作各种高压和低压器件，只有三个高温热过程，具有工艺步骤少、光刻版数目少和高温热过程少等优点，能很好应用于高压功率集成电路和电源管理集成电路等的制作，相对于以往常规外延工艺，在提高了器件及集成电路性能的同时，很好地节约了制造成本。

公开(公告)号：CN102054785B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201010531541.9

申请日：2010-11-04

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  谢加雄 ,  余士江 ,  姜贯军 ,  张帅 ,  钱振华 ,  李婷 ,  张超 ,  任敏 ,  肖璇 ,  张波

IPC: H01L21/8249

Abstract: 一种高压BCD半导体器件的制造方法，属于半导体功率器件技术领域中的制造技术。包括工艺步骤如下：制备衬底；制备DNW；制备场氧；制备N阱、P阱；制备栅及场板；制备NSD；制备PSD；退火；NSD/PSD推结；制备欧姆孔；形成金屈层；制备钝化层；制备PAD。通过本发明可以在同一芯片上制件高压JFET、高压nLDMOS、中压nLDMOS、低压LDMOS、低压CMOS、NPN晶体三极管、N阱和P阱电阻、N型电容等器件。设计者可以根据需要灵活选择。本发明还具有版次少，高温过程少，成本低，高压与低压器件兼容性好，普适性和不同IC生产线可移植性好等优点。

公开(公告)号：CN102394237A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201110399904.2

申请日：2011-12-06

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  任敏 ,  张灵霞 ,  邓光敏 ,  刘小龙 ,  谢加雄 ,  李婷 ,  张波

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L29/7804

Abstract: 一种具有温度采样和过温保护功能的复合VDMOS器件，属于功率半导体器件领域。本发明集成了VDMOS器件、多晶硅热敏二极管和过温保护电路，利用多晶硅热敏二极管正向压降的负温度特性，将其制作于VDMOS器件表面的绝缘层上以实现VDMOS器件工作温度的采样；过温保护电路基于多晶硅热敏二极管的温度采样信号对整个复合VDMOS器件的栅输入电压Vin进行分压得到VDMOS器件的栅控电压VG，进而对VDMOS器件实现过温保护：即当VDMOS器件工作温度达到TH时，关断VDMOS器件；当VDMOS器件关断后内部温度降到TL时，启动VDMOS器件；其中ΔT＝TH-TL为温度回差。本发明能够实现对VDMOS器件温度的精确采样和过温保护，以防止器件的热失效和增加器件使用寿命，具有结构简单、采样精确度高、与VDMOS器件工艺兼容、单片集成等优点。

公开(公告)号：CN102157363B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110054844.0

申请日：2011-03-08

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  肖璇 ,  张超 ,  吴宽 ,  谢加雄 ,  李婷 ,  刘小龙

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265

Abstract: 一种功率器件衬底背面的离子注入方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在完成功率器件正面工艺步骤后，在完成离子注入(离子注入之前可对衬底背面进行减薄或不减薄处理)和离子激活后，不像传统工艺直接进行金属铝层淀积，而是采用腐蚀或研磨的方法将衬底背面减薄至杂质注入层之后再淀积金属铝层，这样能够减小后续淀积的金属铝与衬底之间的接触电阻，消除不必要的寄生多层结构，使功率器件的漏电流、通态压降和开关时间降低。本发明适用于体硅、碳化硅、砷化镓、磷化铟或锗硅等半导体材料制作的功率半导体器件。

公开(公告)号：CN101976687B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201010515063.2

申请日：2010-10-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  姜贯军 ,  余士江 ,  邓光平 ,  李婷 ,  谢加雄 ,  张超 ,  任敏 ,  刘小龙 ,  张波

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06

Abstract: 一种低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管，属于半导体器件技术领域。本发明提供的低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管具有一个结型场效应管区(4)和一个电子积累层结构(12)；所述结型场效应管区(4)由两个深P体区(5)和之间的N-外延层(3)构成；所述电子积累层结构(12)由两个N型重掺杂区(7)、N-外延层(3)和N-外延层(3)表面的栅氧化层(8)以及栅电极(9)构成。本发明利用金属氧化物半导体结构表面电场效应，正向电压时形成多子积累层而反向电压时形成多子耗尽层，可获得非常低的导通压降，同时可承受很高的反向击穿电压并且泄漏电流非常小，更好地实现了正向导通压降与反向恢复时间之间的折衷。