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公开(公告)号：CN119789433A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510274964.3
申请日：2025-03-10
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于但不限于算力芯片领域，尤其涉及一种新型三维存算一体芯片阵列结构及其制备方法，拥有一层存储单元层，该存储单元层内包含多个存储单元，用于数据存储；基于NOR架构的存储阵列可以对任意单元进行访问从而进行计算任务；通过将存储单元用于计算任务实现存算一体减少了数据传输带来的能耗，通过优化互联通道的设计，降低了信号传输延迟，从而提升整体性能，控制模块用于对每个NOR型存储单元进行精准控制，通过优化的互联通道设计，降低信号传输延迟；通过三维集成架构进一步提升性能，在三维结构上集成更多的单元，从而实现更高的集成度和更短的信号传输路径，有效解决容量不够的问题。
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公开(公告)号：CN117355150A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311339518.3
申请日：2023-10-12
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明提供了一种基于光屏蔽/增强效应的光密码锁及其制备方法，整个研究涵盖分别具有光屏蔽和光增强功能的两种神经形态器件以及硬件层面加密逻辑电路。器件结构包括底栅、栅绝缘层、电解质层、界面修饰层、有机半导体层、水平栅、源漏电极。对器件分别进行电学性质测试，判定两种器件分别存在光屏蔽效应和不同光波长增强效应两种功能，可以用于产生光密码锁硬件信息加密逻辑电路中的“0”态和“1”态信号。而且，两种神经形态器件由于采用相似的结构和功能材料，具有相近的输出电流水平，有利于将两种神经形态器件和其他电子元器件集成，实现信息加密功能。
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公开(公告)号：CN116322084A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211556969.8
申请日：2022-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明提供了一种掺杂离子盐的栅调控横向神经形态器件及其制备方法，整个器件包括：衬底、电解质功能层、电荷捕获层、有机半导体层、水平栅和源漏电极，所述电解质功能层设置于衬底上，电荷捕获层设置于电解质功能层背离衬底的一面，有机半导体层位于电荷捕获层背离电解质功能层的一面；有机半导体层隔开，上方分别设有水平栅和源漏电极，位于源漏电极下方的半导体作为沟道层，位于水平栅下方的半导体作为浮栅层。本发明神经形态器件具有良好的电学性能，在空气环境中相比氢离子电解质器件具有更高的稳定性；同时器件具有显著的光响应，在负栅压作用下存在明显的回滞现象。本发明器件工艺简单，成本低，可以在神经形态电路中广泛应用。
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公开(公告)号：CN115915773A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211534933.X
申请日：2022-12-02
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于有机半导体领域，公开了一种电导可调的电双层效应神经形态器件及其制备方法，电导可调的电双层效应神经形态器件由下至上依次为衬底，电解质层，并五苯层，栅极，源极、漏极；所述电解质层，形成于所述衬底正上方；所述有机半导体层，以间隔的形式形成于所述电解质层的正上方；所述栅极，源极和漏极，以共面的形式分别形成于隔开的有机半导体层的正上方，其中所述源极和所述漏极中间留有沟道。本发明利用有机酸混掺在壳聚糖中，借助有机酸使壳聚糖质子化的作用以及电解质层在栅压作用下形成的电双层效应，能够灵活调控器件电导，且电学性能稳定，有望在类脑芯片得到广泛的应用。
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公开(公告)号：CN117952049A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410050001.0
申请日：2024-01-11
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G06F30/343 , G06F30/347 , G06F119/04
Abstract: 本发明属于应力测量技术领域，公开了一种FPGA电路老化应力的系统级测量方法及系统对FPGA设计进行布局布线后仿真，生成VCD文件；对VCD文件进行分析，得到信号翻转率和占空比；将得到的信号数据映射到FPGA内部，得到FPGA电路的老化情况。本发明提供了一种基于物理参数的非线性降维方法，大幅降低训练时间，加速工艺参数优化效率。本发明基于对老化效应的系统级抽象，以及FPGA厂商工具提供的功耗和时序报告，对FPGA电路受到的应力进行测量，以帮助设计人员在设计流程的早期阶段选择适当的老化缓解方法，以延长FPGA使用寿命。该方法不需要FPGA的器件级信息，不借助第三方老化分析工具，具有较好的普适性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116033759A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211563296.9
申请日：2022-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种写入与读取异构的双栅神经形态器件及其制备方法，包括底栅电极、栅绝缘层、电解质层、电荷捕获层、有机半导体层、水平栅电极、源漏电极，其特征在于，所述神经形态器件的水平栅和有机半导体层位于电荷捕获层上方，二者隔开；源漏电极位于有机半导体层上方。本发明所提供的器件同时具有底栅和水平栅，双栅结构使本发明器件可以实现底栅写入、水平栅读取或者水平栅写入、底栅读取等操作，有效避免了器件在写入、读取操作时产生的串扰问题；器件同时还存在电双层效应和电荷捕获效应两种电荷效应；器件大部分采用溶液法制备，工艺简单便于操作，成本低易推广，且具有良好的稳定性。
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公开(公告)号：CN114036878A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111262692.3
申请日：2021-10-28
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 神经形态电路中包含众多的神经形态器件，此时对器件权重更新(电导调控)越精准、简洁越好，即“学习”的难度降低。当前对权重更新的调控面临电导呈非线性/不对称性变化、必须采用双极性电脉冲(正、负电压)调控等科学问题，增加了神经形态器件权重更新的难度；本专利通过制备电荷捕获效应与电双层效应并存的双重神经形态器件，利用两种电荷效应对半导体层调控速率的不同实现单极性电脉冲对权重更新的调控，通过两种电荷效应形成相互抑制作用增强电导调控的线性度以及对称性，解决神经形态电路中权重更新困难的问题。
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公开(公告)号：CN117677210A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311669815.4
申请日：2023-12-04
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种1T1T双共栅界面修饰神经形态器件及其制备方法，底栅；介电层，位于底栅的正上方；界面修饰层，位于于介电层的正上方；电荷捕获层，位于界面修饰层左边的正上方；沟道层，分别位于电荷捕获层的正上方和界面修饰层右边的正上方；源电极、漏电极，分别位于两个沟道层的正上方；左面器件的漏电极和右面器件的源电极相连。本发明利用门控器件的开关特性，极大的保证工作器件的稳定性，确保了工作器件电学性能稳定性并提高了器件的耐受性；采用底栅共接地方式，使工作器件和开关器件的电场方向都保持竖直方向，保证器件能独立运行工作，有利于底栅顶接触式的晶体管设计实现阵列化制备。
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公开(公告)号：CN117677208A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311645289.8
申请日：2023-12-04
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明提供了一种基于芳香基自组装界面修饰材料的人工突触器件及其制备方法，所述人工突触器件由下至上依次包括底栅、栅绝缘层、界面修饰层、传输层、源极、漏极，所述源极、漏极共平面，所述界面修饰层为自组装小分子制备而成充当电荷捕获和界面修饰作用，所述自组装分子包含芳香功能团、烷基链、键合基团。本发明与现有技术相比，人工突触器件结构简单，电学性能好，界面修饰层具有纳米级别的厚度且突触性能可由芳香功能团定制化调控等优点，是制备大规模人工突触芯片的备选技术。
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公开(公告)号：CN117641945A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311596684.1
申请日：2023-11-27
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种共栅型神经形态器件阵列及其制备方法，由多个器件组成阵列，这些器件均共栅且共接地，调控器件电导通过漏极施加电压注入。器件结构由下至上依次为栅电极，介电层，电荷捕获层，半导体传输层，源极，漏极。本发明通过阵列共栅极接地，漏极注入电荷，使每个器件的电场方向始终保持在竖直方向，所以阵列上每个器件的电场都不会对相邻器件造成干扰，保证了每个器件的写入信息的相对独立性，进而保证了整个神经形态阵列测试的真实有效性，大大简化了神经形态阵列的设计复杂性。本发明提供的制备方法，工艺相对简单，操作便利，与目前的CMOS半导体制备工艺相兼容。
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