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公开(公告)号：CN105136870A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510605927.2
申请日：2015-09-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造氢气传感器的方法及其氢气传感器，包括：在硅衬底的第一表面上形成铝层，并对铝层进行阳极氧化处理形成具有多个小孔的氧化铝层；在小孔内壁上形成碳原子层；在氧化铝层上形成上电极；在硅衬底的第二表面上形成下电极。本发明的实施例中的氢气传感器具有响应速度快、重复性好、工作温度低、结构简单、体积小等优点，在室温下对0.05%-2%体积浓度的氢气敏感。此外，本发明实施例的制造氢气传感器的方法工艺简单，可重复性好。
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