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公开(公告)号：CN117355150A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311339518.3
申请日：2023-10-12
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明提供了一种基于光屏蔽/增强效应的光密码锁及其制备方法，整个研究涵盖分别具有光屏蔽和光增强功能的两种神经形态器件以及硬件层面加密逻辑电路。器件结构包括底栅、栅绝缘层、电解质层、界面修饰层、有机半导体层、水平栅、源漏电极。对器件分别进行电学性质测试，判定两种器件分别存在光屏蔽效应和不同光波长增强效应两种功能，可以用于产生光密码锁硬件信息加密逻辑电路中的“0”态和“1”态信号。而且，两种神经形态器件由于采用相似的结构和功能材料，具有相近的输出电流水平，有利于将两种神经形态器件和其他电子元器件集成，实现信息加密功能。
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公开(公告)号：CN116322084A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211556969.8
申请日：2022-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明提供了一种掺杂离子盐的栅调控横向神经形态器件及其制备方法，整个器件包括：衬底、电解质功能层、电荷捕获层、有机半导体层、水平栅和源漏电极，所述电解质功能层设置于衬底上，电荷捕获层设置于电解质功能层背离衬底的一面，有机半导体层位于电荷捕获层背离电解质功能层的一面；有机半导体层隔开，上方分别设有水平栅和源漏电极，位于源漏电极下方的半导体作为沟道层，位于水平栅下方的半导体作为浮栅层。本发明神经形态器件具有良好的电学性能，在空气环境中相比氢离子电解质器件具有更高的稳定性；同时器件具有显著的光响应，在负栅压作用下存在明显的回滞现象。本发明器件工艺简单，成本低，可以在神经形态电路中广泛应用。
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公开(公告)号：CN115915773A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211534933.X
申请日：2022-12-02
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于有机半导体领域，公开了一种电导可调的电双层效应神经形态器件及其制备方法，电导可调的电双层效应神经形态器件由下至上依次为衬底，电解质层，并五苯层，栅极，源极、漏极；所述电解质层，形成于所述衬底正上方；所述有机半导体层，以间隔的形式形成于所述电解质层的正上方；所述栅极，源极和漏极，以共面的形式分别形成于隔开的有机半导体层的正上方，其中所述源极和所述漏极中间留有沟道。本发明利用有机酸混掺在壳聚糖中，借助有机酸使壳聚糖质子化的作用以及电解质层在栅压作用下形成的电双层效应，能够灵活调控器件电导，且电学性能稳定，有望在类脑芯片得到广泛的应用。
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公开(公告)号：CN115988885A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211556308.5
申请日：2022-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种兼具铁电极化效应及电荷捕获效应的神经形态器件，包含栅电极、栅绝缘层、铁电极化层、电荷捕获层、有机半导体层、源电极、漏电极，所述栅绝缘层位于栅极的正上方，所述铁电极化层位于栅绝缘层的正上方，所述电荷捕获层位于铁电极化层的正上方，所述有机半导体层位于电荷捕获层的正上方，所述源电极、漏电极位于有机半导体层的正上方。本发明的神经形态器件通过添加铁电极化层和电荷捕获层，使得器件同时具备铁电极化效应及电荷捕获效应，且电学性能稳定，制备成本低，因此，这种同时具有铁电极化效应及电荷捕获效应的神经形态器件有望在集成多功能器件方面得到推广应用。
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公开(公告)号：CN115768135A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211506888.7
申请日：2022-11-28
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种基于电荷捕获材料的电解质栅控神经形态器件及其制备方法，所述神经形态器件包括底栅、栅绝缘层、电解质层、电荷捕获层、有机半导体层、水平栅、源漏电极。本发明通过电学性质测试，可判定器件存在电荷捕获效应和电双层效应两种电荷机理。而且，器件采用水平栅+底栅的双栅极结构，可以通过改变连接栅极，来调控两种电荷机理的主导作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117677209A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311648306.3
申请日：2023-12-04
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明提供了一种权重更新快速置零的神经形态器件阵列，所述神经形态器件阵列由若干个单一神经形态器件结构组成，所述单一神经形态器件结构由下至上依次分为底栅电极、栅绝缘层、自组装单分子层、半导体传输层，所述单一神经形态器件结构还包括源极、漏极，所述源极、漏极并列位于半导体传输层上，所有所述单一神经形态器件的底栅电极始终共地或悬空。本发明采用漏极接入读写电压脉冲的存储方式，通过底栅极悬空不接地的方法，在读写过程中，栅极在漏极电压的作用下诱导出等效电压，从而改变栅极和漏极之间的电场强度，实现权重更新快速置零的操作，进而保证了神经形态器件阵列权重更新的即时有效性。
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公开(公告)号：CN117674822A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311669116.X
申请日：2023-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明提供了一种基于神经形态器件的新型光控或非门逻辑电路及其制备方法，所述或非门逻辑电路由一个晶体管型神经形态器件与光控开关构成，所述晶体管型神经形态器件由栅极、介电层、电荷捕获层、半导体层、源极、漏极构成，介电层位于栅极上方，电荷捕获层位于介电层上方，半导体层位于电荷捕获层上方，源、漏电极共平面位于半导体层上方，所述晶体管型神经形态器件的源极与栅极分别与光控开关的两极相连接，源极始终接地。本发明电压脉冲通过漏极注入，利用光照射光控开关控制栅极与源极连接与否，以此改变器件中电场方向与强度来调控输出电流信号，实现或非门逻辑功能的演示。与传统基于CMOS器件制备的或非门电路相比，本发明中提出的基于神经形态器件的新型光控或非门逻辑电路具有结构简单、操控简易且可光驱动等优势。
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公开(公告)号：CN115768134A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211503346.4
申请日：2022-11-28
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种具有光屏蔽效应的神经形态器件及其制备方法。本发明打破传统神经形态器件的光淬灭方法，引入电解质层，可以大幅提高器件的光稳定性，有利于器件在强光下避免干扰而保持正常的工作状态。适用性强，由于本发明利用了电解质层的激子淬灭作用，所以对于绝大多数有机半导体层产生的光生激子都能起到相同的作用。工艺简单，与现有的神经形态器件制备工艺相匹配。
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公开(公告)号：CN116033759A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211563296.9
申请日：2022-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种写入与读取异构的双栅神经形态器件及其制备方法，包括底栅电极、栅绝缘层、电解质层、电荷捕获层、有机半导体层、水平栅电极、源漏电极，其特征在于，所述神经形态器件的水平栅和有机半导体层位于电荷捕获层上方，二者隔开；源漏电极位于有机半导体层上方。本发明所提供的器件同时具有底栅和水平栅，双栅结构使本发明器件可以实现底栅写入、水平栅读取或者水平栅写入、底栅读取等操作，有效避免了器件在写入、读取操作时产生的串扰问题；器件同时还存在电双层效应和电荷捕获效应两种电荷效应；器件大部分采用溶液法制备，工艺简单便于操作，成本低易推广，且具有良好的稳定性。
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公开(公告)号：CN117677210A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311669815.4
申请日：2023-12-04
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种1T1T双共栅界面修饰神经形态器件及其制备方法，底栅；介电层，位于底栅的正上方；界面修饰层，位于于介电层的正上方；电荷捕获层，位于界面修饰层左边的正上方；沟道层，分别位于电荷捕获层的正上方和界面修饰层右边的正上方；源电极、漏电极，分别位于两个沟道层的正上方；左面器件的漏电极和右面器件的源电极相连。本发明利用门控器件的开关特性，极大的保证工作器件的稳定性，确保了工作器件电学性能稳定性并提高了器件的耐受性；采用底栅共接地方式，使工作器件和开关器件的电场方向都保持竖直方向，保证器件能独立运行工作，有利于底栅顶接触式的晶体管设计实现阵列化制备。
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