公开(公告)号：CN102498543A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080040495.0

申请日：2010-08-20

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 派崔克·M·马汀 ,  史蒂芬·D·卡尔森 ,  丹尼尔·吴 ,  朴正旭

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/32139 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337

Abstract: 一种图案化基底的方法，包括：提供抗蚀剂特征阵列，抗蚀剂特征阵列由相邻抗蚀剂特征之间的第一间距及第一间隙宽度界定。将粒子引入至抗蚀剂特征阵列中，其中抗蚀剂特征阵列变得硬化。引入粒子可引起抗蚀剂特征的关键尺寸减小。在硬化的抗蚀剂特征的侧部部分上提供侧壁。在形成侧壁之后，移除硬化的抗蚀剂特征，从而留下配置于基底上的分离的侧壁阵列。所述侧壁阵列提供遮罩，以对配置于侧壁下方的基底层中的特征进行双图案化，其中形成于基底中的特征阵列具有第二间距，第二间距等于第一间距的一半。

公开(公告)号：CN102498543B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201080040495.0

申请日：2010-08-20

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 派崔克·M·马汀 ,  史蒂芬·D·卡尔森 ,  丹尼尔·吴 ,  朴正旭

IPC: G03C5/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/32139 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337

Abstract: 一种图案化基底的方法，包括：提供抗蚀剂特征阵列，抗蚀剂特征阵列由相邻抗蚀剂特征之间的第一间距及第一间隙宽度界定。将粒子引入至抗蚀剂特征阵列中，其中抗蚀剂特征阵列变得硬化。引入粒子可引起抗蚀剂特征的关键尺寸减小。在硬化的抗蚀剂特征的侧部部分上提供侧壁。在形成侧壁之后，移除硬化的抗蚀剂特征，从而留下配置于基底上的分离的侧壁阵列。所述侧壁阵列提供遮罩，以对配置于侧壁下方的基底层中的特征进行双图案化，其中形成于基底中的特征阵列具有第二间距，第二间距等于第一间距的一半。