公开(公告)号：CN103380494A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201280009549.6

申请日：2012-02-22

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 路斯·史丁 ,  卢多维克·葛特 ,  派崔克·M·马汀

IPC: H01L21/768 ,  C23C14/22

CPC classification number: H01L21/76814 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831

Abstract: 控制等离子与等离子壳层之间的边界，以使得形状的一部分不平行于由面对等离子的工件的前表面所界定的平面。将等离子中的离子导向工件。这些离子可密封工件上的结构中的孔洞或者清洁工件上的结构中的材料。此结构可例如是具有多个侧壁。可进行清洁结构中的材料以及密封结构中的孔洞两者皆进行的工艺。