公开(公告)号：CN119894065A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411914058.7

申请日：2024-12-24

Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 李辉斌 ,  李理 ,  陈家胜 ,  刘颖聪 ,  宋旋坤

IPC: H10D64/01 ,  H10D64/62

Abstract: 本发明公开的SiC晶圆结构背银缺陷改善方法及其制作的SiC器件，属于半导体器件加工技术领域。所述方法包括：S1、在SiC衬底正面加工并形成正面工艺膜层；S2、在SiC衬底背面加工背面欧姆金属层；S3、在欧姆金属层表面背金中间金属层；S4、在中间金属层表面通过低温加工方式背金第一银层；S5、在第一银层表面通过高温加工方式背金第二银层。本发明中，高温加工方式背金的第二银层更加致密，抵御高温下测试粗糙化能力更强，但是应力大；故而先通过低温加工方式加工一层粗糙但应力小的第一银层，达到应力逐步释放的目的。这样，背金后的SiC晶圆结构在后续电性能参数CP测试和晶圆可靠性测试过程中，就不会呈现宏观肉眼可见的白斑缺陷。

公开(公告)号：CN119871693A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411913939.7

申请日：2024-12-24

Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 李辉斌 ,  李理 ,  刘颖聪 ,  周天彪 ,  陈唯一

IPC: B28D5/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明公开的SiC基器件划片裂片方法及其制作的SiC基器件，属于半导体加工技术领域。所述方法用于将包括SiC衬底、正面工艺层及正面金属图形层的晶圆结构分割为多个Die；包括：S1、晶圆背面贴膜，并根据预设切割线对晶圆正面进行开槽操作；S2、晶圆正面贴膜，并根据预设切割线对晶圆背面进行划片操作；S3、晶圆背面贴膜并进行正面裂片操作；S4、进行晶圆扩膜操作。本发明通过先在正面开槽后再在背面划片的工艺，使得晶圆正面和背面均形成割道，更便于裂片操作，避免裂片时因正面没有割道而导致挤压碎片的情形，从而提升良品率；而且，晶圆正面和背面的割道都不需要加工的太深，可以有效缓减刀轮过热及磨损消耗，从而提升划片裂片效率。

公开(公告)号：CN119943825A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411906273.2

申请日：2024-12-23

Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 李辉斌 ,  李理 ,  刘颖聪 ,  张其洋 ,  周天彪

IPC: H01L23/544 ,  H10D62/10 ,  H10D62/83 ,  H10D30/60 ,  H10D30/01

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件结构及其制备方法，属于半导体器件生产技术领域。该半导体器件结构包括沿第一方向依次设置的衬底、漂移区和若干保护层，保护层中对应半导体器件的相邻元胞区之间开设有供芯片切割使用的划片道。沿第一方向，划片道截面呈台阶状，且划片道截面宽度逐渐增大；第一方向为半导体器件的背面到正面的方向。该结构通过在保护层形成截面为台阶状的划片道，使得保护层能够大大降低划片过程中高速溅射的碎屑损坏元胞的概率，降低划片过程中产生的崩边；而且台阶状的划片道能够限定划片刀轮的区域，降低刀轮滑刀的概率。

公开(公告)号：CN119698040A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411917708.3

申请日：2024-12-24

Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 李辉斌 ,  李理 ,  邱舜国 ,  宋旋坤 ,  刘颖聪

IPC: H10D30/66 ,  H10D30/01 ,  H10D62/13 ,  H10D64/68

Abstract: 本申请公开了一种MOS器件和MOS器件的制备方法，包括至少一个源极沟槽结构，位于相邻两个第一侧面之间并与源区结构接触设置，源极沟槽结构包括第一栅极、第二栅极、第一介质层和第二介质层，第一介质层位于第一栅极和第二栅极之间，第一栅极、第二栅极和第一介质层构成第一结构，第二介质层分别位于第一结构的侧面和底面并与源区结构和漂移层接触，第一介质层至少包括由第二方向叠层设置第一材料层和第二材料层，第一材料层的材料具有的介电常数大于与第二材料层的材料具有的介电常数，第二方向为由衬底指向源区结构的方向。以解决相关技术中MOS器件中源漏之间反向漏电流损坏器件和源漏之间耦合面积较大导致功耗较大的问题。

公开(公告)号：CN119890080A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411914133.X

申请日：2024-12-24

Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 李辉斌 ,  李理 ,  阳小英 ,  刘颖聪 ,  宋旋坤

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明公开的本发明提供的超薄片晶圆的解键合方法及设备，属于半导体加工技术领域。本发明在晶圆送入清洗腔室前，先将所述清洗腔室与所述供料腔室及解键合腔室连通，使三腔室气压均为常压；将完成解键合后的晶圆传送至清洗腔室内后，将清洗腔室与所述供料腔室及解键合腔室隔断，使得晶圆在没有压差的环境下进行清洗，晶圆转动清洗时更稳定，不会发生漂移，同时也避免清洗液外溅；当完成对晶圆的清洗时，对所述清洗腔室抽气，使得清洗腔室与供料腔室再次连通时，供料腔室及解键合腔室与所述清洗腔室形成压差，避免取出晶圆时，清洗腔室残留的清洗液外溅，直到取出晶圆后停止抽气。本发明能够有效解决晶圆解键合工艺中清洗环节的晶圆漂移问题。