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公开(公告)号：CN119069538B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411565547.6
申请日：2024-11-05
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，包括至少一个元胞结构，元胞结构包括：衬底；漂移层，位于衬底的一侧；第一源区结构，位于漂移层背离衬底的一侧；第二源区结构，位于漂移层背离衬底的一侧，且第一源区结构背离衬底的一侧表面位于第二源区结构靠近衬底一侧的表面中；屏蔽区，位于漂移层和第二源区结构之间，屏蔽区包括多个第一屏蔽区，第一屏蔽区沿第一方向间隔分布，第一方向为衬底指向漂移层的方向。多个第一屏蔽区沿着第一方向的方向分别对器件中的载流子进行耗尽，进而降低了MOS器件中的内建电场，使得器件更加稳定，进而解决了相关技术中由于MOS器件在拐角处电场集中，易导致被击穿的问题。
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公开(公告)号：CN119361479A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411477514.6
申请日：2024-10-22
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及半导体刻蚀领域，公开了一种半导体刻蚀监测方法、装置、设备和存储介质，包括：确定晶圆的光谱图像数据中每一像素点的光谱向量；选取刻蚀层一像素点确定为第一基准像素点，且确定第一基准像素点对应的光谱向量为第一基准向量；将光谱图像数据中每一像素点的光谱向量与第一基准向量进行相似度对比，确定光谱图像数据中刻蚀层与终止层的分布区域；针对终止层的分布区域，从多个光谱波段中选取符合预设条件的光谱波段范围确定为终止层的特征谱段；基于终止层的特征谱段，对待刻蚀晶圆的刻蚀终点进行监测。本申请解决了在实际工艺中造成刻蚀终点监测不准的问题，根据终止层的特征谱段对刻蚀终点监测，提高刻蚀终点监测的准确性。
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公开(公告)号：CN118866973B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411342996.4
申请日：2024-09-25
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/07 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，包括衬底以及在衬底的一侧具有漂移层，漂移层具有背离衬底的第一表面，源区结构设置在漂移层中且由第一表面指向衬底的方向延伸，源区结构包括第一注入区、第二注入区和多个第三注入区，第一注入区间隔设置在漂移层中且由第一表面指向衬底的方向延伸，第一注入区具有第一侧面和第二侧面，第二注入区分别与第一注入区的底面和第一侧面接触，第三注入区间隔设置在漂移层中且由第一表面指向衬底的方向延伸，且第三注入区与第二侧面接触，至少一个第三注入区的底面与漂移层接触，第一注入区具有第一掺杂类型，第二注入区和第三注入区具有第二掺杂类型。以解决相关技术中外接FRD导致的MOS器件可靠性较低的问题。
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公开(公告)号：CN117267991A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311172468.4
申请日：2023-09-12
Applicant: 珠海凌达压缩机有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种滤网组件、分液器和压缩机，其中，滤网组件包括沿分液器的轴向依次设置的滤网和引流结构；所述引流结构包括多个引流通道，所述引流通道沿分液器的轴向延伸设置，多个所述引流通道沿分液器的周向间隔分布；分液器包括筒体，所述筒体顶部设置有进气管，所述筒体内设置有上述的滤网组件；所述引流结构连接在所述筒体的内壁，所述滤网与所述进气管相对设置。本发明的滤网组件，用引流结构代替滤网支架，将分液器上腔的气流分散引流到多个引流通道，形成多个结构相同的流道，实现气体流道的优化，改善分液器上腔的涡流扰动状态，进而降低分液器上腔的涡流气动噪声。
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公开(公告)号：CN108922162B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201810844939.4
申请日：2018-07-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种设备遥控方法、装置、存储介质和遥控系统，接收重发指令；其中，重发指令表征对循环模式下发送至目标设备的操作指令进行重发，操作指令用于控制目标设备执行对应操作；在接收到重发指令后获取发送至目标设备的上一次操作指令；将获取的上一次操作指令发送至目标设备。用户通过进行重发操作，如按重发键触发遥控设备接收重发指令，重发指令表征对循环模式下发送至目标设备的操作指令进行重发，在接收到重发指令后获取上一次操作指令并直接发送至目标设备，操作方便简单，遥控效率高，避免了传统的需要经过若干次操作，将遥控设备调整到发刚才指令时的状态才可以重新发送刚才的指令的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106642517A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610817398.7
申请日：2016-09-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: F24F11/00
CPC classification number: F24F2120/10 , F24F11/30 , F24F11/62 , F24F11/63 , F24F2110/00 , F24F2120/12 , F24F2120/14
Abstract: 本发明公开了一种空调的调温方法、装置及空调，该空调包括：获取所述空调所属空间中使用者的信息；基于所述信息，确定所述空调进行集中扫风的扫风模式；使所述空调按所述扫风模式进行集中扫风，以实现所述空调对所述使用者进行集中送风。本发明的方案，可以克服现有技术中调温效率低、节能效果差和用户体验差等缺陷，实现调温效率高、节能效果好和用户体验好的有益效果。
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公开(公告)号：CN104265612A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410387727.X
申请日：2014-08-07
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: F04B49/02
CPC classification number: F04B49/02
Abstract: 本发明提供了一种水泵控制方法。该水泵控制方法包括：检测步骤：利用温度传感器和湿度传感器检测安装有水泵的设备的产水量；控制步骤：如果设备的产水量大于或等于第一预设值，则开启水泵，如果设备的产水量小于第一预设值，则关闭水泵。根据本发明能够使水泵在需要的时候才开始工作，避免水泵一直运行耗电量高的问题，此外，使水泵间隔运行还便于水泵散热，提高水泵的使用寿命、降低水泵的故障率。
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公开(公告)号：CN119008440A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410971832.1
申请日：2024-07-19
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供了一种监控碳化硅晶圆翘曲的方法，包括：在碳化硅晶圆表面设置N个采样点，其中，N≥2。测量N个采样点的粗糙度，粗糙度在显微镜下测量得到。根据粗糙度监控研磨质量，粗糙度与碳化硅晶圆的翘曲呈正相关。若研磨质量异常，则更换研磨设备，或调整工艺参数。一个采样点的粗糙度较大，说明碳化硅晶圆在该点的局部翘曲较大；N个采样点的粗糙度均较大，说明碳化硅晶圆整体的翘曲较大。在加工碳化硅晶圆的过程中监控碳化硅晶圆表面N个采样点的粗糙度，根据粗糙度可以及时判断研磨质量是否存在异常，在研磨质量存在异常时，在硬件上更换研磨设备，或在软件上调整工艺参数，可以避免在后续加工过程中出现加工异常。
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公开(公告)号：CN118763121A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411256993.9
申请日：2024-09-09
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L27/07 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/872 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本申请公开了一种沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法，沟槽MOS器件包括贯穿源区并延伸至漂移层中的栅沟槽结构，栅沟槽结构包括栅介质层和栅极，栅介质层包括第一区域和第二区域，第一区域与第二区域分别在第一方向上具有第一厚度和第二厚度，第二厚度大于第一厚度；位于漂移层背离衬底的一侧的整流结构，整流结构包括半导体材料区域和漂移层区域，漂移层区域包括与半导体材料区接触的部分漂移层，半导体材料区域与漂移层具有不同的掺杂类型，以解决相关技术中MOS器件采用外反向并联的二极管导致的增大尺寸和可靠性差的问题。
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公开(公告)号：CN115347693A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202211155721.0
申请日：2022-09-22
Applicant: 珠海凌达压缩机有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种转子的平衡结构及转子组件、电机、压缩机，包括曲轴的中心线与偏心部几何中心构成曲轴偏心部中心平面，上平衡块的几何中心与曲轴的中心线构成上平衡块中心面，下平衡块的几何中心与曲轴的中心线构成下平衡块中心面，沿转子旋转方向上平衡块中心面相对曲轴偏心部中心平面形成有夹角a，沿转子旋转方向下平衡块中心面相对曲轴偏心部中心平面形成有夹角b。本发明通过在转子的上下端采用一种平衡结构，对压缩机运行时的动态平衡性能进行改善，有效降低压缩机的整机振动，并对从气缸排出的气体，优化转子上下端的气体流道，改善电机转子上下端平衡结构附近的涡流扰动状态，有效降低电机转子上下端的涡流气动噪声及整机噪声。
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