公开(公告)号：CN119905480A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202411906660.6

申请日：2024-12-23

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 吴昊霖 ,  刘磊仁 ,  王令 ,  李春艳 ,  廖勇波

IPC: H01L23/498 ,  H02M1/00 ,  H02M7/00 ,  H01L23/13 ,  H01L23/15 ,  H01L21/48 ,  B28B3/10 ,  B28B11/24

Abstract: 本发明公开了一种基板结构、智能功率模块、控制器、电器及基板制造方法，涉及半导体技术领域。本发明包括陶瓷覆铜基板和多个衔接柱体，陶瓷覆铜基板上设置有至少两个上芯区域。衔接柱体固定连接于陶瓷覆铜基板上，且多个衔接柱体对每个上芯区域形成围绕，衔接柱体与键合线的中间区域形成电性连接。从而可以通过衔接柱体，来作为键合线的中间衔接点，在新增芯片的情况下，键合线能够在电性连接过程中，弯折形成多段线段来减少键合线之间的交叉接触，且避免键合线由于线弧过长导致塌线与其他键合线发生接触的问题，提高了智能功率模块的基板结构的结构兼容性，降低了智能功率模块在产品迭代时的生产成本和缩短了研发周期。

公开(公告)号：CN117936397A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311832238.6

申请日：2023-12-27

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 吴灵美 ,  王令 ,  吴昊霖 ,  符广学 ,  刘磊仁 ,  勾涵

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种芯片连结的工艺方法和一种芯片模组，该工艺方法包括在DBC衬底的芯片焊接层的第一区域上逐层生长能够进行瞬态液相烧结的第一金属层和第二金属层；第一金属层为高熔点金属，第二金属层为低熔点金属，第一金属层的层数比第二金属层的层数多一；在DBC衬底的芯片焊接层的第二区域上印刷纳米金属焊膏，纳米金属焊膏的印刷厚度与第一区域的金属层总厚度相同；第二区域位于第一区域的外围；将芯片覆盖于连接层上，得到待烧结的组件；采用低于第二金属的熔点的预烧结温度对待烧结的组件进行预烧结，在高于第二金属层的熔点的烧结温度下对预烧结后的待烧结的组件进行烧结，从而实现芯片与衬底的连接。

公开(公告)号：CN118824967A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410821120.1

申请日：2024-06-24

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 吴昊霖 ,  刘磊仁 ,  廖勇波 ,  李春艳

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  H01L23/495 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种智能功率模块及其制造方法、控制器和家用电器，涉及半导体技术领域。本发明包括陶瓷基板、铜框架以及功率芯片，其中，所述陶瓷基板上开设有安装腔，所述铜框架内嵌于所述安装腔内。所述功率芯片安装于所述铜框架上，所述功率芯片产生的热量通过所述铜框架传递到所述陶瓷基板后，再通过所述陶瓷基板向外散发。由此，增加了陶瓷基板使得传递到铜框架上的芯片热量除了沿所述铜框架的底部传递之外，还可以沿所述铜框架的四侧进行热量传递，从而提高了所述智能功率模块的散热效率。

公开(公告)号：CN119725303A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411883903.9

申请日：2024-12-19

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 刘磊仁 ,  吴昊霖 ,  廖勇波 ,  李春艳

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 本申请公开了一种陶瓷基板及其制备方法、芯片封装结构，属于半导体封装技术领域。其中，通过在芯片的贴装区域之间设置凹槽，并在凹槽的底部沿凹槽延伸设置阻流条，能够利用凹槽及阻流条有效增加上导电层之间的爬电距离，降低了芯片模块在出现溢锡现象时的击穿风险，进一步缩短了芯片到上导电层边缘的间距限制，从而降低了陶瓷基板的整体尺寸，满足了半导体封装模块逐渐向小型化发展的趋势，因此，本申请实施例所提供陶瓷基板有效解决了现有陶瓷基板因溢锡现象导致无法进一步缩减尺寸的问题。

公开(公告)号：CN116313861A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310203219.0

申请日：2023-03-03

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 吴灵美 ,  王令 ,  吴昊霖 ,  符广学 ,  刘磊仁 ,  勾涵

IPC: H01L21/603 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明公开了一种芯片和基板的连接方法及芯片结构，连接方法包括如下步骤：S1、提供基板和芯片；S2、分别在所述基板的第一表面和所述芯片的第二表面形成金属颗粒层；所述金属颗粒层包括至少两种金属依次交替重叠形成的若干层纳米金属颗粒；S3、将所述基板的第一表面和所述芯片的第二表面接触，再进行烧结处理，以使所述基板和所述芯片连接。本发明的连接方法无需将纳米金属粉末与有机溶剂混合制成焊膏，仅需在基板以及芯片表面生长不同种类多尺寸的金属颗粒，即可实现烧结，能够避免有机溶剂蒸发和分解的过程，加快烧结过程，节省50％以上的时间。

公开(公告)号：CN116023122A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211624585.5

申请日：2022-12-16

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 吴昊霖 ,  李春艳 ,  廖勇波 ,  马颖江

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/622 ,  C04B35/634 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/10 ,  F24F5/00

Abstract: 本申请涉及一种空调、散热器及其成型方法，成型方法包括：制备包含光敏树脂的成型浆料；以成型浆料为原料采用光固化一体成型，得到散热器生胚；将散热器生胚低温煅烧，以去除光敏树脂；将煅烧后的散热器生胚进行高温烧结，以获得初始散热器；将初始散热器以预设方式进行热等静压处理，最终得到一体成型的散热器。该空调、散热器及其成型方法，使陶瓷散热器具有较高的致密度的同时，具有高导热率和高散热性能。

公开(公告)号：CN218827065U

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202221741343.X

申请日：2022-07-05

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 吴昊霖 ,  李春艳 ,  廖勇波 ,  马颖江

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/467 ,  H01L23/373

Abstract: 本实用新型提供了一种功率模块的散热结构，包括用于与所述功率模块连接的散热基板，所述散热基板上设置有多个顺次间隔排列的散热板，每个所述散热板上均具有多个散热孔，多个所述散热孔在所述散热板上沿第一方向分为多个散热孔组，相邻两个所述散热孔组的所述散热孔于所述散热板上相互交错设置，每个所述散热孔组的散热孔均沿第二方向均匀间隔设置，对于相邻两个交错设置的所述散热孔组，其中一个所述散热孔组的所述散热孔对应另一个所述散热孔组中的两个相邻所述散热孔之间的间隔区域。基于本实用新型的技术方案，能够有效提高散热结构的散热面积，进而提高散热结构的散热能力。

公开(公告)号：CN220934068U

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202322356776.4

申请日：2023-08-30

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 吴昊霖 ,  李春艳 ,  廖勇波

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/467 ,  H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  F24F5/00

Abstract: 本实用新型涉及电器元件技术领域，特别涉及一种散热结构、智能功率模块以及空调器。散热结构包括散热主体、液冷流道和散热孔，散热主体设有液冷流道和散热孔；液冷流道内用于流通冷却液，散热孔用于流通气体；散热结构为陶瓷材料件。本实用新型的散热结构可以同时进行液冷散热和风冷散热，散热结构的散热能力较强，可以满足大功率智能功率模块在工作过程中散热需求。而且，散热结构为陶瓷材料件，散热结构具有优异的绝缘特性，散热结构与智能功率模块连接时，不需要使用热导率较差的绝缘树脂，散热结构可以更好的吸收智能功率模块的热量，散热结构对智能功率模块的散热效果更好。