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发明公开
一种单粒子效应敏感性测试的方法审中-实审

公开(公告)号：CN117741376A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311499252.9

申请日：2023-11-10

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郭红霞 , 李洋帆 , 马武英 , 张凤祁 , 钟向丽 , 张鸿 , 白如雪 , 李济芳 , 卢小杰

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种单粒子效应敏感性测试的方法，包括：对SiC MOSFET样品器件进行单粒子辐照试验；对辐照后的所述样品器件进行1/f噪声测试，得到电流功率谱密度与频率关系；根据所述电流功率谱密度与频率关系得到样品器件的内部缺陷密度，基于内部缺陷密度得到单粒子效应敏感性。本发明利用低频噪声分析单粒子效应的敏感性，解决SiC MOSFET单粒子效应辐照试验后电学参数退化不明显以及不准确的问题。

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