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公开(公告)号:CN113517835A
公开(公告)日:2021-10-19
申请号:CN202110437623.5
申请日:2021-04-22
Applicant: 湖南工业大学
IPC: H02P21/13 , H02P21/14 , H02P25/022 , H02P27/12
Abstract: 本发明提供一种PMSM驱动系统失磁故障控制方法,具体步骤为:首先,建立了dq轴坐标系下PMSM失磁故障数学模型,其次,将失磁模型转化为等价输入干扰系统,采用积分滑模观测器对EID系统状态变量及等价输入失磁故障进行估计,并将等价输入失磁故障的估计值以前馈的方式补偿,得到最终的控制律,实现对PMSM失磁的容错性、鲁棒性。最后,给出了积分滑模观测器及整个EID系统的稳定性证明。所提方法有效提高了PMSM失磁驱动系统的容错控制性能。本发明还提供了一种基于上述PMSM驱动系统失磁故障控制方法的永磁同步电机。
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公开(公告)号:CN112888241A
公开(公告)日:2021-06-01
申请号:CN202011524929.6
申请日:2020-12-22
Applicant: 湖南工业大学
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明涉及轧机技术领域,且公开了一种轧机用功率半导体器件冷却装置,包括若干风扇,所述风扇固定连接在安装盒体内壁的顶部,所述底座顶部设有半导体器件,所述安装盒体内壁上连接有滑轨,所述安装板的一侧上转动连接有支撑框架,所述支撑框架上连接有若干喷头,所述安装板侧壁对称连接有两个U型座,所述支撑框架的两端通过转轴转动连接在对应位置处的U型座内,所述转轴的一端同轴连接有伺服电机,所述底座另一侧上设有水箱,所述水箱顶部连接有第二水泵,所述第二水泵通过第一水管和若干喷头相连接;本发明设置转动的喷头可将水分对半导体器件进行充分的喷洒,且在风扇的共同作用下,提高了冷却的效率。
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公开(公告)号:CN113315431B
公开(公告)日:2023-07-28
申请号:CN202110438654.2
申请日:2021-04-22
Applicant: 湖南工业大学
IPC: H02P21/13 , H02P21/14 , H02P25/022 , H02P27/12
Abstract: 本发明涉及一种基于改进等价输入干扰的容错控制方法。该方法首先建立永磁同步电机失磁故障的数学模型,然后用控制输入通道上的等效输入失磁来描述模型,设计了一种改进的等价输入干扰方法来抑制失磁故障的影响,采用超螺旋滑模观测器代替传统的龙贝格观测器。该方法有效的增强了等价输入故障的估计精度和系统的鲁棒性,大大提高了故障估计和抑制的响应速度和精度。
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公开(公告)号:CN112737465B
公开(公告)日:2022-12-06
申请号:CN202011527087.X
申请日:2020-12-22
Applicant: 湖南工业大学
Abstract: 本发明涉及变流器安装设备技术领域,且公开了一种轧机用大功率变流器电路排线装置,包括安装板,所述安装板的顶部栓接有第一卡位块,所述第一卡位块的顶部通过铰接件铰接有第二卡位块,所述第一卡位块和第二卡位块相对的一侧均开设有卡位槽;本发明通过卡接的方式,避免了现在的固定方式拆卸起来较为浪费时间,使工作人员拆卸起来较为轻松,提高工作人员对线路检修和维护的效率,同时通过铜管的设置,只需要将两根线路通过接线管插入到铜管内部,在使用螺栓带动绝缘卡块对线路进行卡紧,这样便可以达到接线的要求,避免了原有的方式需要工作人员反复缠绕绝缘胶布,进而降低了工作人员的工作劳累度。
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公开(公告)号:CN112918855A
公开(公告)日:2021-06-08
申请号:CN202011527071.9
申请日:2020-12-22
Applicant: 湖南工业大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域,且公开了一种轧机用功率半导体器件保护装置,包括箱体,所述箱体内壁的两侧均栓接有条形块,两个所述条形块之间滑动连接有移动杆,所述条形块内壁的背面卡接有复位弹簧;本发明通过活动杆、第一支撑板、第一弹簧、摆动杆、伸缩杆、第二支撑板、夹板、风扇框、电风扇和通气孔的设置,解决了传统保护装置,不具备对器件起到有效的固定,在运输途中易导致器件随意滚动,发生碰撞从而对器件造成损坏,长时间积累灰尘也会影响器件的使用,同时由于损耗功率使其发热较多,不宜长期工作在较高温度下的问题,具备安装牢固和降温的优点,该装置起到一定程度的防尘效果。
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公开(公告)号:CN114336770B
公开(公告)日:2023-07-25
申请号:CN202210022883.0
申请日:2022-01-10
Applicant: 湖南工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于虚拟电流的VSG预同步控制方法,包括获取VSG和HDG‑MG的输出端实时电压值;构建连接VSG和HDG‑MG的虚拟电阻并设定阻抗计算得到VSG和HDG‑MG之间的虚拟电流值;变换虚拟电流值得到d轴电流和q轴电流;计算得到的VSG预同步幅值控制量和VSG预同步相位控制量,完成基于虚拟电流的VSG预同步控制。本发明还公开了一种包括所述基于虚拟电流的VSG预同步控制方法的并网方法。本发明通过创新的控制环路设计,不仅实现了VSG预同步控制和对应的VSG并网,而且本发明方法能够保证系统频率变化平稳,改善预同步过程中VSG的频率稳定性,可靠性更高,实用性更好。
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公开(公告)号:CN114336770A
公开(公告)日:2022-04-12
申请号:CN202210022883.0
申请日:2022-01-10
Applicant: 湖南工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于虚拟电流的VSG预同步控制方法,包括获取VSG和HDG‑MG的输出端实时电压值;构建连接VSG和HDG‑MG的虚拟电阻并设定阻抗计算得到VSG和HDG‑MG之间的虚拟电流值;变换虚拟电流值得到d轴电流和q轴电流;计算得到的VSG预同步幅值控制量和VSG预同步相位控制量,完成基于虚拟电流的VSG预同步控制。本发明还公开了一种包括所述基于虚拟电流的VSG预同步控制方法的并网方法。本发明通过创新的控制环路设计,不仅实现了VSG预同步控制和对应的VSG并网,而且本发明方法能够保证系统频率变化平稳,改善预同步过程中VSG的频率稳定性,可靠性更高,实用性更好。
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公开(公告)号:CN113315431A
公开(公告)日:2021-08-27
申请号:CN202110438654.2
申请日:2021-04-22
Applicant: 湖南工业大学
IPC: H02P21/13 , H02P21/14 , H02P25/022 , H02P27/12
Abstract: 本发明涉及一种基于改进等价输入干扰的容错控制方法。该方法首先建立永磁同步电机失磁故障的数学模型,然后用控制输入通道上的等效输入失磁来描述模型,设计了一种改进的等价输入干扰方法来抑制失磁故障的影响,采用超螺旋滑模观测器代替传统的龙贝格观测器。该方法有效的增强了等价输入故障的估计精度和系统的鲁棒性,大大提高了故障估计和抑制的响应速度和精度。
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公开(公告)号:CN112802804A
公开(公告)日:2021-05-14
申请号:CN202011524943.6
申请日:2020-12-22
Applicant: 湖南工业大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/32
Abstract: 本发明涉及封装技术领域,且公开了一种轧机用功率半导体器件封装结构,包括基板,所述基板的内部设有芯片,所述芯片连接在散热座的顶部,所述芯片通过键合线和引脚进行连接,所述基板顶部通过定位装置连接有散热顶盖,所述定位装置包括若干定位柱,所述基板顶部对应位置处设有若干定位槽,所述定位柱可放置在对应位置处的定位槽内,所述定位柱侧壁上对称设有两个放置槽,所述放置槽内底部通过转轴转动连接有连接板,且所述连接板的一侧通过复位弹簧和放置槽内壁进行连接,所述定位槽内壁上对称设有两个限位槽;本发明可对散热顶盖进行稳定的安装,同时可提高了整体的散热性,对芯片起到了保护的作用。
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公开(公告)号:CN113517835B
公开(公告)日:2023-06-06
申请号:CN202110437623.5
申请日:2021-04-22
Applicant: 湖南工业大学
IPC: H02P21/13 , H02P21/14 , H02P25/022 , H02P27/12
Abstract: 本发明提供一种PMSM驱动系统失磁故障控制方法,具体步骤为:首先,建立了dq轴坐标系下PMSM失磁故障数学模型,其次,将失磁模型转化为等价输入干扰系统,采用积分滑模观测器对EID系统状态变量及等价输入失磁故障进行估计,并将等价输入失磁故障的估计值以前馈的方式补偿,得到最终的控制律,实现对PMSM失磁的容错性、鲁棒性。最后,给出了积分滑模观测器及整个EID系统的稳定性证明。所提方法有效提高了PMSM失磁驱动系统的容错控制性能。本发明还提供了一种基于上述PMSM驱动系统失磁故障控制方法的永磁同步电机。
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