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公开(公告)号：CN112481634A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011070791.7
申请日：2020-10-08
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明属于光电化学水分解技术领域，涉及三元复合TiO2‑STO‑CdS NRs光电极的制备：含有0.2～0.5M盐酸羟胺和0.1～0.25M Na2S·9H2O的混合溶液转移高压反应釜内，浸入TiO2 NR阵列电极，水热反应2～10h，将含表面无定形纳米层的TiO2 NR阵列电极放入高压反应釜内，倒入0.01～0.03M的Sr(OH)2·8H2O水溶液浸没，水热反应得TiO2/STO NRs；通过化学浴沉积法在STO纳米层表面沉积均匀分布的CdS量子点，实现1D/0D异质结和界面铁电极化诱导的偶极子层的耦合。本发明所构建的三元复合TiO2/STO/CdS NRs光电极应用于高效PEC水分解。铁电STO纳米层会产生强而持久的自发极化，引起从STO/CdS界面指向TiO2/STO界面的极性电荷感应电场。三元异质结和STO极性电荷感应电场耦合，协同赋予持久快速的光生电荷分离能力，抑制可能的体或界面电荷复合。
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公开(公告)号：CN105157584B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201510549624.3
申请日：2015-08-31
Applicant: 江苏大学
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明提供一种非接触式物体厚度的在线测量装置及方法，包括光源、光纤、光学探头A、光学探头B、一维运动平台支架、传输带、滚轮、待测物体、一维运动平台、光谱仪、数据线以及计算机。该装置是将物体通过传输带进入探头的测量范围，光源发出的光通过耦合进入光学探头，然后利用共焦原理，光学探头A可以接收物体上表面反射回的光，光学探头B接收下表面反射回的光，然后通过把数据反馈给计算机可以得到物体的厚度，然后计算机对物体厚度进行判断，当满足条件时无提示，当超出所设定的范围时计算机会提示物体不符合标准。该装置结构简单，操作方便，而且测量精度高，能应用于大型的流水线生产，具有很高的实用价值。
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公开(公告)号：CN104407043B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201410725693.0
申请日：2014-12-03
Applicant: 江苏大学
IPC: G01N27/82
Abstract: 本发明公开了基于电磁感应的钢帘线缺陷在线检测装置，属于无损检测领域，其包括传感器和控制器；传感器包括检测模块、信号处理模块、电源模块和蓝牙模块，检测模块由信号发生模块与电磁感应模块组成；控制器包括ARM Cortex‑M0+、通讯模块、报警模块、电源模块、蓝牙模块、按键和显示屏；传感器与控制器之间通过各自的蓝牙模块进行数据交流，ARM通过通讯模块完成与钢帘线生产仪器之间的同步操作。本发明还公开了该装置的检测方法。本发明的装置通过将钢帘线缺陷引起的线圈电感的变化转换为信号发生模块产生信号的频率的变化，检测精度高，可靠性好、适应性强；本发明的检测方法，实时高效，具备很好的实用性。
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公开(公告)号：CN104407043A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410725693.0
申请日：2014-12-03
Applicant: 江苏大学
IPC: G01N27/82
Abstract: 本发明公开了基于电磁感应的钢帘线缺陷在线检测装置，属于无损检测领域，其包括传感器和控制器；传感器包括检测模块、信号处理模块、电源模块和蓝牙模块，检测模块由信号发生模块与电磁感应模块组成；控制器包括ARMCortex-M0+、通讯模块、报警模块、电源模块、蓝牙模块、按键和显示屏；传感器与控制器之间通过各自的蓝牙模块进行数据交流，ARM通过通讯模块完成与钢帘线生产仪器之间的同步操作。本发明还公开了该装置的检测方法。本发明的装置通过将钢帘线缺陷引起的线圈电感的变化转换为信号发生模块产生信号的频率的变化，检测精度高，可靠性好、适应性强；本发明的检测方法，实时高效，具备很好的实用性。
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公开(公告)号：CN119707706A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411915266.9
申请日：2024-12-24
Applicant: 江苏大学
IPC: C07C211/04 , C07C209/68 , C07C257/12 , H10K85/50 , H10K71/12 , C03C17/42 , C03C17/28
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种高质量有机‑无机杂化钙钛矿材料及其制备方法。本发明在CH3NH3PbX3(其中X为Cl、Br、I)钙钛矿材料中同时掺入Co2+和H2NCHNH2+离子，其中，Co2+离子占据钙钛矿B晶格位增强了钙钛矿晶格，减少了钙钛矿材料本征缺陷和晶界缺陷；H2NCHNH2+离子占据钙钛矿A晶格位抑制了掺杂Co2+引起的晶格畸变，减少了Co2+离子缺陷。因此，(CH3NH3)1‑a(H2NCHNH2)aPb1‑bCobX3(0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116487467A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310479723.3
申请日：2023-04-28
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种硅基铁电异质结光电探测器及其制备方法和应用，属于信息技术领域；本发明通过在Si硅衬底表面上制备铁电薄膜材料，然后在Si硅衬底和铁电薄膜材料上沉积薄金属电极来构建硅基铁电异质结光电探测器；所述硅基铁电异质结光电探测器能够实现紫外‑可见‑近红外宽光谱和波长可选择光探测的目的，其在300‑900nm宽光谱和300‑340nm紫外/380‑900nm可见光‑近红外波长下均可进行可选择光探测，具有很强的工业实用性。
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公开(公告)号：CN116456729A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310642501.9
申请日：2023-06-01
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明属于光电通信和光电器件技术领域，公开了一种钙钛矿/硅异质结光电探测器及其制备方法。包括：导电硅基底，钙钛矿层和电极。钙钛矿层由钙钛矿本体和沸石咪唑酯骨架结构材料ZIF‑67组成。步骤为：将ZIF‑67粉末与钙钛矿前驱体溶质混合，加入溶剂搅拌得到均质的钙钛矿前驱液，然后采用抗溶剂旋涂法在处理过的导电硅基底上制备钙钛矿薄膜，经过梯度热退火得到高质量的钙钛矿层，构建钙钛矿/硅异质结，最后在钙钛矿层表面制备电极，得到钙钛矿/硅异质结光电探测器。ZIF‑67对钙钛矿进行n型掺杂，并与p型低阻硅构建异质结，利用其内建电场加速载流子的分离。此外，ZIF‑67可调控薄膜生长，减少晶界及缺陷态，降低器件的非辐射复合损耗，提升器件性能及稳定性。
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公开(公告)号：CN112121838A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011026363.4
申请日：2020-09-25
Applicant: 江苏大学
IPC: B01J27/24 , B01J37/34 , C02F1/30 , C02F101/30
Abstract: 本发明属于光催化剂技术领域，涉及电晕极化的Z型BFO复合g‑C3N4（BFO/g‑C3N4）异质结铁电光催化剂的制备方法:称取g‑C3N4和BFO，分别分散在甲醇中超声均匀，将二溶液等体积混合并继续超声分散至均匀，置于磁力搅拌器上搅拌至甲醇完全蒸发，60～80℃干燥6～18 h，收集粉末；对所制得的催化剂进行极化处理，其中电场强度为16～24 KV/cm，极化时间3～10 min，得到电晕极化的Z型BFO/g‑C3N4异质结铁电光催化剂。本发明将所制得的催化剂，应用于光催化降解废水中的有机污染物。本发明首次采用电晕极化与Z型异质结协同提升基于g‑C3N4的铁电光催化剂的催化性能，制备工艺简单无危险，电晕极化设备易搭建，极化过程对样品无损伤，所得样品的催化性能显著增强且易于回收，有较好的稳定性。
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公开(公告)号：CN104569679B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201510006622.X
申请日：2015-01-07
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明公开了一种电动工具和园林工具的空载耐久测试系统，属于自动化监控技术领域，其包括工控机机柜、电参数仪机柜、布线槽、传感器和摄像头，工控机机柜的一端与电参数仪机柜相连，电参数仪机柜与布线槽相连；工控机机柜的另一端与传感器和摄像头相连；市电的电源通过调压器和直流电源分别与工控机机柜相连。本发明将被测工具电源插头插在布线槽的插座上，即可开始测试，可实现远距离测试，无需人工干预，提高安全性；同时分为直流和交流测试平台两种，每种平台可设置多个工位，每个工位对应一台被测工具，各个工位相互独立，实现无干扰并行操作，提高测试效率和系统适应性；由工控机完成对测试的控制、数据的监测以及安全保护，全程自动化，实现智能安全的电动工具和园林工具的空载耐久测试。
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公开(公告)号：CN105332048A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510678570.0
申请日：2015-10-20
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化锌基合金半导体材料及其制备方法，包括衬底、衬底上沉积有缓冲层、缓冲层上生长有薄膜层。所述薄膜层为BexZnzO1-x-y-zSy合金薄膜，BexZnzO1-x-y-zSy合金薄膜层中Be含量为0＜x＜0.50，S含量为0＜y≤0.25，Zn含量为0＜z＜0.50，薄膜层的禁带宽度为3.37eV~10.6eV，薄膜层厚度为几十纳米到几微米不等。本发明BexZnzO1-x-y-zSy合金半导体材料及其制备方法的优点在于掺入的Be原子可以增加ZnO材料的禁带宽度，掺入的S原子可以提高BexZnzO1-x-y-zSy合金薄膜层材料结构稳定性。本发明中，掺入的Be原子占据ZnO晶体Zn原子位置，掺入的S原子占据Be原子最近邻的O原子位置，由于Zn-S键长度与Be-O和Zn-O键长度形成互补作用，使得薄膜层中Be周围局部区域应变降低，从而提高了BexZnzO1-x-y-zSy合金薄膜层材料结构稳定性。
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