公开(公告)号：CN119677241A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411891918.X

申请日：2024-12-20

Applicant: 江苏大学

Inventor： 朱慧颖 ,  陈明明 ,  张慧敏

IPC: H10F77/30 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种氧化物介质钝化层材料及其制备方法。本发明通过在HfO2薄膜中引入OH陷阱缺陷，利用OH陷阱缺陷辅助空穴载流子隧穿运动，提升空穴在HfO2薄膜的传输，从而进一步提升Si基光电探测器和太阳能电池器件的性能。所述的掺杂OH的HfO2薄膜材料作为介质钝化层，可以显著提升钙钛矿CH3NH3PbI3/Si异质结光电探测器的性能，具有很强的工业实用性。

公开(公告)号：CN119707706A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411915266.9

申请日：2024-12-24

Applicant: 江苏大学

Inventor： 朱慧颖 ,  陈明明 ,  刘康媛 ,  张慧敏

IPC: C07C211/04 ,  C07C209/68 ,  C07C257/12 ,  H10K85/50 ,  H10K71/12 ,  C03C17/42 ,  C03C17/28

Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种高质量有机‑无机杂化钙钛矿材料及其制备方法。本发明在CH3NH3PbX3(其中X为Cl、Br、I)钙钛矿材料中同时掺入Co2+和H2NCHNH2+离子，其中，Co2+离子占据钙钛矿B晶格位增强了钙钛矿晶格，减少了钙钛矿材料本征缺陷和晶界缺陷；H2NCHNH2+离子占据钙钛矿A晶格位抑制了掺杂Co2+引起的晶格畸变，减少了Co2+离子缺陷。因此，(CH3NH3)1‑a(H2NCHNH2)aPb1‑bCobX3(0

公开(公告)号：CN119584834A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411679138.9

申请日：2024-11-22

Applicant: 江苏大学

Inventor： 王权 ,  程培宇 ,  陈明明 ,  张慧敏

IPC: H10K71/40 ,  H10K71/12 ,  H10K30/88 ,  H10K30/20 ,  H10K85/50

Abstract: 本发明提供了一种溶剂热处理的二维/三维钙钛矿异质结、制备方法及应用。本发明在三维卤化铅钙钛矿薄膜表面制备一层二维钙钛矿钝化层后，通过AX/IPA混合蒸汽进行溶剂热处理，消除二维/三维钙钛矿异质结界面处的卤化铅副产物，增加二维钙钛矿中的卤化物八面体层数。本发明不仅有效降低薄膜表面的非辐射负荷中心，增强二维钙钛矿的钝化效果，提高了光电转换效率；而且增强了载流子的面外传输能力，提高了垂直方向的导电性，减少电流损耗，提高了器件的响应度及探测率；解决了传统溶液法制备的二维/三维钙钛矿异质结中溶剂不兼容的问题，实现了对钙钛矿薄膜表面缺陷的有效钝化，为制备高性能稳定的钙钛矿薄膜光电器件提供了有力的技术支撑。